公开(公告)号：US08118585B2

公开(公告)日：2012-02-21

申请号：US12882944

申请日：2010-09-15

申请人： Masayuki Hatano ,  Suigen Kyoh ,  Tetsuro Nakasugi

发明人： Masayuki Hatano ,  Suigen Kyoh ,  Tetsuro Nakasugi

IPC分类号： A01J21/00

CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F9/00

摘要： In one embodiment, a pattern formation method is disclosed. The method can place a liquid resin material on a workpiece substrate. The method can press a template against the resin material and measuring distance between a lower surface of a projection of the template and an upper surface of the workpiece substrate. The template includes a pattern formation region and a circumferential region around the pattern formation region. A pattern for circuit pattern formation is formed in the pattern formation region and the projection is formed in the circumferential region. The method can form a resin pattern by curing the resin material in a state of pressing the template. In addition, the method can separate the template from the resin pattern.

摘要翻译： 在一个实施例中，公开了图案形成方法。 该方法可以将液态树脂材料放置在工件基板上。 该方法可以将模板压靠树脂材料并测量模板的突起的下表面与工件基板的上表面之间的距离。 模板包括图案形成区域和围绕图案形成区域的周边区域。 在图案形成区域中形成用于电路图案形成的图案，并且在周向区域中形成突起。 该方法可以通过在压制模板的状态下固化树脂材料来形成树脂图案。 此外，该方法可以将模板与树脂图案分离。

公开(公告)号：US20110097827A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：US12882944

申请日：2010-09-15

申请人： Masayuki HATANO ,  Suigen Kyoh ,  Tetsuro Nakasugi

发明人： Masayuki HATANO ,  Suigen Kyoh ,  Tetsuro Nakasugi

IPC分类号： H01L21/66 ,  B29C59/02

CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F9/00

摘要： In one embodiment, a pattern formation method is disclosed. The method can place a liquid resin material on a workpiece substrate. The method can press a template against the resin material and measuring distance between a lower surface of a projection of the template and an upper surface of the workpiece substrate. The template includes a pattern formation region and a circumferential region around the pattern formation region. A pattern for circuit pattern formation is formed in the pattern formation region and the projection is formed in the circumferential region. The method can form a resin pattern by curing the resin material in a state of pressing the template. In addition, the method can separate the template from the resin pattern.

摘要翻译： 在一个实施例中，公开了图案形成方法。 该方法可以将液态树脂材料放置在工件基板上。 该方法可以将模板压靠树脂材料并测量模板的突起的下表面与工件基板的上表面之间的距离。 模板包括图案形成区域和围绕图案形成区域的周边区域。 在图案形成区域中形成用于电路图案形成的图案，并且在周向区域中形成突起。 该方法可以通过在压制模板的状态下固化树脂材料来形成树脂图案。 此外，该方法可以将模板与树脂图案分离。

公开(公告)号：US08883373B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13679396

申请日：2012-11-16

申请人： Akiko Mimotogi ,  Suigen Kyoh ,  Tetsuro Nakasugi

发明人： Akiko Mimotogi ,  Suigen Kyoh ,  Tetsuro Nakasugi

IPC分类号： G03F1/62 ,  G03F1/64

CPC分类号： G03F1/62

摘要： According to one embodiment, a method for manufacturing a photo mask, includes acquiring first data on respective shapes of a plurality of mask substrates, acquiring second data on respective shapes of a plurality of pellicles, and determining a combination of the mask substrate and the pellicle based on the first data and the second data.

摘要翻译： 根据一个实施例，一种制造光掩模的方法包括：获取关于多个掩模基板的各个形状的第一数据，获取关于多个防护薄膜的各自形状的第二数据，以及确定掩模基板和防护薄膜组件的组合 基于第一数据和第二数据。

公开(公告)号：US20130130157A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13679396

申请日：2012-11-16

申请人： Akiko Mimotogi ,  Suigen Kyoh ,  Tetsuro Nakasugi

发明人： Akiko Mimotogi ,  Suigen Kyoh ,  Tetsuro Nakasugi

IPC分类号： G03F1/62

CPC分类号： G03F1/62

摘要： According to one embodiment, a method for manufacturing a photo mask, includes acquiring first data on respective shapes of a plurality of mask substrates, acquiring second data on respective shapes of a plurality of pellicles, and determining a combination of the mask substrate and the pellicle based on the first data and the second data.

摘要翻译： 根据一个实施例，一种制造光掩模的方法包括：获取关于多个掩模基板的各个形状的第一数据，获取关于多个防护薄膜的各自形状的第二数据，以及确定掩模基板和防护薄膜组件的组合 基于第一数据和第二数据。

公开(公告)号：US07797068B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US11878134

申请日：2007-07-20

申请人： Suigen Kyoh

发明人： Suigen Kyoh

IPC分类号： G06F19/00 ,  G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A defect probability calculating method includes assuming a plurality of process conditions containing process variations caused in a process of forming a pattern on a substrate based on a design pattern, acquiring appearance probabilities of the respective process conditions, performing process simulation to predict a pattern to be formed on a substrate based on the design pattern for each of the process conditions, determining whether the pattern predicted by performing the process simulation satisfies preset criteria for each of the process conditions, and acquiring first probability by adding together appearance probabilities of the process conditions used for process simulation of patterns which are determined not to satisfy the preset criteria.

摘要翻译： 缺陷概率计算方法包括：假设在基于设计图案的基板上形成图案的过程中引起的处理变化的多个处理条件，获取各个处理条件的外观概率，执行处理模拟以预测图案 基于每个处理条件的设计图案形成在基板上，确定通过执行处理模拟预测的模式是否满足每个处理条件的预设标准，并且通过将所使用的处理条件的外观概率相加来获取第一概率 用于确定不满足预设标准的图案的过程模拟。

公开(公告)号：US07673258B2

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：US11727963

申请日：2007-03-29

申请人： Suigen Kyoh

发明人： Suigen Kyoh

IPC分类号： G06F17/50 ,  G06F19/00

CPC分类号： G06F17/5081 ,  G06F17/5077

摘要： According to an aspect of the invention, there is provided a design data creating method of creating design data of a semiconductor device including extracting an AND region of an upper layer wiring pattern and a lower layer wiring pattern that sandwich a contact hole layer pattern included in a pattern layer, extracting the contact hole layer pattern included in the AND region, and moving the contact hole layer pattern in such a manner that the center of the AND region coincides with the center of the contact hole layer pattern.

摘要翻译： 根据本发明的一个方面，提供了一种创建半导体器件的设计数据的设计数据创建方法，包括提取上层布线图案的AND区域和夹着包含在其中的接触孔层图案的下层布线图案 提取包括在AND区域中的接触孔层图案，并且以使得AND区域的中心与接触孔层图案的中心一致的方式移动接触孔层图案。

公开(公告)号：US20090306805A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：US12480355

申请日：2009-06-08

申请人： Suigen Kyoh

发明人： Suigen Kyoh

IPC分类号： G06F17/00 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device production control method includes monitoring, after a production process of a semiconductor device, a process result at a predetermined position of a pattern to which the process is applied, to obtain a deviation with respect to a predetermined target result, quantitatively obtaining a degree of influence on an operation of a semiconductor device from the deviation of the process result, and comparing the degree of influence that is quantitatively obtained with a predetermined allowable margin for operation specifications of the semiconductor device.

摘要翻译： 半导体器件制造控制方法包括在半导体器件的制造处理之后，在施加了该工艺的图案的预定位置处监视处理结果，以获得相对于预定目标结果的偏差，定量获得 根据处理结果的偏差对半导体器件的操作产生的影响程度，并将定量获得的影响程度与半导体器件的操作规范的预定允许余量进行比较。

公开(公告)号：US20090199148A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12385454

申请日：2009-04-08

申请人： Suigen Kyoh ,  Toshiya Kotani ,  Soichi Inoue

发明人： Suigen Kyoh ,  Toshiya Kotani ,  Soichi Inoue

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F7/70441

摘要： Disclosed is a method of producing a pattern for a semiconductor device, comprising extracting part of a pattern layout, perturbing a pattern included in the part of the pattern layout to generate a perturbation pattern, correcting the perturbation pattern, predicting a first pattern, to be formed on a wafer, from the corrected perturbation pattern, acquiring a first difference between the perturbation pattern and the first pattern, and storing information concerning the perturbation pattern including information concerning the first difference.

公开(公告)号：US20090037852A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US12180244

申请日：2008-07-25

申请人： Sachiko KOBAYASHI ,  Suigen Kyoh ,  Shimon Maeda

发明人： Sachiko KOBAYASHI ,  Suigen Kyoh ,  Shimon Maeda

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5081

摘要： A pattern data generation method of an aspect of the present invention, the method includes creating at least one modification guide to modify a modification target point contained in pattern data, evaluating the modification guides on the basis of an evaluation item, the evaluation item being a change in the shape of the pattern data for the modification target point caused by the modification based on the modification guides or a change in electric characteristics of a pattern formed in accordance with the pattern data, selecting a predetermined modification guide from among the modification guides on the basis of the evaluation result of the modification guides, and modifying the modification target point in accordance with the selected modification guide.

摘要翻译： 本发明的一个方式的图形数据生成方法，该方法包括创建至少一个修改指南，以修改包含在图案数据中的修改目标点，基于评估项目评估修改指南，评估项目是 基于修改引导引起的修改目标点的图案数据的形状的改变或根据图案数据形成的图案的电特性的变化，从修改引导件中选择预定的修改指南 修改指南的评估结果的基础，以及根据所选择的修改指南修改修改目标点。

公开(公告)号：US08234596B2

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：US12552010

申请日：2009-09-01

申请人： Ryuji Ogawa ,  Masahiro Miyairi ,  Shimon Maeda ,  Suigen Kyoh ,  Satoshi Tanaka

发明人： Ryuji Ogawa ,  Masahiro Miyairi ,  Shimon Maeda ,  Suigen Kyoh ,  Satoshi Tanaka

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A pattern data creating method according to an embodiment of the present invention comprises: extracting marginal error patterns using a first result obtained by applying process simulation to mask pattern data based on an evaluation target cell pattern, applying the process simulation to mask pattern data based on an evaluation target cell pattern with peripheral environment pattern created by arranging a peripheral environment pattern in the marginal error patterns such that a second result obtained by creating mask pattern data and applying the process simulation to the mask pattern data is more deteriorated than the first result, and correcting the evaluation target cell pattern or the mask pattern data based on the evaluation target cell pattern when there is a fatal error.

摘要翻译： 根据本发明的实施例的图形数据创建方法包括：使用通过应用过程模拟获得的第一结果来提取边缘误差模式以基于评估目标单元图案来屏蔽图案数据，将过程模拟应用于基于 通过将周边环境图案布置在边缘误差图案中，使得通过创建掩模图案数据获得的第二结果和对掩模图案数据应用处理模拟而得到的第一结果比第一结果更差，从而产生具有周边环境图案的评估对象单元图案， 以及当存在致命错误时，基于评估对象单元图案来校正评估对象单元格图案或掩模图案数据。