公开(公告)号：US20130009170A1

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：US13617596

申请日：2012-09-14

申请人： Kenji MOMOSE ,  Michiya ODAWARA ,  Keiichi MATSUZAWA ,  Hajime OKUMURA ,  Kazutoshi KOJIMA ,  Yuuki ISHIDA ,  Hidekazu TSUCHIDA ,  Isaho KAMATA

发明人： Kenji MOMOSE ,  Michiya ODAWARA ,  Keiichi MATSUZAWA ,  Hajime OKUMURA ,  Kazutoshi KOJIMA ,  Yuuki ISHIDA ,  Hidekazu TSUCHIDA ,  Isaho KAMATA

IPC分类号： H01L29/24

CPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/325 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262

摘要： An epitaxial SiC single crystal substrate including a SiC single crystal wafer whose main surface is a c-plane or a surface that inclines a c-plane with an angle of inclination that is more than 0 degree but less than 10 degrees, and SiC epitaxial film that is formed on the main surface of the SiC single crystal wafer, wherein the dislocation array density of threading edge dislocation arrays that are formed in the SiC epitaxial film is 10 arrays/cm2 or less.

摘要翻译： 外延SiC单晶衬底，其包括主表面为c面的SiC单晶晶片或倾斜角度大于0度但小于10度的c面倾斜的表面;以及SiC外延膜 其形成在SiC单晶晶片的主表面上，其中形成在SiC外延膜中的穿线边缘位错阵列的位错阵列密度为10阵列/ cm 2以下。