公开(公告)号：US20110017990A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：US12659153

申请日：2010-02-26

申请人： Kyoung-seok Son ,  Jang-yeon Kwon ,  Hyoung-sub Kim ,  Hoo-jeong Lee ,  Mi-ran Moon ,  Kyung Park

发明人： Kyoung-seok Son ,  Jang-yeon Kwon ,  Hyoung-sub Kim ,  Hoo-jeong Lee ,  Mi-ran Moon ,  Kyung Park

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Example embodiments relate to thin-film transistors (TFT) and methods for fabricating the same. A thin-film transistor according to example embodiments may include a gate, a gate insulation layer, a channel layer including a first oxide semiconductor layer and a second oxide semiconductor layer, and a source and drain on opposite sides of the channel layer. The first oxide semiconductor layer may have relatively large crystal grains compared to the second oxide semiconductor layer.

摘要翻译： 示例性实施例涉及薄膜晶体管（TFT）及其制造方法。 根据示例性实施例的薄膜晶体管可以包括栅极，栅极绝缘层，包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层的沟道层，以及在沟道层的相对侧上的源极和漏极。 与第二氧化物半导体层相比，第一氧化物半导体层可以具有相对较大的晶粒。

公开(公告)号：US08158976B2

公开(公告)日：2012-04-17

申请号：US12659153

申请日：2010-02-26

申请人： Kyoung-seok Son ,  Jang-yeon Kwon ,  Hyoung-sub Kim ,  Hoo-jeong Lee ,  Mi-ran Moon ,  Kyung Park

发明人： Kyoung-seok Son ,  Jang-yeon Kwon ,  Hyoung-sub Kim ,  Hoo-jeong Lee ,  Mi-ran Moon ,  Kyung Park

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Example embodiments relate to thin-film transistors (TFT) and methods for fabricating the same. A thin-film transistor according to example embodiments may include a gate, a gate insulation layer, a channel layer including a first oxide semiconductor layer and a second oxide semiconductor layer, and a source and drain on opposite sides of the channel layer. The first oxide semiconductor layer may have relatively large crystal grains compared to the second oxide semiconductor layer.

摘要翻译： 示例性实施例涉及薄膜晶体管（TFT）及其制造方法。 根据示例性实施例的薄膜晶体管可以包括栅极，栅极绝缘层，包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层的沟道层，以及在沟道层的相对侧上的源极和漏极。 与第二氧化物半导体层相比，第一氧化物半导体层可以具有相对较大的晶粒。

公开(公告)号：US08866136B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US12805379

申请日：2010-07-28

申请人： Ji-sim Jung ,  Chang-seung Lee ,  Jae-cheol Lee ,  Sang-yoon Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Kwang-hee Lee ,  Kyoung-seok Son

发明人： Ji-sim Jung ,  Chang-seung Lee ,  Jae-cheol Lee ,  Sang-yoon Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Kwang-hee Lee ,  Kyoung-seok Son

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78606

摘要： Provided are a transistor, a method of manufacturing the transistor, and an electronic device including the transistor. The transistor may include a passivation layer on a channel layer, a source, a drain, and a gate, wherein the component of the passivation layer is varied in a height direction. The passivation layer may have a multi-layer structure including a silicon oxide layer, a silicon oxynitride layer, and a silicon nitride layer sequentially stacked. The channel layer may include an oxide semiconductor.

摘要翻译： 提供晶体管，晶体管的制造方法和包括该晶体管的电子器件。 晶体管可以包括沟道层上的钝化层，源极，漏极和栅极，其中钝化层的成分在高度方向上变化。 钝化层可以具有依次层叠的包括氧化硅层，氮氧化硅层和氮化硅层的多层结构。 沟道层可以包括氧化物半导体。

公开(公告)号：US08378342B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US12659837

申请日：2010-03-23

申请人： Tae-sang Kim ,  Sang-yoon Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyoung-seok Son ,  Ji-sim Jung ,  Kwang-hee Lee

发明人： Tae-sang Kim ,  Sang-yoon Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyoung-seok Son ,  Ji-sim Jung ,  Kwang-hee Lee

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Provided are an oxide semiconductor and an oxide thin film transistor including the oxide semiconductor. The oxide semiconductor may be formed of an indium (In)-zinc (Zn) oxide in which hafnium (Hf) is contained, wherein In, Zn, and Hf are contained in predetermined or given composition ratios.

摘要翻译： 提供了包括氧化物半导体的氧化物半导体和氧化物薄膜晶体管。 氧化物半导体可以由其中含有铪（Hf）的铟（In） - 锌（Zn）氧化物形成，其中以预定或给定的组成比包含In，Zn和Hf。

公开(公告)号：US08760597B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US12805382

申请日：2010-07-28

申请人： Kyoung-seok Son ,  Kwang-hee Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Ji-sim Jung

发明人： Kyoung-seok Son ,  Kwang-hee Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Ji-sim Jung

IPC分类号： G02F1/136

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/13624 ,  G09G3/3659 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/067 ,  G09G2320/043 ,  H01L27/1225

摘要： Example embodiments are directed to a switching device of an active display device and a method of driving the switching device, such that electrical reliability of the active display device is improved. The switching device of the active display device includes a plurality of thin film transistors (TFTs) that are connected in series. Except for a refresh time duration during which the plurality of TFTs of the switching device are simultaneously turned ON, a positive voltage is applied to at least one of the plurality of TFTs of the switching device so that a reliability of the switching device may be improved.

摘要翻译： 示例性实施例涉及有源显示装置的开关装置和驱动开关装置的方法，使得主动显示装置的电可靠性得到改善。 有源显示装置的开关装置包括串联连接的多个薄膜晶体管（TFT）。 除了开关装置的多个TFT同时导通的刷新持续时间之外，对开关装置的多个TFT中的至少一个施加正电压，从而可以提高开关装置的可靠性 。

公开(公告)号：US20110127518A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12805379

申请日：2010-07-28

申请人： Ji-sim Jung ,  Chang-seung Lee ,  Jae-cheol Lee ,  Sang-yoon Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Kwang-hee Lee ,  Kyoung-seok Son

发明人： Ji-sim Jung ,  Chang-seung Lee ,  Jae-cheol Lee ,  Sang-yoon Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Kwang-hee Lee ,  Kyoung-seok Son

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/44 ,  H01L33/44

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78606

摘要： Provided are a transistor, a method of manufacturing the transistor, and an electronic device including the transistor. The transistor may include a passivation layer on a channel layer, a source, a drain, and a gate, wherein the component of the passivation layer is varied in a height direction. The passivation layer may have a multi-layer structure including a silicon oxide layer, a silicon oxynitride layer, and a silicon nitride layer sequentially stacked. The channel layer may include an oxide semiconductor.

摘要翻译： 提供晶体管，晶体管的制造方法和包括该晶体管的电子器件。 晶体管可以包括沟道层上的钝化层，源极，漏极和栅极，其中钝化层的成分在高度方向上变化。 钝化层可以具有依次层叠的包括氧化硅层，氮氧化硅层和氮化硅层的多层结构。 沟道层可以包括氧化物半导体。

公开(公告)号：US20090141203A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US12153657

申请日：2008-05-22

申请人： Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyung-bae Park ,  Ji-sim Jung

发明人： Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyung-bae Park ,  Ji-sim Jung

IPC分类号： G02F1/1343

CPC分类号： G02F1/136213 ,  G02F2203/01

摘要： A display device including an oxide semiconductor thin film transistor is provided. The display device includes at least one thin film transistor, and at least one storage capacitor. The storage capacitor includes a storage electrode formed of a transparent oxide semiconductor, and a pixel electrode over the storage electrode. The pixel electrode may be separated from the storage electrode by a desired distance.

摘要翻译： 提供了包括氧化物半导体薄膜晶体管的显示装置。 显示装置包括至少一个薄膜晶体管和至少一个存储电容器。 存储电容器包括由透明氧化物半导体形成的存储电极和存储电极之上的像素电极。 像素电极可以与存储电极分离所需的距离。

公开(公告)号：US08735229B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US12110744

申请日：2008-04-28

申请人： Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyung-bae Park ,  Ji-sim Jung

发明人： Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyung-bae Park ,  Ji-sim Jung

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A ZnO-based thin film transistor (TFT) is provided herein. Also provided is a method for manufacturing the TFT. The ZnO-based TFT is very sensitive to the oxygen concentration present in a channel layer. In order to prevent damage to a channel layer of a bottom gate TFT, and to avoid a deep negative threshold voltage resulting from damage to the channel layer, the method for manufacturing the ZnO-based TFT comprises formation of an etch stop layer or a passivation layer comprising unstable or incompletely bonded oxygen, and annealing the layers to induce an interfacial reaction between the oxide layer and the channel layer and to reduce the carrier concentration.

摘要翻译： 本文提供了一种ZnO基薄膜晶体管（TFT）。 还提供了一种用于制造TFT的方法。 ZnO基TFT对通道层中存在的氧浓度非常敏感。 为了防止对底栅TFT的沟道层的损坏，并且为了避免由于对沟道层的损坏而产生的深负阈值电压，制造ZnO基TFT的方法包括形成蚀刻停止层或钝化层 层，其包含不稳定或不完全结合的氧，并且退火层以在氧化物层和沟道层之间引起界面反应并降低载流子浓度。

公开(公告)号：US20110170031A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US12805382

申请日：2010-07-28

申请人： Kyoung-seok Son ,  Kwang-hee Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Ji-sim Jung

发明人： Kyoung-seok Son ,  Kwang-hee Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Ji-sim Jung

IPC分类号： G02F1/136

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/13624 ,  G09G3/3659 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/067 ,  G09G2320/043 ,  H01L27/1225

摘要： Example embodiments are directed to a switching device of an active display device and a method of driving the switching device, such that electrical reliability of the active display device is improved. The switching device of the active display device includes a plurality of thin film transistors (TFTs) that are connected in series. Except for a refresh time duration during which the plurality of TFTs of the switching device are simultaneously turned ON, a positive voltage is applied to at least one of the plurality of TFTs of the switching device so that a reliability of the switching device may be improved.

摘要翻译： 示例性实施例涉及有源显示装置的开关装置和驱动开关装置的方法，使得主动显示装置的电可靠性得到改善。 有源显示装置的开关装置包括串联连接的多个薄膜晶体管（TFT）。 除了开关装置的多个TFT同时导通的刷新持续时间之外，对开关装置的多个TFT中的至少一个施加正电压，从而可以提高开关装置的可靠性 。

公开(公告)号：US08102476B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US12153657

申请日：2008-05-22

申请人： Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyung-bae Park ,  Ji-sim Jung

发明人： Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyung-bae Park ,  Ji-sim Jung

IPC分类号： G02F1/1333

CPC分类号： G02F1/136213 ,  G02F2203/01

摘要： A display device including an oxide semiconductor thin film transistor is provided. The display device includes at least one thin film transistor, and at least one storage capacitor. The storage capacitor includes a storage electrode formed of a transparent oxide semiconductor, and a pixel electrode over the storage electrode. The pixel electrode may be separated from the storage electrode by a desired distance.

摘要翻译： 提供了包括氧化物半导体薄膜晶体管的显示装置。 显示装置包括至少一个薄膜晶体管和至少一个存储电容器。 存储电容器包括由透明氧化物半导体形成的存储电极和存储电极之上的像素电极。 像素电极可以与存储电极分离所需的距离。