公开(公告)号：US4416853A

公开(公告)日：1983-11-22

申请号：US373498

申请日：1982-04-16

申请人： Masaki Morikawa ,  Hideaki Yoshida ,  Kunio Kishida ,  Chuji Tanaka

发明人： Masaki Morikawa ,  Hideaki Yoshida ,  Kunio Kishida ,  Chuji Tanaka

IPC分类号： B23K35/30 ,  C22C9/00

CPC分类号： B23K35/302

摘要： A Cu-Ag alloy brazing filler material with low Ag content that exhibits excellent brazability and has a low vapor pressure is disclosed. The filler material comprises 5 to 35% by weight of Ag, 2.5 to 13% by weight of Si, with the balance being Cu and incidental impurities. The properties of the filler material can be improved further by addition of at least one element selected from the group consisting of Sn, In, Fe, Ni, Co, B and Li.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP81 / 00189 Sec。 371日期：1982年4月16日 102（e）日期1982年4月16日PCT申请日1981年8月25日PCT公布。 第WO82 / 00790号公报 1982年3月18日公开了一种具有优异的钎焊性和低蒸气压的低Ag含量的Cu-Ag合金钎焊料。 填充材料包含5至35重量％的Ag，2.5至13重量％的Si，余量为Cu和附带的杂质。 通过添加选自Sn，In，Fe，Ni，Co，B和Li中的至少一种元素，可以进一步提高填充材料的性能。

公开(公告)号：US4411864A

公开(公告)日：1983-10-25

申请号：US406236

申请日：1982-07-30

申请人： Masaki Morikawa ,  Hideaki Yoshida ,  Kunio Kishida ,  Chuji Tanaka

发明人： Masaki Morikawa ,  Hideaki Yoshida ,  Kunio Kishida ,  Chuji Tanaka

IPC分类号： C22C5/06 ,  B23K35/30 ,  C22C5/08 ,  C22C9/00 ,  C22C30/02

CPC分类号： B23K35/302

摘要： A Cu-Ag alloy brazing material that exhibits excellent cold workability, brazability and has a low vapor pressure is disclosed. The filler material comprises more than 35 to 50% by weight of Ag, 2.2 to 6% by weight of Si, with the balance being Cu and incidental impurities. The properties of the filler material can be improved further by addition of at least one element selected from the group consisting of Sn, In, Fe, Ni, Co, B and Li.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP81 / 00338 Sec。 371日期1982年7月30日 102（e）1982年7月30日PCT PCT 1991年11月18日PCT公布。 出版物WO82 / 02013 日期：1982年6月24日。公开了一种表现出优异的冷加工性，钎焊性和低蒸气压的Cu-Ag合金钎焊材料。 填料含有35〜50重量％的Ag，2.2〜6重量％的Si，余量为Cu和杂质。 通过添加选自Sn，In，Fe，Ni，Co，B和Li中的至少一种元素，可以进一步提高填充材料的性能。

公开(公告)号：US4632806A

公开(公告)日：1986-12-30

申请号：US682374

申请日：1984-12-17

申请人： Masaki Morikawa ,  Hideaki Yoshida ,  Kunio Kishida

发明人： Masaki Morikawa ,  Hideaki Yoshida ,  Kunio Kishida

IPC分类号： C22C9/00 ,  B32B15/01 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  H01L23/50 ,  C22C9/02 ,  C22C9/06

CPC分类号： C22C9/04 ,  B32B15/01 ,  C22C9/05 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S428/929 ,  Y10T428/12903

摘要： A Cu alloy having high resistance to oxidation for use in leads on semiconductor devices is disclosed. The alloy consists essentially of 7-15 wt % Mn, 10-30 wt % Zn, 0.2-10 wt % Ni, 0.1-3 wt % Al, with the balance being Cu and incidental impurities. Also disclosed is a Cu alloy clad material wherein the substrate is made of Cu or Cu alloy having high electrical conductivity and good heat dissipation, and the cladding or partial cladding is composed of the Cu alloy having the composition specified above.

摘要翻译： 公开了一种在半导体器件引线中使用的具有高抗氧化性的Cu合金。 该合金基本上由7-15重量％的Mn，10-30重量％的Zn，0.2-10重量％的Ni，0.1-3重量％的Al组成，余量为Cu和杂质。 还公开了一种Cu合金包覆材料，其中基体由具有高导电性和良好散热性的Cu或Cu合金制成，并且包层或部分包层由具有上述组成的Cu合金构成。

公开(公告)号：US4525434A

公开(公告)日：1985-06-25

申请号：US529593

申请日：1983-09-06

申请人： Masaki Morikawa ,  Hideaki Yoshida ,  Kunio Kishida

发明人： Masaki Morikawa ,  Hideaki Yoshida ,  Kunio Kishida

IPC分类号： C22C9/00 ,  B32B15/01 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  H01L23/50 ,  C23C5/00

CPC分类号： C22C9/04 ,  B32B15/01 ,  C22C9/05 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S428/929 ,  Y10T428/12903

摘要： A Cu alloy having high resistance to oxidation for use in leads on semiconductor devices is disclosed. The alloy consists essentially of 7-15 wt % Mn, 10-30 wt % Zn, 0.2-10 wt % Ni, 0.1-3 wt % Al, with the balance being Cu and incidental impurities. Also disclosed in a Cu alloy clad material wherein the substrate is made of Cu or Cu alloy having high electrical conductivity and good heat dissipation, and the cladding or partial cladding is composed of the Cu alloy having the composition specified above.

摘要翻译： 公开了一种在半导体器件引线中使用的具有高抗氧化性的Cu合金。 该合金基本上由7-15重量％的Mn，10-30重量％的Zn，0.2-10重量％的Ni，0.1-3重量％的Al组成，余量为Cu和杂质。 还公开在Cu合金包覆材料中，其中基底由具有高导电性和良好散热性的Cu或Cu合金制成，并且包层或部分包层由具有上述组成的Cu合金构成。

公开(公告)号：US5134029A

公开(公告)日：1992-07-28

申请号：US734130

申请日：1991-07-25

申请人： Yoshiro Kuromitsu ,  Hideaki Yoshida ,  Chuji Tanaka ,  Hiroto Uchida ,  Kenji Morinaga

发明人： Yoshiro Kuromitsu ,  Hideaki Yoshida ,  Chuji Tanaka ,  Hiroto Uchida ,  Kenji Morinaga

IPC分类号： H01L23/15 ,  H05K1/03 ,  H05K1/09 ,  H05K3/38

CPC分类号： H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/092 ,  H05K3/38 ,  Y10T428/265

摘要： For improvement in heat radiation capability without sacrifice of affinity for a paste, a substrate used for fabrication of a thick film circuit has a multi-level structure having a foundation of an aluminum nitride and a surface film provided on the foundation, and the surface film is formed of an oxygen compound containing silicon atoms.

摘要翻译： 为了提高散热能力而不牺牲对浆料的亲和力，用于制造厚膜电路的基板具有多层结构，其具有氮化铝基底和设置在基础上的表面膜，并且表面膜 由含硅原子的氧化合物形成。

公开(公告)号：US4676827A

公开(公告)日：1987-06-30

申请号：US844350

申请日：1986-03-26

申请人： Naoyuki Hosoda ,  Masaki Morikawa ,  Naoki Uchiyama ,  Hideaki Yoshida ,  Toshiaki Ono

发明人： Naoyuki Hosoda ,  Masaki Morikawa ,  Naoki Uchiyama ,  Hideaki Yoshida ,  Toshiaki Ono

IPC分类号： C22C9/00 ,  C30B13/00 ,  H01B1/02 ,  H01L21/48 ,  H01L23/49 ,  C22B9/00

CPC分类号： H01L24/43 ,  C22C9/00 ,  C30B13/00 ,  C30B29/02 ,  H01B1/026 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20752 ,  Y10T428/12431

摘要： The present invention eliminates the problems associated with the use of oxygen-free copper and other high-purity copper materials as bonding wires. At least one rare earth element, or at least one element selected from the group consisting of Mg, Ca, Ti, Zr, Hf, Li, Na, K, Rb and Cs, or the combination of at least one rare earth element and at least one elemented selected from the above-specified group is incorporated in high-purity copper as a refining component in an amount of 0.1-100 ppm on a weight basis, and the high-purity copper is subsequently refined by zone melting. The very fine wire drawn from the so refined high-purity copper has the advantage that it can be employed in high-speed ball bonding of a semiconductor chip with a minimum chance of damaging the bonding pad on the chip by the ball forming at the tip of the wire.

摘要翻译： 本发明消除了与使用无氧铜和其它高纯度铜材料作为接合线相关的问题。 至少一种稀土元素或选自Mg，Ca，Ti，Zr，Hf，Li，Na，K，Rb和Cs中的至少一种元素，或至少一种稀土元素和 从上述规定组中选择的至少一种元素作为精制成分以0.1〜100ppm的重量配合在高纯度铜中，高纯度铜随后通过区域熔融进行精制。 从精细化的高纯度铜制成的极细金属丝具有以下优点：可以将半导体芯片的高速球接合用于通过在尖端处的球形成而损坏芯片上的焊盘的最小机会 的电线。

公开(公告)号：US4717436A

公开(公告)日：1988-01-05

申请号：US36249

申请日：1987-04-09

申请人： Naoyuki Hosoda ,  Masaki Morikawa ,  Naoki Uchiyama ,  Hideaki Yoshida ,  Toshiaki Ono

发明人： Naoyuki Hosoda ,  Masaki Morikawa ,  Naoki Uchiyama ,  Hideaki Yoshida ,  Toshiaki Ono

IPC分类号： C22C9/00 ,  C30B13/00 ,  H01B1/02 ,  H01L21/48 ,  H01L23/49

CPC分类号： H01L24/43 ,  C22C9/00 ,  C30B13/00 ,  C30B29/02 ,  H01B1/026 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20752 ,  Y10T428/12431

摘要： The present invention eliminates the problems associated with the use of oxygen-free copper and other high-purity copper materials as bonding wires. In accordance with one aspect of the present invention, at least one rare earth element, or at least one element selected from the group consisting of Mg, Ca, Ti, Zr, Hf, Li, Na, K, Rb and Cs, or the combination of at least one rare earth element and at least one elemented selected from the above-specified group is incorporated in high-purity copper as a refining component in an amount of 0.1-100 ppm on a weight basis, and the high-purity copper is subsequently refined by zone melting. The very fine wire drawn from the so refined high-purity copper has the advantage that it can be employed in high-speed ball bonding of a semiconductor chip with a minimum chance of damaging the bonding pad on the chip by the ball forming at the tip of the wire.In accordance with another aspect of the present invention, 0.5-3 ppm of a rare earth element and/or Y is further incorporated as an alloying component in the zone-refined high-purity copper.

摘要翻译： 本发明消除了与使用无氧铜和其它高纯度铜材料作为接合线相关的问题。 根据本发明的一个方面，至少一种稀土元素或选自Mg，Ca，Ti，Zr，Hf，Li，Na，K，Rb和Cs中的至少一种元素，或 将至少一种稀土元素和至少一种选自上述特定基团的元素的组合作为精制组分以重量计以0.1-100ppm的量加入到高纯度铜中，并且将高纯度铜 随后通过区域熔化进行精制。 从精细化的高纯度铜制成的极细金属丝具有以下优点：可以将半导体芯片的高速球焊接在最小的可能性上，通过在尖端处的球形成损坏芯片上的焊盘 的电线。 根据本发明的另一方面，在区域精制的高纯度铜中进一步掺入0.5-3ppm的稀土元素和/或Y作为合金成分。

公开(公告)号：US08716451B2

公开(公告)日：2014-05-06

申请号：US11794950

申请日：2006-01-12

申请人： Nobuaki Takahashi ,  Hideaki Yoshida

发明人： Nobuaki Takahashi ,  Hideaki Yoshida

IPC分类号： C07K16/00 ,  C12N15/00

CPC分类号： C07K16/00 ,  C07K16/2878 ,  C07K2317/21 ,  C07K2317/52 ,  C07K2317/56 ,  C07K2317/94

摘要： It is intended to provide highly stable variants of human antibody IgG2 and IgG3 subclasses. The present invention provides an IgG heavy chain comprising the constant region of a human IgG2 heavy chain having at least a substitution of Y for F at the 300th position, L for V at the 309th position, or A for T at the 339th position designated by the EU index of Kabat et al. and an IgG heavy chain comprising the constant region of a human IgG3 heavy chain having at least a substitution of K for N at the 392nd position or V for M at the 397th position designated by the EU index of Kabat et al. The present invention also provides monoclonal antibodies comprising these heavy chains.

摘要翻译： 旨在提供人抗体IgG2和IgG3亚类的高度稳定的变体。 本发明提供一种IgG重链，其包含人IgG2重链的恒定区，其在第300位具有至少取代F的F，在第309位具有至少取代F的L，在第309位具有至少取代F的第三十九位， 欧盟指数Kabat等 和IgG重链，其包含人类IgG3重链的恒定区，在Kabat等人的EU指数指定的第397位具有至少在第392位具有K取代为N或V代表M。 本发明还提供了包含这些重链的单克隆抗体。

公开(公告)号：US20130053547A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13543183

申请日：2012-07-06

申请人： Masayuki KAI ,  Kazuhiro Motoki ,  Shiro Kataoka ,  Hideaki Yoshida ,  Tetsuya Hagiwara

发明人： Masayuki KAI ,  Kazuhiro Motoki ,  Shiro Kataoka ,  Hideaki Yoshida ,  Tetsuya Hagiwara

IPC分类号： C07K16/00

CPC分类号： C07K16/2866 ,  A61K2039/505 ,  C07K14/524 ,  C07K14/715 ,  C07K2317/21 ,  C07K2317/52 ,  C07K2317/56 ,  C07K2317/72 ,  C07K2317/74 ,  Y10S424/801 ,  Y10S424/809

摘要： This invention provides an agonist antibody to a human thrombopoietin receptor (human c-Mpl), and pharmaceutical compositions comprising the same for use in treatment of thrombocytopenia. The disclosed agonist antibody comprises (1) antibody constant regions comprising heavy and light chain constant regions, each of which may optionally contain domain substitutions, or may contain deletions, substitutions, additions, or insertions of amino acid residues, and (2) antibody variable regions capable of binding to and activating a human thrombopoietin receptor. The-agonist antibody further induces colony formation at a concentration of 10,000 ng/ml or lower, and has a maximal activity at least 50% higher than that of PEG-rHuMGDF and an 50% effective concentration (EC50) of 100 nM or less.

摘要翻译： 本发明提供了对人类血小板生成素受体（人c-Mpl）的激动剂抗体，以及包含其用于治疗血小板减少症的药物组合物。 所公开的激动剂抗体包含（1）包含重链和轻链恒定区的抗体恒定区，每个区可任选地含有结构域取代，或可含有氨基酸残基的缺失，替换，添加或插入，和（2）抗体可变 能够结合并激活人血小板生成素受体的区域。 激动剂抗体进一步诱导浓度为10,000ng / ml或更低的集落形成，并且具有比PEG-rHuMGDF高至少50％的最大活性和100nM或更低的50％有效浓度（EC 50）。

公开(公告)号：US20120330169A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：US13538371

申请日：2012-06-29

申请人： Yoshihiko Sano ,  Hideaki Yoshida ,  Minoru Taniguchi

发明人： Yoshihiko Sano ,  Hideaki Yoshida ,  Minoru Taniguchi

IPC分类号： A61B5/022

CPC分类号： A61B5/02233 ,  A61B5/02141

摘要： In a blood pressure information measurement device cuff, a first flexion point and a second flexion point at which a curvature radius changes are provided in a curler, and a straight line-shaped connection portion is provided between the first flexion point and the second flexion point so as to be located inside a curve formed by extending a first curved portion and a second curved portion that are located at the ends of the curler at the first flexion point and the second flexion point, according to the respective curvatures. Through this, it is possible to provide a blood pressure information measurement device cuff, and a blood pressure information measurement device provided with such a cuff, that can reduce error in a blood pressure measurement by reducing errors in changes in the volume of a fluid bladder.

摘要翻译： 在血压信息测量装置袖带中，在卷曲器中设置曲率半径变化的第一屈曲点和第二屈曲点，并且在第一屈曲点和第二屈曲点之间设置直线状连接部 以便位于通过根据各自的曲率在第一弯曲点和第二屈曲点处延伸位于卷曲器的端部处的第一弯曲部分和第二弯曲部分所形成的曲线内部。 通过这种方式，可以提供一种血压信息测量装置袖带和具有这种袖带的血压信息测量装置，其可以通过减少流体囊体积的变化的误差来减少血压测量的误差 。