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    METHOD OF FABRICATING MOS TRANSISTOR AND MOS TRANSISTOR FABRICATED THEREBY
    1.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING MOS TRANSISTOR AND MOS TRANSISTOR FABRICATED THEREBY 审中-公开
    制造MOS晶体管和MOS晶体管的方法

    公开(公告)号：US20090085075A1

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：US12196454

    申请日：2008-08-22

    申请人： Ki-chul KIM ,  Hong-Jae Shin ,  Jung-Deog Lee

    发明人： Ki-chul KIM ,  Hong-Jae Shin ,  Jung-Deog Lee

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/8238

    CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78

    摘要： A method of fabricating a MOS transistor, and a MOS transistor fabricated by the method. The method can include forming a gate pattern on a semiconductor substrate. The gate pattern can be formed by sequentially stacking a gate electrode and a capping layer pattern. The capping layer pattern is formed to have a lower capping layer pattern and an upper capping layer pattern. The lower capping layer pattern is formed to a smaller width than the upper capping layer pattern.

    摘要翻译： 一种制造MOS晶体管的方法和通过该方法制造的MOS晶体管。 该方法可以包括在半导体衬底上形成栅极图案。 栅极图案可以通过顺序堆叠栅电极和覆盖层图案来形成。 盖层图案形成为具有较低的封盖层图案和上覆盖层图案。 下盖层图案形成为比上盖层图案小的宽度。

    LOGIC DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SAME
    2.
    发明申请
    LOGIC DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SAME 有权
    逻辑器件及其操作方法

    公开(公告)号：US20130049802A1

    公开(公告)日：2013-02-28

    申请号：US13597732

    申请日：2012-08-29

    申请人： Hyun-sik CHOI ,  Ho-jung KIM ,  Ki-chul KIM ,  Jai-kwang SHIN ,  Joong-ho CHOI ,  Hyung-su JEONG

    发明人： Hyun-sik CHOI ,  Ho-jung KIM ,  Ki-chul KIM ,  Jai-kwang SHIN ,  Joong-ho CHOI ,  Hyung-su JEONG

    IPC分类号： H03K19/173

    CPC分类号： H03K19/17756

    摘要： A logic device may include a first functional block, the first functional block including, a first storage block, a second storage block, and a first function controller. In a first operation time period, the first function controller may be configured to receive a first configuration selection signal and a first configuration command signal that instructs a first function be configured, select the first storage block as a configured storage block in the first operation time period based on the first configuration selection signal, and configure the first function in the first storage block based on the first configuration command signal.

    摘要翻译： 逻辑设备可以包括第一功能块，第一功能块包括第一存储块，第二存储块和第一功能控制器。 在第一操作时间段中，第一功能控制器可以被配置为接收第一配置选择信号和指示第一功能的第一配置命令信号，在第一操作时间中选择第一存储块作为配置的存储块 基于第一配置选择信号，并且基于第一配置命令信号来配置第一存储块中的第一功能。