公开(公告)号：US20100284123A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：US12435971

申请日：2009-05-05

申请人： MarkondeyaRaj Pulugurtha ,  Andreas Fenner ,  Anna Malin ,  Kanika Sethi ,  Himani Sharma ,  Dasharatham Janagama Goud ,  Rao Tummala

发明人： MarkondeyaRaj Pulugurtha ,  Andreas Fenner ,  Anna Malin ,  Kanika Sethi ,  Himani Sharma ,  Dasharatham Janagama Goud ,  Rao Tummala

IPC分类号： H01G2/00 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01L27/0805 ,  B82Y10/00 ,  H01G4/008 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/84 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/0401

摘要： The present invention describes systems and methods for fabricating high-density capacitors. An exemplary embodiment of the present invention provides a method for fabricating a high-density capacitor system including the steps of providing a substrate and depositing a nanoelectrode particulate paste layer onto the substrate. The method for fabricating a high-density capacitor system further includes sintering the nanoelectrode particulate paste layer to form a bottom electrode. Additionally, the method for fabricating a high-density capacitor system includes depositing a dielectric material onto the bottom electrode with an atomic layer deposition process. Furthermore, the method for fabricating a high-density capacitor system includes depositing a conductive material on the dielectric material to form a top electrode.

摘要翻译： 本发明描述了用于制造高密度电容器的系统和方法。 本发明的一个示例性实施例提供了一种用于制造高密度电容器系统的方法，包括以下步骤：提供衬底并将纳米电极颗粒糊层层沉积到衬底上。 制造高密度电容器系统的方法还包括烧结纳米电极颗粒糊层以形成底电极。 此外，用于制造高密度电容器系统的方法包括用原子层沉积工艺将电介质材料沉积到底部电极上。 此外，制造高密度电容器系统的方法包括在电介质材料上沉积导电材料以形成顶部电极。

公开(公告)号：US08084841B2

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：US12435831

申请日：2009-05-05

申请人： MarkondeyaRaj Pulugurtha ,  Andreas Fenner ,  Anna Malin ,  Dasharatham Janagama Goud ,  Rao Tummala

发明人： MarkondeyaRaj Pulugurtha ,  Andreas Fenner ,  Anna Malin ,  Dasharatham Janagama Goud ,  Rao Tummala

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01G4/005

CPC分类号： H01G4/33 ,  B82Y10/00 ,  H01G4/005 ,  H01G4/236 ,  H01G9/15 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5328 ,  H01L23/642 ,  H01L25/0657 ,  H01L28/84 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/0401

摘要： The present invention describes systems and methods for providing high-density capacitors. An exemplary embodiment of the present invention provides a high-density capacitor system comprising a substrate and a porous conductive layer formed on the substrate, wherein the porous conductive layer is formed in accordance with a predetermined pattern. Furthermore, the high-density capacitor system includes a dielectric material formed on the porous conductive layer and a second conductive layer formed on the dielectric material. Additionally, the high-density capacitor system includes a plurality of conductive pads configured in communication with the second conductive layer.

摘要翻译： 本发明描述了用于提供高密度电容器的系统和方法。 本发明的示例性实施例提供了一种高密度电容器系统，其包括基板和形成在基板上的多孔导电层，其中多孔导电层根据预定图案形成。 此外，高密度电容器系统包括形成在多孔导电层上的电介质材料和形成在电介质材料上的第二导电层。 此外，高密度电容器系统包括被配置为与第二导电层连通的多个导电焊盘。