公开(公告)号：US07635436B2

公开(公告)日：2009-12-22

申请号：US11271079

申请日：2005-11-10

申请人： Kyu-Sang Kim ,  Kwan-Tack Lim

发明人： Kyu-Sang Kim ,  Kwan-Tack Lim

IPC分类号： G02F1/1333

CPC分类号： H01L21/76838 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides an etchant composition containing 60 to 75 wt % of phosphoric acid (H3PO4), 0.5 to 15 wt % of nitric acid (HNO3), 2 to 15 wt % of acetic acid (CH3COOH), and 0.1 to 15 wt % of aluminum nitrate (Al(NO3)3).

摘要翻译： 本发明提供一种含有60〜75重量％的磷酸（H 3 PO 4），0.5〜15重量％的硝酸（HNO 3），2〜15重量％的乙酸（CH 3 COOH）和0.1〜15重量％ 的硝酸铝（Al（NO 3）3）。

公开(公告)号：US20060043332A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：US11208545

申请日：2005-08-23

申请人： Hong-Je Cho ,  Seung-Yong Lee ,  Joon-Woo Lee ,  Jae-Yeon Lee ,  Seung-Hwan Chon ,  Yong-Suk Choi ,  Young-Chul Park ,  Jin-Su Kim ,  Kyu-Sang Kim ,  Dong-Uk Choi ,  Kwan-Tack Lim

发明人： Hong-Je Cho ,  Seung-Yong Lee ,  Joon-Woo Lee ,  Jae-Yeon Lee ,  Seung-Hwan Chon ,  Yong-Suk Choi ,  Young-Chul Park ,  Jin-Su Kim ,  Kyu-Sang Kim ,  Dong-Uk Choi ,  Kwan-Tack Lim

IPC分类号： C09K13/06

CPC分类号： C09K13/06

摘要： An etchant for removing an indium oxide layer includes sulfuric acid as a main oxidizer, an auxiliary oxidizer such as H3PO4, HNO3, CH3COOH, HClO4, H2O2, and a Compound A that is obtained by mixing potassium peroxymonosulfate (2KHSO5), potassium bisulfate (KHSO4), and potassium sulfate (K2SO4) together in the ratio of 5:3:2, an etching inhibitor comprising an ammonium-based material, and water. The etchant may remove desired portions of the indium oxide layer without damage to a photoresist pattern or layers underlying the indium oxide layer.

摘要翻译： 用于除去氧化铟层的蚀刻剂包括硫酸作为主要氧化剂，辅助氧化剂如H 3 PO 4，HNO 3， CH 3 COOH，HClO 4，H 2 O 2，以及通过将钾 过硫酸氢盐（2KHSO 5），硫酸氢钾（KHSO 4）和硫酸钾（K 2 SO 4） 一起以5：3：2的比例，包含铵基材料的蚀刻抑制剂和水。 蚀刻剂可以去除铟氧化物层的期望部分，而不损害光致抗蚀剂图案或氧化铟层下面的层。

公开(公告)号：US07329365B2

公开(公告)日：2008-02-12

申请号：US11208545

申请日：2005-08-23

申请人： Hong-Je Cho ,  Seung-Yong Lee ,  Joon-Woo Lee ,  Jae-Yeon Lee ,  Seung-Hwan Chon ,  Yong-Suk Choi ,  Young-Chul Park ,  Jin-Su Kim ,  Kyu-Sang Kim ,  Dong-Uk Choi ,  Kwan-Tack Lim

发明人： Hong-Je Cho ,  Seung-Yong Lee ,  Joon-Woo Lee ,  Jae-Yeon Lee ,  Seung-Hwan Chon ,  Yong-Suk Choi ,  Young-Chul Park ,  Jin-Su Kim ,  Kyu-Sang Kim ,  Dong-Uk Choi ,  Kwan-Tack Lim

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： C09K13/06

摘要： An etchant for removing an indium oxide layer includes sulfuric acid as a main oxidizer, an auxiliary oxidizer such as H3PO4, HNO3, CH3COOH, HClO4, H2O2, and a Compound A that is obtained by mixing potassium peroxymonosulfate (2KHSO5), potassium bisulfate (KHSO4), and potassium sulfate (K2SO4) together in the ratio of 5:3:2, an etching inhibitor comprising an ammonium-based material, and water. The etchant may remove desired portions of the indium oxide layer without damage to a photoresist pattern or layers underlying the indium oxide layer.

摘要翻译： 用于除去氧化铟层的蚀刻剂包括硫酸作为主要氧化剂，辅助氧化剂如H 3 PO 4，HNO 3， CH 3 COOH，HClO 4，H 2 O 2，以及通过将钾 过硫酸氢盐（2KHSO 5），硫酸氢钾（KHSO 4）和硫酸钾（K 2 SO 4） 一起以5：3：2的比例，包含铵基材料的蚀刻抑制剂和水。 蚀刻剂可以去除铟氧化物层的期望部分，而不损害光致抗蚀剂图案或氧化铟层下面的层。

公开(公告)号：US20060183338A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US11271079

申请日：2005-11-10

申请人： Kyu-Sang Kim ,  Kwan-Tack Lim

发明人： Kyu-Sang Kim ,  Kwan-Tack Lim

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/302 ,  H01L21/00 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/76838 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides an etchant composition containing 60 to 75 wt % of phosphoric acid (H3PO4), 0.5 to 15 wt % of nitric acid (HNO3), 2 to 15 wt % of acetic acid (CH3COOH), and 0.1 to 15 wt % of aluminum nitrate (Al(NO3)3).

摘要翻译： 本发明提供一种含有60〜75重量％的磷酸（H 3 PO 4）的蚀刻剂组合物，0.5〜15重量％的硝酸（HNO 3） 3重量％，2至15重量％的乙酸（CH 3 COOH）和0.1至15重量％的硝酸铝（Al（NO 3 3） 3 ）。