公开(公告)号：US08445882B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US13114497

申请日：2011-05-24

申请人： Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Ji-hyun Hur

发明人： Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Ji-hyun Hur

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/12 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/146

摘要： Example embodiments, relate to a non-volatile memory element and a memory device including the same. The non-volatile memory element may include a memory layer having a multi-layered structure between two electrodes. The memory layer may include first and second material layers and may show a resistance change characteristic due to movement of ionic species therebetween. The first material layer may be an oxygen-supplying layer. The second material layer may be an oxide layer having a multi-trap level.

摘要翻译： 示例性实施例涉及非易失性存储器元件和包括其的存储器件。 非易失性存储元件可以包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。 存储层可以包括第一和第二材料层，并且可以显示出由于其间的离子物质的移动而导致的电阻变化特性。 第一材料层可以是供氧层。 第二材料层可以是具有多阱水平的氧化物层。

公开(公告)号：US20130043451A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：US13431612

申请日：2012-03-27

申请人： Seung-ryul Lee ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Chang-bum Lee ,  Kyung-min Kim

发明人： Seung-ryul Lee ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Chang-bum Lee ,  Kyung-min Kim

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C2213/12 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

摘要： Nonvolatile memory elements and memory devices including the nonvolatile memory elements. A nonvolatile memory element may include a memory layer between two electrodes, and the memory layer may have a multi-layer structure. The memory layer may include a base layer and an ionic species exchange layer and may have a resistance change characteristic due to movement of ionic species between the base layer and the ionic species exchange layer. The ionic species exchange layer may have a multi-layer structure including at least two layers. The nonvolatile memory element may have a multi-bit memory characteristic due to the ionic species exchange layer having the multi-layer structure. The base layer may be an oxygen supplying layer, and the ionic species exchange layer may be an oxygen exchange layer.

摘要翻译： 包括非易失性存储元件的非易失性存储元件和存储器件。 非易失性存储元件可以包括两个电极之间的存储层，并且存储层可以具有多层结构。 记忆层可以包括基层和离子物种交换层，并且由于离子物质在基层和离子物质交换层之间的移动而具有电阻变化特性。 离子物种交换层可以具有包括至少两层的多层结构。 由于具有多层结构的离子物质交换层，非易失性存储元件可能具有多位存储特性。 基底层可以是供氧层，离子物种交换层可以是氧交换层。

公开(公告)号：US20120032132A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13204138

申请日：2011-08-05

申请人： Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Chang-bum Lee

发明人： Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/12 ,  H01L45/146

摘要： Nonvolatile memory elements may include a first electrode, a second electrode, a first buffer layer, a second buffer layer and a memory layer. The memory layer may be between the first and second electrodes. The first butter layer may be between the memory layer and the first electrode. The second buffer layer may be between the memory layer and the second electrode. The memory layer may be a multi-layer structure including a first material layer and a second material layer. The first material layer may include a first metal oxide which is of the same group as, or a different group from, a second metal oxide included in the second material layer.

摘要翻译： 非易失性存储元件可以包括第一电极，第二电极，第一缓冲层，第二缓冲层和存储层。 存储层可以在第一和第二电极之间。 第一黄油层可以在存储层和第一电极之间。 第二缓冲层可以在存储层和第二电极之间。 存储层可以是包括第一材料层和第二材料层的多层结构。 第一材料层可以包括与包括在第二材料层中的第二金属氧化物相同的基团或与其不同的基团的第一金属氧化物。

公开(公告)号：US08773888B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US13590978

申请日：2012-08-21

申请人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Seong-jun Park ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

发明人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Seong-jun Park ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2213/56

摘要： According to an example embodiment, a method of operating a semiconductor device having a variable resistance device includes: applying a first voltage to the variable resistance device to change a resistance value of the variable resistance device from a first resistance value to a second resistance value that is different from the first resistance value; sensing a first current flowing through the variable resistance device to which the first voltage is applied; determining a second voltage used for changing the variable resistance device from the second resistance value to the first resistance value, based on a dispersion of the sensed first current; and applying the determined second voltage to the variable resistance device.

摘要翻译： 根据示例性实施例，一种操作具有可变电阻器件的半导体器件的方法包括：向可变电阻器件施加第一电压以将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为第二电阻值， 与第一电阻值不同; 感测流过施加有第一电压的可变电阻装置的第一电流; 基于感测到的第一电流的偏差，确定用于将可变电阻器件从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压; 以及将所确定的第二电压施加到所述可变电阻装置。

公开(公告)号：US20120230080A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13307672

申请日：2011-11-30

申请人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Seong-jun Park ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

发明人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Seong-jun Park ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0076

摘要： According to an example embodiment, a method of operating a semiconductor device includes applying a first voltage to the variable resistance device so as to change a resistance value of the variable resistance device from a first resistance value to a second resistance value that is different from the first resistance value, sensing first current flowing through the variable resistance device to which the first voltage is applied, determining a second voltage used to change the resistance value of the variable resistance device from the second resistance value to the first resistance value based on a distribution of the sensed first current, and applying the determined second voltage to the variable resistance device.

摘要翻译： 根据示例性实施例，一种操作半导体器件的方法包括：向可变电阻器件施加第一电压，以便将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为不同于第一电阻值的第二电阻值 第一电阻值，感测流过施加有第一电压的可变电阻装置的第一电流，基于分布确定用于将可变电阻装置的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压 并且将确定的第二电压施加到可变电阻装置。

公开(公告)号：US08772750B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US13115549

申请日：2011-05-25

申请人： Chang-bum Lee ,  Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Seung-ryul Lee

发明人： Chang-bum Lee ,  Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Seung-ryul Lee

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L27/2409 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146

摘要： A non-volatile memory element includes: a memory layer disposed between a first electrode and a second electrode; and a buffer layer disposed between the memory layer and the first electrode. The memory layer includes a first material layer and a second material layer. The first material layer and the second material layer are configured to exchange ionic species to change a resistance state of the memory layer.

摘要翻译： 非易失性存储元件包括：设置在第一电极和第二电极之间的存储层; 以及设置在所述存储层和所述第一电极之间的缓冲层。 存储层包括第一材料层和第二材料层。 第一材料层和第二材料层被配置为交换离子物质以改变存储层的电阻状态。

公开(公告)号：US20120049145A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US13115549

申请日：2011-05-25

申请人： Chang-bum Lee ,  Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Seung-ryul Lee

发明人： Chang-bum Lee ,  Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Seung-ryul Lee

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L27/2409 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146

摘要： A non-volatile memory element includes: a memory layer disposed between a first electrode and a second electrode; and a buffer layer disposed between the memory layer and the first electrode. The memory layer includes a first material layer and a second material layer. The first material layer and the second material layer are configured to exchange ionic species to change a resistance state of the memory layer.

摘要翻译： 非易失性存储元件包括：设置在第一电极和第二电极之间的存储层; 以及设置在所述存储层和所述第一电极之间的缓冲层。 存储层包括第一材料层和第二材料层。 第一材料层和第二材料层被配置为交换离子物质以改变存储层的电阻状态。

公开(公告)号：US20120018695A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US13114497

申请日：2011-05-24

申请人： Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Ji-hyun Hur

发明人： Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee ,  Chang-jung Kim ,  Ji-hyun Hur

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/12 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/146

摘要： Example embodiments, relate to a non-volatile memory element and a memory device including the same. The non-volatile memory element may include a memory layer having a multi-layered structure between two electrodes. The memory layer may include first and second material layers and may show a resistance change characteristic due to movement of ionic species therebetween. The first material layer may be an oxygen-supplying layer. The second material layer may be an oxide layer having a multi-trap level.

摘要翻译： 示例性实施例涉及非易失性存储器元件和包括其的存储器件。 非易失性存储元件可以包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。 存储层可以包括第一和第二材料层，并且可以显示由于它们之间的离子物质的移动而产生的电阻变化特性。 第一材料层可以是供氧层。 第二材料层可以是具有多阱水平的氧化物层。

公开(公告)号：US08861253B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13313720

申请日：2011-12-07

申请人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

发明人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0064 ,  G11C2013/0073

摘要： A method of operating a semiconductor device that includes a variable resistance device, the method including applying a first voltage to the variable resistance device so as to change a resistance value of the variable resistance device from a first resistance value to a second resistance value that is different from the first resistance value; sensing first current flowing through the variable resistance device to which the first voltage is applied; determining whether the first current falls within a predetermined range of current; and if the first current does not fall within the first range of current, applying an additional first voltage that is equal to the first voltage to the variable resistance device.

摘要翻译： 一种操作包括可变电阻器件的半导体器件的方法，所述方法包括向可变电阻器件施加第一电压以便将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为第二电阻值，该第二电阻值是 不同于第一个电阻值; 感测流过施加有第一电压的可变电阻装置的第一电流; 确定第一电流是否落在预定的电流范围内; 并且如果所述第一电流不在所述第一电流范围内，则向所述可变电阻装置施加等于所述第一电压的附加第一电压。

公开(公告)号：US08611131B2

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US13307672

申请日：2011-11-30

申请人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Seong-jun Park ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

发明人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Seong-jun Park ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/36

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0076

摘要： According to an example embodiment, a method of operating a semiconductor device includes applying a first voltage to the variable resistance device so as to change a resistance value of the variable resistance device from a first resistance value to a second resistance value that is different from the first resistance value, sensing first current flowing through the variable resistance device to which the first voltage is applied, determining a second voltage used to change the resistance value of the variable resistance device from the second resistance value to the first resistance value based on a distribution of the sensed first current, and applying the determined second voltage to the variable resistance device.

摘要翻译： 根据示例性实施例，一种操作半导体器件的方法包括：向可变电阻器件施加第一电压，以便将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为不同于第一电阻值的第二电阻值 第一电阻值，感测流过施加有第一电压的可变电阻装置的第一电流，基于分布确定用于将可变电阻装置的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压 并且将确定的第二电压施加到可变电阻装置。