公开(公告)号：US20090263674A1

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：US12107627

申请日：2008-04-22

申请人： Ke Chun Liu ,  Kuan-Chieh Huang ,  Chin-Min Lin ,  Ken Wen-Chien Fu ,  Mingo Lin

发明人： Ke Chun Liu ,  Kuan-Chieh Huang ,  Chin-Min Lin ,  Ken Wen-Chien Fu ,  Mingo Lin

IPC分类号： B32B3/30

CPC分类号： H01L27/14632 ,  H01L27/14687

摘要： An integrated circuit structure includes a substrate and a metallization layer over the substrate. The metallization layer includes a dielectric layer and metal lines in the dielectric layer. The integrated circuit structure further includes a sensing element over the metallization layer. The sensing element may be formed in passivation layers.

摘要翻译： 集成电路结构包括衬底和衬底上的金属化层。 金属化层包括电介质层和电介质层中的金属线。 集成电路结构还包括在金属化层上的感测元件。 感测元件可以形成在钝化层中。

公开(公告)号：US08796804B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US12107627

申请日：2008-04-22

申请人： Ke Chun Liu ,  Kuan-Chieh Huang ,  Chin-Min Lin ,  Ken Wen-Chien Fu ,  Mingo Lin

发明人： Ke Chun Liu ,  Kuan-Chieh Huang ,  Chin-Min Lin ,  Ken Wen-Chien Fu ,  Mingo Lin

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L27/14632 ,  H01L27/14687

摘要： An integrated circuit structure includes a substrate and a metallization layer over the substrate. The metallization layer includes a dielectric layer and metal lines in the dielectric layer. The integrated circuit structure further includes a sensing element over the metallization layer. The sensing element may be formed in passivation layers.

摘要翻译： 集成电路结构包括衬底和衬底上的金属化层。 金属化层包括电介质层和电介质层中的金属线。 集成电路结构还包括在金属化层上的感测元件。 感测元件可以形成在钝化层中。