公开(公告)号：US07667038B2

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：US12249463

申请日：2008-10-10

申请人： Knud Reuter ,  Daniel Gaess ,  Jörg Sundermeyer

发明人： Knud Reuter ,  Daniel Gaess ,  Jörg Sundermeyer

IPC分类号： C07F9/00 ,  C07D333/02

CPC分类号： C07F9/005 ,  H01L21/28556

摘要： The present invention relates to specific, novel tantalum and niobium compounds which can serve as starting materials for the preparation of chemical vapour deposition (CVD) precursors.

摘要翻译： 本发明涉及可用作制备化学气相沉积（CVD）前体的起始材料的具体的新型钽和铌化合物。

公开(公告)号：US20080038466A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：US11836192

申请日：2007-08-09

申请人： Knud Reuter ,  Stephan Kirchmeyer ,  Daniel Gaess ,  Michael Pokoj ,  Jorg Sundermeyer ,  Wolfgang Stolz ,  Thomas Ochs ,  Kerstin Volz

发明人： Knud Reuter ,  Stephan Kirchmeyer ,  Daniel Gaess ,  Michael Pokoj ,  Jorg Sundermeyer ,  Wolfgang Stolz ,  Thomas Ochs ,  Kerstin Volz

IPC分类号： C23C16/00 ,  C07F9/00

CPC分类号： C07F9/005 ,  C23C16/18

摘要： The present invention relates to special, novel tantalum and niobium compounds, the use thereof for the deposition of tantalum- or niobium-containing layers by means of chemical vapour deposition and the tantalum- or niobium-containing layers produced by this process.

摘要翻译： 本发明涉及特殊的新型钽和铌化合物，其用于通过化学气相沉积和通过该方法制备的含钽或铌的层沉积含钽或铌的层。

公开(公告)号：US20090099361A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：US12249463

申请日：2008-10-10

申请人： Knud Reuter ,  Daniel Gaess ,  Jorg Sundermeyer

发明人： Knud Reuter ,  Daniel Gaess ,  Jorg Sundermeyer

IPC分类号： C07F9/00

CPC分类号： C07F9/005 ,  H01L21/28556

摘要： The present invention relates to specific, novel tantalum and niobium compounds which can serve as starting materials for the preparation of chemical vapour deposition (CVD) precursors.

摘要翻译： 本发明涉及可用作制备化学气相沉积（CVD）前体的起始材料的具体的新型钽和铌化合物。