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    Reactor apparatus for semiconductor wafer processing
    1.
    发明授权
    Reactor apparatus for semiconductor wafer processing 失效
    用于半导体晶片处理的反应器装置

    公开(公告)号：US4694779A

    公开(公告)日：1987-09-22

    申请号：US662879

    申请日：1984-10-19

    申请人： Martin L. Hammond ,  Charles L. Ramiller

    发明人： Martin L. Hammond ,  Charles L. Ramiller

    IPC分类号： H01L21/302 ,  C23C16/54 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  C23C13/08

    CPC分类号： C23C16/54

    摘要： A basic cell for a carrier of semiconductor wafers to permit high-volume, cold wall chemical vapor deposition, including plasma-enhanced CVD. The basic cell has two surfaces, each bearing a wafer or wafers facing and tapering toward each other. Process gases are passed from the wider gap to the narrower gap between the surfaces. Basic cells may be arranged to form a circular carrier with process gases flowing inward to the center of the carrier for a high volume CVD reactor. The basic cell may also be used for plasma etching reactors.

    摘要翻译： 用于半导体晶片的载体的基本电池，以允许大容量的冷壁化学气相沉积，包括等离子体增强的CVD。 基本单元具有两个表面，每个表面具有朝向彼此面向和逐渐变细的晶片或晶片。 工艺气体从更宽的间隙传递到表面之间较窄的间隙。 基本单元可以被布置成形成圆形载体，其中工艺气体向内流动到用于大体积CVD反应器的载体的中心。 碱性电池也可用于等离子体蚀刻反应器。

    Inductive plasma reactor
    3.
    发明授权
    Inductive plasma reactor 有权
    感应等离子体反应器

    公开(公告)号：US06551447B1

    公开(公告)日：2003-04-22

    申请号：US09707368

    申请日：2000-11-06

    申请人： Stephen E. Savas ,  Brad S. Mattson ,  Martin L. Hammond ,  Steven C. Selbrede

    发明人： Stephen E. Savas ,  Brad S. Mattson ,  Martin L. Hammond ,  Steven C. Selbrede

    IPC分类号： H01L2100

    CPC分类号： H01J37/32871 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32706 ,  Y10S156/912

    摘要： A plasma reactor and methods for processing semiconductor wafers are described. Gases are introduced into a reactor chamber. An induction coil surrounds the reactor chamber. RF power is applied to the induction coil and is inductively coupled into the reactor chamber causing a plasma to form. A split Faraday shield is interposed between the induction coil and the reactor chamber to substantially block the capacitive coupling of energy into the reactor chamber which may modulate the plasma potential. The configuration of the split Faraday shield may be selected to control the level of modulation of the plasma potential. For etch processes, a separate powered electrode may be used to accelerate ions toward a wafer surface. For isotropic etching processes, charged particles may be filtered from the gas flow, while a neutral activated species passes unimpeded to a wafer surface.

    摘要翻译： 描述了等离子体反应器和半导体晶片的处理方法。 将气体引入反应室。 感应线圈围绕反应室。 RF功率被施加到感应线圈并感应耦合到反应室中，形成等离子体。 在感应线圈和反应室之间插入分裂的法拉第屏蔽，以基本上阻挡能量进入反应室的电容耦合，这可以调制等离子体电位。 可以选择分裂法拉第屏蔽的配置来控制等离子体电位的调制水平。 对于蚀刻工艺，可以使用单独的供电电极来将离子加速朝向晶片表面。 对于各向同性蚀刻工艺，可以从气流中过滤带电粒子，而中性活性物质无阻碍地通过晶片表面。