公开(公告)号：US08378342B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US12659837

申请日：2010-03-23

申请人： Tae-sang Kim ,  Sang-yoon Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyoung-seok Son ,  Ji-sim Jung ,  Kwang-hee Lee

发明人： Tae-sang Kim ,  Sang-yoon Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyoung-seok Son ,  Ji-sim Jung ,  Kwang-hee Lee

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Provided are an oxide semiconductor and an oxide thin film transistor including the oxide semiconductor. The oxide semiconductor may be formed of an indium (In)-zinc (Zn) oxide in which hafnium (Hf) is contained, wherein In, Zn, and Hf are contained in predetermined or given composition ratios.

摘要翻译： 提供了包括氧化物半导体的氧化物半导体和氧化物薄膜晶体管。 氧化物半导体可以由其中含有铪（Hf）的铟（In） - 锌（Zn）氧化物形成，其中以预定或给定的组成比包含In，Zn和Hf。

公开(公告)号：US20100276683A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12659837

申请日：2010-03-23

申请人： Tae-sang Kim ,  Sang-yoon Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyoung-seok Son ,  Ji-sim Jung ,  Kwang-hee Lee

发明人： Tae-sang Kim ,  Sang-yoon Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyoung-seok Son ,  Ji-sim Jung ,  Kwang-hee Lee

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/22

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Provided are an oxide semiconductor and an oxide thin film transistor including the oxide semiconductor. The oxide semiconductor may be formed of an indium (In)-zinc (Zn) oxide in which hafnium (Hf) is contained, wherein In, Zn, and Hf are contained in predetermined or given composition ratios.

摘要翻译： 提供了包括氧化物半导体的氧化物半导体和氧化物薄膜晶体管。 氧化物半导体可以由其中含有铪（Hf）的铟（In） - 锌（Zn）氧化物形成，其中以预定或给定的组成比包含In，Zn和Hf。

公开(公告)号：US08866136B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US12805379

申请日：2010-07-28

申请人： Ji-sim Jung ,  Chang-seung Lee ,  Jae-cheol Lee ,  Sang-yoon Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Kwang-hee Lee ,  Kyoung-seok Son

发明人： Ji-sim Jung ,  Chang-seung Lee ,  Jae-cheol Lee ,  Sang-yoon Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Kwang-hee Lee ,  Kyoung-seok Son

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78606

摘要： Provided are a transistor, a method of manufacturing the transistor, and an electronic device including the transistor. The transistor may include a passivation layer on a channel layer, a source, a drain, and a gate, wherein the component of the passivation layer is varied in a height direction. The passivation layer may have a multi-layer structure including a silicon oxide layer, a silicon oxynitride layer, and a silicon nitride layer sequentially stacked. The channel layer may include an oxide semiconductor.

摘要翻译： 提供晶体管，晶体管的制造方法和包括该晶体管的电子器件。 晶体管可以包括沟道层上的钝化层，源极，漏极和栅极，其中钝化层的成分在高度方向上变化。 钝化层可以具有依次层叠的包括氧化硅层，氮氧化硅层和氮化硅层的多层结构。 沟道层可以包括氧化物半导体。

公开(公告)号：US20110127518A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12805379

申请日：2010-07-28

申请人： Ji-sim Jung ,  Chang-seung Lee ,  Jae-cheol Lee ,  Sang-yoon Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Kwang-hee Lee ,  Kyoung-seok Son

发明人： Ji-sim Jung ,  Chang-seung Lee ,  Jae-cheol Lee ,  Sang-yoon Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Kwang-hee Lee ,  Kyoung-seok Son

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/44 ,  H01L33/44

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78606

摘要： Provided are a transistor, a method of manufacturing the transistor, and an electronic device including the transistor. The transistor may include a passivation layer on a channel layer, a source, a drain, and a gate, wherein the component of the passivation layer is varied in a height direction. The passivation layer may have a multi-layer structure including a silicon oxide layer, a silicon oxynitride layer, and a silicon nitride layer sequentially stacked. The channel layer may include an oxide semiconductor.

摘要翻译： 提供晶体管，晶体管的制造方法和包括该晶体管的电子器件。 晶体管可以包括沟道层上的钝化层，源极，漏极和栅极，其中钝化层的成分在高度方向上变化。 钝化层可以具有依次层叠的包括氧化硅层，氮氧化硅层和氮化硅层的多层结构。 沟道层可以包括氧化物半导体。

公开(公告)号：US20100321279A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：US12591914

申请日：2009-12-04

申请人： Ji-sim Jung ,  Sang-yoon Lee ,  Kwang-hee Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyoung-seok Son

发明人： Ji-sim Jung ,  Sang-yoon Lee ,  Kwang-hee Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyoung-seok Son

IPC分类号： G09G3/30 ,  H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  G09G3/20

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/3272

摘要： Disclosed are a transistor, an electronic device and methods of manufacturing the same, the transistor including a photo relaxation layer between a channel layer and a gate insulating layer in order to suppress characteristic variations of the transistor due to light. The photo relaxation layer may be a layer of a material capable of suppressing variations in a threshold voltage of the transistor due to light. The photo relaxation layer may contain a metal oxide such as aluminum (Al) oxide. The channel layer may contain an oxide semiconductor.

摘要翻译： 公开了晶体管，电子器件及其制造方法，晶体管包括沟道层和栅极绝缘层之间的光弛豫层，以抑制由于光引起的晶体管的特性变化。 光弛豫层可以是能够抑制由于光引起的晶体管的阈值电压的变化的材料层。 光弛豫层可以含有氧化铝（Al）等金属氧化物。 沟道层可以含有氧化物半导体。

公开(公告)号：US20110170031A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US12805382

申请日：2010-07-28

申请人： Kyoung-seok Son ,  Kwang-hee Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Ji-sim Jung

发明人： Kyoung-seok Son ,  Kwang-hee Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Ji-sim Jung

IPC分类号： G02F1/136

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/13624 ,  G09G3/3659 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/067 ,  G09G2320/043 ,  H01L27/1225

摘要： Example embodiments are directed to a switching device of an active display device and a method of driving the switching device, such that electrical reliability of the active display device is improved. The switching device of the active display device includes a plurality of thin film transistors (TFTs) that are connected in series. Except for a refresh time duration during which the plurality of TFTs of the switching device are simultaneously turned ON, a positive voltage is applied to at least one of the plurality of TFTs of the switching device so that a reliability of the switching device may be improved.

摘要翻译： 示例性实施例涉及有源显示装置的开关装置和驱动开关装置的方法，使得主动显示装置的电可靠性得到改善。 有源显示装置的开关装置包括串联连接的多个薄膜晶体管（TFT）。 除了开关装置的多个TFT同时导通的刷新持续时间之外，对开关装置的多个TFT中的至少一个施加正电压，从而可以提高开关装置的可靠性 。

公开(公告)号：US08760597B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US12805382

申请日：2010-07-28

申请人： Kyoung-seok Son ,  Kwang-hee Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Ji-sim Jung

发明人： Kyoung-seok Son ,  Kwang-hee Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Ji-sim Jung

IPC分类号： G02F1/136

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/13624 ,  G09G3/3659 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/067 ,  G09G2320/043 ,  H01L27/1225

摘要： Example embodiments are directed to a switching device of an active display device and a method of driving the switching device, such that electrical reliability of the active display device is improved. The switching device of the active display device includes a plurality of thin film transistors (TFTs) that are connected in series. Except for a refresh time duration during which the plurality of TFTs of the switching device are simultaneously turned ON, a positive voltage is applied to at least one of the plurality of TFTs of the switching device so that a reliability of the switching device may be improved.

摘要翻译： 示例性实施例涉及有源显示装置的开关装置和驱动开关装置的方法，使得主动显示装置的电可靠性得到改善。 有源显示装置的开关装置包括串联连接的多个薄膜晶体管（TFT）。 除了开关装置的多个TFT同时导通的刷新持续时间之外，对开关装置的多个TFT中的至少一个施加正电压，从而可以提高开关装置的可靠性 。

公开(公告)号：US20120025187A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13064428

申请日：2011-03-24

申请人： Kyung-bae Park ,  Hyun-suk Kim ,  Myung-kwan Ryu ,  Sang-yoon Lee ,  Kwang-hee Lee ,  Tae-sang Kim ,  Eok-su Kim ,  Kyoung-seok Son ,  Wan-joo Maeng ,  Joon-seok Park

发明人： Kyung-bae Park ,  Hyun-suk Kim ,  Myung-kwan Ryu ,  Sang-yoon Lee ,  Kwang-hee Lee ,  Tae-sang Kim ,  Eok-su Kim ,  Kyoung-seok Son ,  Wan-joo Maeng ,  Joon-seok Park

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

摘要： Transistors, methods of manufacturing the transistors, and electronic devices including the transistors. The transistor may include an oxide channel layer having a multi-layer structure. The channel layer may include a first layer and a second layer that are sequentially arranged from a gate insulation layer. The first layer may be a conductor, and the second layer may be a semiconductor having a lower electrical conductivity than that of the first layer. The first layer may become a depletion region according to a gate voltage condition.

摘要翻译： 晶体管，制造晶体管的方法以及包括晶体管的电子器件。 晶体管可以包括具有多层结构的氧化物沟道层。 沟道层可以包括从栅极绝缘层顺序排列的第一层和第二层。 第一层可以是导体，第二层可以是具有比第一层低的导电性的半导体。 第一层可以根据栅极电压条件成为耗尽区。

公开(公告)号：US20120168757A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13165301

申请日：2011-06-21

申请人： Kyung-bae Park ,  Myung-kwan Ryu ,  Kwang-hee Lee ,  Tae-sang Kim ,  Eok-su Kim ,  Kyoung-seok Son ,  Hyun-suk Kim ,  Wan-joo Maeng ,  Joon-seok Park

发明人： Kyung-bae Park ,  Myung-kwan Ryu ,  Kwang-hee Lee ,  Tae-sang Kim ,  Eok-su Kim ,  Kyoung-seok Son ,  Hyun-suk Kim ,  Wan-joo Maeng ,  Joon-seok Park

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： A transistor includes a channel layer disposed above a gate and including an oxide semiconductor. A source electrode contacts a first end portion of the channel layer, and a drain electrode contacts a second end portion of the channel layer. The channel layer further includes a fluorine-containing region formed in an upper portion of the channel layer between the source electrode and the drain electrode.

摘要翻译： 晶体管包括设置在栅极上方并包括氧化物半导体的沟道层。 源电极接触沟道层的第一端部，漏极接触沟道层的第二端部。 沟道层还包括形成在源极和漏极之间的沟道层的上部的含氟区。

公开(公告)号：US20100097477A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12589157

申请日：2009-10-19

申请人： Jun-taek Lee ,  Byung-hyun Yim ,  Kwang-hee Lee ,  Ji-hoon Jung

发明人： Jun-taek Lee ,  Byung-hyun Yim ,  Kwang-hee Lee ,  Ji-hoon Jung

IPC分类号： H04N17/00 ,  H04N9/64

CPC分类号： H04N17/002

摘要： A method of detecting defects in an image sensor that may occur from a floating diffusion area of the image sensor, a tester using the method, and a control signal generator using the method include a photo diode generating charges corresponding to an image signal; a transmission transistor having a first terminal connected to a the photodiode and a second terminal connected to a floating diffusion area, thereby transmitting the charges generated in the photo diode to the floating diffusion area in response to a charge transmission control signal; and a reset transistor having a first terminal applied by a reset voltage and a second transistor connected to the floating diffusion area, thereby transmitting the reset voltage to the floating diffusion area in response to a reset control signal. The reset transistor is turned on during at least one sampling zone selected between reset level sampling and signal level sampling that are performed with respect to the image sensor.

摘要翻译： 一种检测图像传感器中的可能从图像传感器的浮动扩散区域发生的缺陷的方法，使用该方法的测试仪和使用该方法的控制信号发生器的方法包括：产生与图像信号相对应的电荷的光电二极管; 传输晶体管，其具有连接到光电二极管的第一端子和连接到浮动扩散区域的第二端子，从而响应于电荷传输控制信号将在光电二极管中产生的电荷传输到浮动扩散区域; 以及复位晶体管，其具有通过复位电压施加的第一端子和连接到浮动扩散区域的第二晶体管，从而响应于复位控制信号将复位电压传输到浮动扩散区域。 复位晶体管在相对于图像传感器执行的复位电平采样和信号电平采样之间所选择的至少一个采样区域中导通。