公开(公告)号：US20150056798A1

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：US14506235

申请日：2014-10-03

Applicant: Micron Technology, Inc.

Inventor： Noel Rocklein ,  Durai Ramaswamy ,  Dale W. Collins ,  Swapnil Lengade ,  Srividya Krishnamurthy ,  Mark S. Korber

IPC: H01L45/00 ,  H01B1/08 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L45/1641 ,  H01B1/08 ,  H01L21/283 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

Abstract: Some embodiments include methods of forming memory cells. Metal oxide may be deposited over a first electrode, with the deposited metal oxide having a relatively low degree of crystallinity. The degree of crystallinity within the metal oxide may be increased after the deposition of the metal oxide. A dielectric material may be formed over the metal oxide, and a second electrode may be formed over the dielectric material. The degree of crystallinity may be increased with a thermal treatment. The thermal treatment may be conducted before, during, and/or after formation of the dielectric material.

Abstract translation: 一些实施例包括形成存储器单元的方法。 金属氧化物可以沉积在第一电极上，沉积的金属氧化物具有相对低的结晶度。 在沉积金属氧化物之后，金属氧化物内的结晶度可以增加。 可以在金属氧化物上形成电介质材料，并且可以在电介质材料上形成第二电极。 可以通过热处理来提高结晶度。 热处理可以在形成介电材料之前，期间和/或之后进行。