公开(公告)号：US20090291232A1

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：US12294428

申请日：2007-03-28

申请人： Keisuki Washio ,  Kazutoshi Murata ,  Naomasa Miyatake ,  Hiroyuki Tachibana ,  Nozomu Hattori

发明人： Keisuki Washio ,  Kazutoshi Murata ,  Naomasa Miyatake ,  Hiroyuki Tachibana ,  Nozomu Hattori

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/54

CPC分类号： C23C16/402 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31612

摘要： Oxygen gas, for example, is introduced into a film forming chamber, and high-frequency power is supplied to a plurality of monopole antennas arranged above a silicon substrate (101) in the film forming chamber to generate a plasma of the introduced oxygen gas, thereby supplying atomic oxygen (123) onto the surface of an aminosilane molecular layer (102). This plasma generation is performed for about 1 sec. With this operation, the adsorption layer (102) adsorbed onto the surface of the silicon substrate (101) is oxidized, thereby forming a silicon oxide layer (112) corresponding to one atomic layer of silicon on the surface of the silicon substrate (101).

摘要翻译： 例如，将氧气引入成膜室，向成膜室内的硅基板（101）上方配置的多个单极天线供给高频电力，生成引入氧气的等离子体， 从而将原子氧（123）提供到氨基硅烷分子层（102）的表面上。 执行该等离子体生成约1秒。 通过该操作，吸附在硅衬底（101）的表面上的吸附层（102）被氧化，从而在硅衬底（101）的表面上形成对应于一个原子层硅的氧化硅层（112） 。

公开(公告)号：US08440268B2

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：US12294428

申请日：2007-03-28

申请人： Keisuki Washio ,  Kazutoshi Murata ,  Naomasa Miyatake ,  Hiroyuki Tachibana ,  Nozomu Hattori

发明人： Keisuki Washio ,  Kazutoshi Murata ,  Naomasa Miyatake ,  Hiroyuki Tachibana ,  Nozomu Hattori

IPC分类号： H05H1/24

CPC分类号： C23C16/402 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31612

摘要： Oxygen gas, for example, is introduced into a film forming chamber, and high-frequency power is supplied to a plurality of monopole antennas arranged above a silicon substrate (101) in the film forming chamber to generate a plasma of the introduced oxygen gas, thereby supplying atomic oxygen (123) onto the surface of an aminosilane molecular layer (102). This plasma generation is performed for about 1 sec. With this operation, the adsorption layer (102) adsorbed onto the surface of the silicon substrate (101) is oxidized, thereby forming a silicon oxide layer (112) corresponding to one atomic layer of silicon on the surface of the silicon substrate (101).

摘要翻译： 例如，将氧气引入成膜室，向成膜室内的硅基板（101）上方配置的多个单极天线供给高频电力，生成引入氧气的等离子体， 从而将原子氧（123）提供到氨基硅烷分子层（102）的表面上。 执行该等离子体生成约1秒。 通过该操作，吸附在硅衬底（101）的表面上的吸附层（102）被氧化，从而在硅衬底（101）的表面上形成对应于一个原子层硅的氧化硅层（112） 。