利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

52 条记录 (耗时 0.014 秒)

    Method for making use of site activity index and a system thereof
    1.
    发明授权
    Method for making use of site activity index and a system thereof 有权
    利用场地活动指数的方法及其系统

    公开(公告)号：US08321289B2

    公开(公告)日：2012-11-27

    申请号：US11575491

    申请日：2005-10-07

    申请人： Ki-Sung Kim

    发明人： Ki-Sung Kim

    IPC分类号： G06Q30/00

    CPC分类号： G06Q30/00 ,  G06Q30/0641

    摘要： Provided are a method and a system for applying site activity indexes by a site activity index applying system connected to a plurality of user terminals through the Internet. In one embodiment, the method includes checking whether a user who is connected to a web site through the Internet desires to buy a game item, checking whether to use the user's site activity indexes so as to buy the game item, checking whether the user possesses site activity indexes, and exchanging the site activity indexes with game items when the user possesses the site activity indexes. With the method and system for applying site activity indexes user loyalty and game participation may be increased.

    摘要翻译： 提供了一种通过因特网通过连接到多个用户终端的站点活动索引应用系统来应用站点活动索引的方法和系统。 在一个实施例中，该方法包括检查通过因特网连接到网站的用户是否希望购买游戏项目，检查是否使用用户的站点活动索引以购买游戏项目，检查用户是否拥有 网站活动指标，以及当用户拥有网站活动索引时，使用游戏项目交换网站活动索引。 通过应用网站活动指标的方法和系统，可以增加用户忠诚度和游戏参与度。

    Nonvolatile memory devices using variable resistive elements
    2.
    发明申请
    Nonvolatile memory devices using variable resistive elements 有权
    使用可变电阻元件的非易失性存储器件

    公开(公告)号：US20090285009A1

    公开(公告)日：2009-11-19

    申请号：US12453529

    申请日：2009-05-14

    申请人： Ki-Sung Kim ,  Byung-Gil Choi ,  Young-Ran Kim ,  Jong-Chul Park

    发明人： Ki-Sung Kim ,  Byung-Gil Choi ,  Young-Ran Kim ,  Jong-Chul Park

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/00 ,  G11C5/14

    CPC分类号： G11C13/0023 ,  G11C8/10 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0026 ,  G11C2213/72

    摘要： A nonvolatile memory device using a variable resistive element is provided. The nonvolatile memory device may include a memory cell array which includes an array of multiple nonvolatile memory cells having variable resistance levels depending on data stored. Word lines may be coupled with each column of the nonvolatile memory cells. Local bit lines may be coupled with each row of the nonvolatile memory cells. Global bit lines may be selectively coupled with the multiple local bit lines.

    摘要翻译： 提供了使用可变电阻元件的非易失性存储器件。 非易失性存储器件可以包括存储单元阵列，其包括具有取决于存储的数据的可变电阻等级的多个非易失性存储单元的阵列。 字线可以与非易失性存储单元的每一列耦合。 局部位线可以与非易失性存储器单元的每一行耦合。 全局位线可以选择性地与多个局部位线耦合。