公开(公告)号：US08591991B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US12600665

申请日：2008-05-16

申请人： Kanji Yasui ,  Hiroshi Nishiyama ,  Masatoshi Tsukichi ,  Yasunobu Inoue ,  Masasuke Takata

发明人： Kanji Yasui ,  Hiroshi Nishiyama ,  Masatoshi Tsukichi ,  Yasunobu Inoue ,  Masasuke Takata

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/40 ,  C01G9/03 ,  C01P2002/72 ,  C23C16/407 ,  C23C16/448 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0262

摘要： A fabrication method for fabricating a metal oxide film introduces H2 gas and O2 gas or, H2O2 gas, into a catalytic reactor to make contact with a catalyst to generate H2O gas. The H2O gas that is generated is jetted from the catalytic reactor to react with a metal compound gas, to thereby deposit the metal oxide thin film on a substrate and fabricate the metal oxide thin film.

摘要翻译： 用于制造金属氧化物膜的制造方法将H 2气体和O 2气体或H 2 O 2气体引入到催化反应器中以与催化剂接触以产生H 2 O气体。 所产生的H 2 O气体从催化反应器喷射，与金属化合物气体反应，从而将金属氧化物薄膜沉积在基板上，并制造金属氧化物薄膜。

公开(公告)号：US20100166958A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12600665

申请日：2008-05-16

申请人： Kanji Yasui ,  Hiroshi Nishiyama ,  Masatoshi Tsukichi ,  Yasunori Inoue ,  Masasuke Takata

发明人： Kanji Yasui ,  Hiroshi Nishiyama ,  Masatoshi Tsukichi ,  Yasunori Inoue ,  Masasuke Takata

IPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/06 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/40 ,  C01G9/03 ,  C01P2002/72 ,  C23C16/407 ,  C23C16/448 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0262

摘要： Object To provide a technique for efficiently forming a metal oxide thin film made of zinc oxide or the like on a substrate at a low cost, without requiring a large amount of electrical energy.Means of Solution H2 gas and O2 gas or, H2O2 gas, is introduced into a catalytic reactor to make contact with a catalyst to generate H2O gas, and the H2O gas is jetted from the catalytic reactor to react with a metal compound gas, to thereby deposit a metal oxide thin film on a substrate and fabricate the metal oxide thin film.

摘要翻译： 目的提供一种低成本地在基板上有效地形成由氧化锌等形成的金属氧化物薄膜的技术，而不需要大量的电能。 解决方案将H2气体和O2气体或H 2 O 2气体引入催化反应器中以与催化剂接触以产生H 2 O气体，并且将H 2 O气体从催化反应器喷射以与金属化合物气体反应，从而 在基板上沉积金属氧化物薄膜并制造金属氧化物薄膜。