公开(公告)号：US09252191B2

公开(公告)日：2016-02-02

申请号：US13189401

申请日：2011-07-22

申请人： Mark Harold Clark ,  Scott Brad Herner

发明人： Mark Harold Clark ,  Scott Brad Herner

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675

摘要： A method of forming a non-volatile memory device includes providing a substrate having a surface, depositing a dielectric overlying the surface, forming a first wiring structure overlying the dielectric, depositing silicon material overlying the first wiring structure, the silicon layer having a thickness of less than about 100 Angstroms, depositing silicon germanium material at a temperature raging from about 400 to about 490 Degrees Celsius overlying the first wiring structure using the silicon layer as a seed layer, wherein the silicon germanium material is substantially free of voids and has polycrystalline characteristics, depositing resistive switching material (e.g. amorphous silicon material) overlying the silicon germanium material, depositing a conductive material overlying the resistive material, and forming a second wiring structure overlying the conductive material.

摘要翻译： 一种形成非易失性存储器件的方法包括提供具有表面的衬底，沉积覆盖在表面上的电介质，形成覆盖电介质的第一布线结构，沉积覆盖第一布线结构的硅材料，硅层的厚度 小于约100埃，使用硅层作为种子层，以大约400至大约490摄氏度的温度沉积硅锗材料，其中硅锗材料基本上没有空隙并具有多晶特性 沉积覆盖硅锗材料的电阻开关材料（例如非晶硅材料），沉积覆盖电阻材料的导电材料，以及形成覆盖导电材料的第二布线结构。

公开(公告)号：US08450710B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US13118258

申请日：2011-05-27

申请人： Mark Harold Clark

发明人： Mark Harold Clark

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L45/085 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

摘要： A method for forming a non-volatile memory device includes forming a dielectric material overlying a semiconductor substrate, forming a first wiring structure overlying the first dielectric material, depositing an undoped amorphous silicon layer, depositing an aluminum layer over the amorphous silicon layer at a temperature of about 450 Degrees Celsius or lower, annealing the amorphous silicon and aluminum at a temperature of about 450 Degrees Celsius or lower to form a p+ polycrystalline layer, depositing a resistive switching material comprising an amorphous silicon material overlying the polycrystalline silicon material, forming a second wiring structure comprising a metal material overlying the resistive switching material.

摘要翻译： 一种用于形成非易失性存储器件的方法包括形成覆盖在半导体衬底上的介电材料，形成覆盖第一介电材料的第一布线结构，沉积未掺杂的非晶硅层，在非晶硅层上沉积铝层 约450摄氏度或更低的温度，在约450摄氏度或更低的温度下对非晶硅和铝进行退火以形成p +多晶层，沉积包含覆在多晶硅材料上的非晶硅材料的电阻性开关材料，形成第二 布线结构包括覆盖电阻开关材料的金属材料。

公开(公告)号：US08796102B1

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US13598550

申请日：2012-08-29

申请人： Mark Harold Clark

发明人： Mark Harold Clark

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L45/1253 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

摘要： A method of forming a resistive device includes forming a first wiring layer overlying a first dielectric on top of a substrate, forming a junction material, patterning the first wiring layer and junction material to expose a portion of the first dielectric, forming a second dielectric over the patterned first wiring layer, forming an opening in the second dielectric to expose a portion of the junction material, forming a resistive switching material over the portion of the junction material in the opening, the resistive switching material having an intrinsic semiconductor characteristic, forming a conductive material over the resistive switching material, etching the conductive material and the resistive switching material to expose respective sidewalls of the resistive switching material and the conductive material, and the second dielectric, and forming a second wiring layer over the conductive material in contact with the respective sidewalls and the second dielectric.

摘要翻译： 一种形成电阻器件的方法包括：形成覆盖在衬底顶部上的第一电介质的第一布线层，形成接合材料，图案化第一布线层和接合材料以暴露第一电介质的一部分，形成第二电介质 所述图案化的第一布线层在所述第二电介质中形成开口以暴露所述连接材料的一部分，在所述开口中的所述结材料的所述部分上形成电阻性切换材料，所述电阻开关材料具有本征半导体特性， 导电材料，蚀刻导电材料和电阻开关材料以暴露电阻开关材料和导电材料和第二电介质的相应侧壁，并且在与导电材料接触的导电材料上形成第二布线层 各个侧壁和第二电介质。

公开(公告)号：US09070859B1

公开(公告)日：2015-06-30

申请号：US13481600

申请日：2012-05-25

申请人： Mark Harold Clark

发明人： Mark Harold Clark

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L45/00

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675

摘要： A method of forming a non-volatile memory device, includes providing a substrate, forming a first dielectric over the substrate, forming a first wiring structure over the first dielectric, forming a first conductor in contact with the first wiring structure, forming a polycrystalline p+ SiGe material over the first conductor at a deposition temperature ranging from about 350 to about 500 Degrees Celsius, forming a polycrystalline silicon conformally over the SiGe material using the SiGe material as a lattice template at a deposition temperature within about 350 to about 500 Degrees Celsius, the polycrystalline silicon having an intrinsic semiconductor characteristic, forming a second conductor over the polycrystalline silicon in physical and electric contact with the resistive polycrystalline silicon, and forming a second wiring structure over the second conductor.

摘要翻译： 一种形成非易失性存储器件的方法，包括提供衬底，在衬底上形成第一电介质，在第一电介质上形成第一布线结构，形成与第一布线结构接触的第一导体，形成多晶p + SiGe材料在约350至约500摄氏度的沉积温度下在第一导体上方，在SiGe材料中使用SiGe材料作为晶格模板，在约350至约500摄氏度的沉积温度下共形形成多晶硅， 所述多晶硅具有本征半导体特性，在所述多晶硅上形成与所述电阻性多晶硅物理和电接触的第二导体，以及在所述第二导体上形成第二布线结构。

公开(公告)号：US08946667B1

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：US13447036

申请日：2012-04-13

申请人： Mark Harold Clark ,  Steven Maxwell ,  Harry Gee ,  Natividad Vasquez

发明人： Mark Harold Clark ,  Steven Maxwell ,  Harry Gee ,  Natividad Vasquez

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L47/00 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L47/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1616

摘要： A method for forming a resistive switching device. The method includes providing a substrate having a surface region and forming a first dielectric material overlying the surface region of the substrate. A first wiring structure overlies the first dielectric material. The method forms a first electrode material overlying the first wiring structure and a resistive switching material comprising overlying the first electrode material. An active metal material is formed overlying the resistive switching material. The active metal material is configured to form an active metal region in the resistive switching material upon application of a thermal energy characterized by a temperature no less than about 100 Degree Celsius. In a specific embodiment, the method forms a blocking material interposing the active metal material and the resistive switching material to inhibit formation of the active metal region in the resistive switching material during the subsequent processing steps.

摘要翻译： 一种形成电阻式开关装置的方法。 该方法包括提供具有表面区域并形成覆盖在基板的表面区域上的第一介电材料的基板。 第一布线结构覆盖第一电介质材料。 该方法形成覆盖第一布线结构的第一电极材料和包括覆盖第一电极材料的电阻开关材料。 形成覆盖电阻式开关材料的活性金属材料。 活性金属材料被配置为在施加以不低于约100摄氏度的温度为特征的热能时在电阻开关材料中形成活性金属区域。 在具体实施例中，该方法形成插入有源金属材料和电阻开关材料的阻挡材料，以在随后的处理步骤期间阻止电阻开关材料中的活性金属区域的形成。