公开(公告)号：US5282946A

公开(公告)日：1994-02-01

申请号：US903748

申请日：1992-06-25

申请人： Makoto Kinoshita ,  Jun Tamura ,  Masaki Morikawa ,  Kunio Kishida ,  Toshinori Ishii ,  Akifumi Mishima

发明人： Makoto Kinoshita ,  Jun Tamura ,  Masaki Morikawa ,  Kunio Kishida ,  Toshinori Ishii ,  Akifumi Mishima

IPC分类号： C22C5/04 ,  C22C19/07 ,  C23C14/34

CPC分类号： C22C19/07 ,  C22C5/04 ,  C23C14/3414

摘要： A sputtering target of platinum-cobalt alloy is disclosed which contains 10 to 55% by weight of platinum; 1 to 15% by weight of a first additional element selected from the group consisting of nickel and tantalum; no more than 1.5% by weight of a second additional element selected from the group consisting of boron, titanium, lanthanum, cerium, neodymium, beryllium, calcium, zirconium, and silicon; no more than 20% by weight of chromium; and balance cobalt. A method for manufacturing the sputtering target is also disclosed. In the method, a platinum-cobalt alloy containing specific ingredients in predetermined amounts is first prepared. Then, the platinum-cobalt alloy is subjected to hot plastic working with a thickness reduction of no less than 30%. Subsequently, the alloy thus hot worked is subjected to a cold plastic working with a thickness reduction of no less than 5% at a temperature less than the recrystallization temperature of the alloy.

摘要翻译： 公开了一种铂 - 钴合金的溅射靶，其包含10至55重量％的铂; 1至15重量％的选自镍和钽的第一附加元素; 不超过1.5重量％的选自硼，钛，镧，铈，钕，铍，钙，锆和硅的第二附加元素; 不超过20％的铬; 并平衡钴。 还公开了溅射靶的制造方法。 在该方法中，首先制备含有预定量的特定成分的铂 - 钴合金。 然后，铂 - 钴合金经受热塑性加工，其厚度减小不小于30％。 随后，将这样热加工的合金在小于合金的再结晶温度的温度下进行厚度降低不小于5％的冷塑性加工。

公开(公告)号：US4416853A

公开(公告)日：1983-11-22

申请号：US373498

申请日：1982-04-16

申请人： Masaki Morikawa ,  Hideaki Yoshida ,  Kunio Kishida ,  Chuji Tanaka

发明人： Masaki Morikawa ,  Hideaki Yoshida ,  Kunio Kishida ,  Chuji Tanaka

IPC分类号： B23K35/30 ,  C22C9/00

CPC分类号： B23K35/302

摘要： A Cu-Ag alloy brazing filler material with low Ag content that exhibits excellent brazability and has a low vapor pressure is disclosed. The filler material comprises 5 to 35% by weight of Ag, 2.5 to 13% by weight of Si, with the balance being Cu and incidental impurities. The properties of the filler material can be improved further by addition of at least one element selected from the group consisting of Sn, In, Fe, Ni, Co, B and Li.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP81 / 00189 Sec。 371日期：1982年4月16日 102（e）日期1982年4月16日PCT申请日1981年8月25日PCT公布。 第WO82 / 00790号公报 1982年3月18日公开了一种具有优异的钎焊性和低蒸气压的低Ag含量的Cu-Ag合金钎焊料。 填充材料包含5至35重量％的Ag，2.5至13重量％的Si，余量为Cu和附带的杂质。 通过添加选自Sn，In，Fe，Ni，Co，B和Li中的至少一种元素，可以进一步提高填充材料的性能。

公开(公告)号：US4411864A

公开(公告)日：1983-10-25

申请号：US406236

申请日：1982-07-30

申请人： Masaki Morikawa ,  Hideaki Yoshida ,  Kunio Kishida ,  Chuji Tanaka

发明人： Masaki Morikawa ,  Hideaki Yoshida ,  Kunio Kishida ,  Chuji Tanaka

IPC分类号： C22C5/06 ,  B23K35/30 ,  C22C5/08 ,  C22C9/00 ,  C22C30/02

CPC分类号： B23K35/302

摘要： A Cu-Ag alloy brazing material that exhibits excellent cold workability, brazability and has a low vapor pressure is disclosed. The filler material comprises more than 35 to 50% by weight of Ag, 2.2 to 6% by weight of Si, with the balance being Cu and incidental impurities. The properties of the filler material can be improved further by addition of at least one element selected from the group consisting of Sn, In, Fe, Ni, Co, B and Li.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP81 / 00338 Sec。 371日期1982年7月30日 102（e）1982年7月30日PCT PCT 1991年11月18日PCT公布。 出版物WO82 / 02013 日期：1982年6月24日。公开了一种表现出优异的冷加工性，钎焊性和低蒸气压的Cu-Ag合金钎焊材料。 填料含有35〜50重量％的Ag，2.2〜6重量％的Si，余量为Cu和杂质。 通过添加选自Sn，In，Fe，Ni，Co，B和Li中的至少一种元素，可以进一步提高填充材料的性能。

公开(公告)号：US4632806A

公开(公告)日：1986-12-30

申请号：US682374

申请日：1984-12-17

申请人： Masaki Morikawa ,  Hideaki Yoshida ,  Kunio Kishida

发明人： Masaki Morikawa ,  Hideaki Yoshida ,  Kunio Kishida

IPC分类号： C22C9/00 ,  B32B15/01 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  H01L23/50 ,  C22C9/02 ,  C22C9/06

CPC分类号： C22C9/04 ,  B32B15/01 ,  C22C9/05 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S428/929 ,  Y10T428/12903

摘要： A Cu alloy having high resistance to oxidation for use in leads on semiconductor devices is disclosed. The alloy consists essentially of 7-15 wt % Mn, 10-30 wt % Zn, 0.2-10 wt % Ni, 0.1-3 wt % Al, with the balance being Cu and incidental impurities. Also disclosed is a Cu alloy clad material wherein the substrate is made of Cu or Cu alloy having high electrical conductivity and good heat dissipation, and the cladding or partial cladding is composed of the Cu alloy having the composition specified above.

摘要翻译： 公开了一种在半导体器件引线中使用的具有高抗氧化性的Cu合金。 该合金基本上由7-15重量％的Mn，10-30重量％的Zn，0.2-10重量％的Ni，0.1-3重量％的Al组成，余量为Cu和杂质。 还公开了一种Cu合金包覆材料，其中基体由具有高导电性和良好散热性的Cu或Cu合金制成，并且包层或部分包层由具有上述组成的Cu合金构成。

公开(公告)号：US4525434A

公开(公告)日：1985-06-25

申请号：US529593

申请日：1983-09-06

申请人： Masaki Morikawa ,  Hideaki Yoshida ,  Kunio Kishida

发明人： Masaki Morikawa ,  Hideaki Yoshida ,  Kunio Kishida

IPC分类号： C22C9/00 ,  B32B15/01 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  H01L23/50 ,  C23C5/00

CPC分类号： C22C9/04 ,  B32B15/01 ,  C22C9/05 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S428/929 ,  Y10T428/12903

摘要： A Cu alloy having high resistance to oxidation for use in leads on semiconductor devices is disclosed. The alloy consists essentially of 7-15 wt % Mn, 10-30 wt % Zn, 0.2-10 wt % Ni, 0.1-3 wt % Al, with the balance being Cu and incidental impurities. Also disclosed in a Cu alloy clad material wherein the substrate is made of Cu or Cu alloy having high electrical conductivity and good heat dissipation, and the cladding or partial cladding is composed of the Cu alloy having the composition specified above.

摘要翻译： 公开了一种在半导体器件引线中使用的具有高抗氧化性的Cu合金。 该合金基本上由7-15重量％的Mn，10-30重量％的Zn，0.2-10重量％的Ni，0.1-3重量％的Al组成，余量为Cu和杂质。 还公开在Cu合金包覆材料中，其中基底由具有高导电性和良好散热性的Cu或Cu合金制成，并且包层或部分包层由具有上述组成的Cu合金构成。