公开(公告)号：US20060234494A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：US11425970

申请日：2006-06-22

申请人： Kyung-In CHOI ,  Sang-Bom KANG ,  Seong-Geon PARK ,  You-Kyoung LEE ,  Gil-Heyun CHOI ,  Jong-Myeong LEE ,  Sang-Woo LEE

发明人： Kyung-In CHOI ,  Sang-Bom KANG ,  Seong-Geon PARK ,  You-Kyoung LEE ,  Gil-Heyun CHOI ,  Jong-Myeong LEE ,  Sang-Woo LEE

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/28556 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877

摘要： In a method for forming a wiring of a semiconductor device using an atomic layer deposition, an insulating interlayer is formed on a substrate. Tantalum amine derivatives represented by a chemical formula Ta(NR1)(NR2R3)3 in which R1, R2 and R3 represent H or C1-C6 alkyl group are introduced onto the insulating interlayer. A portion of the tantalum amine derivatives is chemisorbed on the insulating interlayer. The rest of tantalum amine derivatives non-chemisorbed on the insulating interlayer is removed from the insulating interlayer. A reacting gas is introduced onto the insulating interlayer. A ligand in the tantalum amine derivatives chemisorbed on the insulating interlayer is removed from the tantalum amine derivatives by a chemical reaction between the reacting gas and the ligand to form a solid material including tantalum nitride. The solid material is accumulated on the insulating interlayer through repeating the above processes to form a wiring.

摘要翻译： 在使用原子层沉积形成半导体器件的布线的方法中，在基板上形成绝缘中间层。 由化学式Ta（NR 1）3（NR 2 R 3）3表示的钽胺衍生物，其中 R 1，R 2和R 3代表H或C 1 -C 6 >烷基引入到绝缘中间层上。 一部分钽胺衍生物被化学吸附在绝缘中间层上。 在绝缘中间层上除去非化学吸附在绝缘中间层上的其余的钽胺衍生物。 将反应气体引入到绝缘中间层上。 化学吸附在绝缘中间层上的钽胺衍生物中的配体通过反应气体和配位体之间的化学反应从钽胺衍生物中除去以形成包括氮化钽的固体材料。 通过重复上述处理，将固体材料积聚在绝缘层间，形成布线。

公开(公告)号：US20130200326A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：US13587375

申请日：2012-08-16

申请人： Hyun-Su JU ,  Min-Kyu YANG ,  Eun-Mi KIM ,  Seong-Geon PARK

发明人： Hyun-Su JU ,  Min-Kyu YANG ,  Eun-Mi KIM ,  Seong-Geon PARK

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1253 ,  H01L27/249 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/146

摘要： According to example embodiments, a nonvolatile memory cell includes a first electrode and a second electrode, a resistance change film between the first electrode and the second electrode, and a first barrier film contacting the second electrode. The resist change film contains oxygen ions and contacts the first electrode. The first barrier film is configured to reduce (and/or block) the outflow of the oxygen ions from the resistance change film.

摘要翻译： 根据示例性实施例，非易失性存储单元包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极之间的电阻变化膜以及与第二电极接触的第一阻挡膜。 抗蚀剂改变膜含有氧离子并与第一电极接触。 第一阻挡膜被配置为减少（和/或阻挡）来自电阻变化膜的氧离子的流出。