公开(公告)号：US20120199470A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13364740

申请日：2012-02-02

申请人： Kaoru MORI ,  Eiji KARIYADA ,  Katsumi SUEMITSU ,  Norikazu OHSHIMA

发明人： Kaoru MORI ,  Eiji KARIYADA ,  Katsumi SUEMITSU ,  Norikazu OHSHIMA

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/06

CPC分类号： H01L43/12 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/307 ,  H01L43/08

摘要： A method for manufacturing an MTJ film includes forming a first ferromagnetic layer; forming a tunnel barrier layer over the first ferromagnetic layer; and forming a second ferromagnetic layer over the tunnel barrier layer. The first ferromagnetic layer is a Co/Ni stacked film having perpendicular magnetic anisotropy. The step for forming a tunnel barrier layer includes repeating unit film formation treatment n times (n is an integer of 2 or more). The unit film formation treatment includes the steps of: depositing an Mg film by a sputtering method; and oxidizing the deposited Mg film. A film thickness of the deposited Mg film in the first unit film formation treatment is 0.3 nm or more and 0.5 nm or less. A film thickness of the deposited Mg film in the second unit film formation treatment or later is 0.1 nm or more and 0.45 nm or less.

摘要翻译： 制造MTJ薄膜的方法包括：形成第一铁磁层; 在所述第一铁磁层上形成隧道势垒层; 以及在所述隧道势垒层上形成第二铁磁层。 第一铁磁层是具有垂直磁各向异性的Co / Ni叠层膜。 形成隧道势垒层的步骤包括重复单元成膜处理n次（n为2以上的整数）。 单元成膜处理包括以下步骤：通过溅射法沉积Mg膜; 并氧化沉积的Mg膜。 第一单位成膜处理中的沉积的Mg膜的膜厚为0.3nm以上且0.5nm以下。 在第二单元成膜处理中或之后的沉积的Mg膜的膜厚度为0.1nm以上且0.45nm以下。

公开(公告)号：US20130075846A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13609230

申请日：2012-09-10

申请人： Katsumi SUEMITSU ,  Eiji Kariyada

发明人： Katsumi SUEMITSU ,  Eiji Kariyada

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/8246

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/226 ,  H01L43/08

摘要： A memory includes an underlying layer of a ferromagnetic body, a first nonmagnetic layer on the underlying layer, a data memorizing layer laid on the first nonmagnetic layer and made of a ferromagnetic body having perpendicular magnetic anisotropy, a reference layer coupled through a second nonmagnetic layer with the data memorizing layer, and first and second magnetization fixed layers laid underneath the underlying layer to come into contact with the underlying layer. The data memorizing layer includes a magnetization liberalized region having reversible magnetization, and overlapping with the reference layer, a first magnetization fixed region coupled with an end of the magnetization liberalized region, and having a magnetization direction fixed to +z direction by the first magnetization fixed layer, and a second magnetization fixed region coupled with a different end of the magnetization liberalized region, and having a magnetization direction fixed to −z direction by the second magnetization fixed layer.

摘要翻译： 存储器包括铁磁体的下层，下层上的第一非磁性层，位于第一非磁性层上并由具有垂直磁各向异性的铁磁体构成的数据存储层，通过第二非磁性层耦合的参考层 数据存储层，第一和第二磁化固定层铺设在下层之下，与下层相接触。 数据存储层包括具有可逆磁化并与参考层重叠的磁化自由化区域，与磁化自由化区域的端部耦合的第一磁化固定区域，并且具有通过第一磁化固定的磁化方向固定到+ z方向 以及与磁化自由化区域的不同端部耦合的第二磁化固定区域，并且具有由第二磁化固定层固定在-z方向的磁化方向。