公开(公告)号：US20090130414A1

公开(公告)日：2009-05-21

申请号：US12255128

申请日：2008-10-21

申请人： Min-Kyung Kim ,  Moo-Sung Kim ,  Xinjian Lei ,  Sang-Hyun Yang ,  Yang-Suk Han

发明人： Min-Kyung Kim ,  Moo-Sung Kim ,  Xinjian Lei ,  Sang-Hyun Yang ,  Yang-Suk Han

IPC分类号： B32B5/00 ,  C23C16/00 ,  B32B9/00

CPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45531 ,  Y10T428/31663

摘要： Methods for the deposition via chemical vapor deposition or atomic layer deposition of metal containing films, such as, for example, metal silicate or metal silicon oxynitride films are described herein. In one embodiment, the method for depositing a metal-containing film comprises the steps of introducing into a reaction chamber, a metal amide precursor, a silicon-containing precursor, and an oxygen source wherein each precursor is introduced after introducing a purge gas.

摘要翻译： 本文描述了通过化学气相沉积或含金属膜的原子层沉积的沉积方法，例如金属硅酸盐或金属氮氧化硅膜。 在一个实施方案中，沉积含金属膜的方法包括以下步骤：向引入吹扫气体的反应室中引入金属酰胺前体，含硅前体和氧源，其中每个前体被引入。

公开(公告)号：US20080318443A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12157631

申请日：2008-06-12

申请人： Min-Kyung Kim ,  Yang-Suk Han ,  Moo-Sung Kim ,  Sang-Hyun Yang ,  Xinjian Lei

发明人： Min-Kyung Kim ,  Yang-Suk Han ,  Moo-Sung Kim ,  Sang-Hyun Yang ,  Xinjian Lei

IPC分类号： H01L21/285 ,  C23C16/34

CPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553

摘要： The present invention relates to a method for forming a metal silicon nitride film according to a cyclic film deposition under plasma atmosphere with a metal amide, a silicon precursor, and a nitrogen source gas as precursors. The deposition method for forming a metal silicon nitride film on a substrate comprises steps of: pulsing a metal amide precursor; purging away the unreacted metal amide; introducing nitrogen source gas into reaction chamber under plasma atmosphere; purging away the unreacted nitrogen source gas; pulsing a silicon precursor; purging away the unreacted silicon precursor; introducing nitrogen source gas into reaction chamber under plasma atmosphere; and purging away the unreacted nitrogen source gas.

摘要翻译： 本发明涉及一种在金属酰胺，硅前体和氮源气体作为前体的等离子体气氛下，根据循环膜沉积形成金属氮化硅膜的方法。 用于在衬底上形成金属氮化硅膜的沉积方法包括以下步骤：脉冲金属酰胺前体; 清除未反应的金属酰胺; 在等离子体气氛下将氮源气体引入反应室; 清除未反应的氮源气体; 脉冲硅前体; 清除未反应的硅前体; 在等离子体气氛下将氮源气体引入反应室; 并清除未反应的氮源气体。