公开(公告)号：US20040179309A1

公开(公告)日：2004-09-16

申请号：US10798447

申请日：2004-03-12

Applicant: Korea Institute of Science and Technology

Inventor： Woo Young Lee ,  Kyung Ho Shin ,  Suk Hee Han ,  Joon Yeon Chang ,  Hi Jung Kim ,  Dal Young Kim ,  Kwan Hyi Lee ,  Kyoung Il Lee ,  Min Hong Jeun

IPC: C25D005/00 ,  G11B005/127 ,  H01L031/062

CPC classification number: H01F10/1936 ,  C25D3/54 ,  C25D5/50 ,  G11C11/14 ,  H01F1/401 ,  H01F41/18 ,  H01F41/26 ,  H01L43/12

Abstract: In a method for fabricating a Bi thin film having a great MR (magnetoresistance) at room temperature and a method for fabricating a spintronics device using the same, the Bi thin film is fabricated by an electrodepostiting method and a sputtering method and has very great MR characteristics at room temperature, and it can be applied to various spintronics devices.

Abstract translation: 在室温下具有大的MR（磁阻）的Bi薄膜的制造方法以及使用该Bi薄膜的自旋电子学装置的制造方法中，Bi薄膜通过电沉积法和溅射法制造，具有非常大的MR 在室温下的特性，并且可以应用于各种自旋电子器件。