公开(公告)号：US08323877B2

公开(公告)日：2012-12-04

申请号：US12947139

申请日：2010-11-16

申请人： Ming-Da Hsieh ,  Yu-Tsung Lai ,  Jiunn-Hsiung Liao

发明人： Ming-Da Hsieh ,  Yu-Tsung Lai ,  Jiunn-Hsiung Liao

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： H01L21/76811 ,  G03F7/094 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802

摘要： A patterning method and a method for fabricating a dual damascene opening are described, wherein the patterning method includes following steps. An organic layer, a silicon-containing mask layer and a patterned photoresist layer are formed on a material layer in sequence. The silicon-containing mask layer is removed using the patterned photoresist layer as a mask. A reactive gas is used for conducting an etching step so as to remove the organic layer with the silicon-containing mask layer as a mask, wherein the reactive gas contains no oxygen species. The material layer is removed using the organic layer as a mask, so that an opening is formed in the material layer. The organic layer is then removed.

摘要翻译： 描述了用于制造双镶嵌开口的图案化方法和方法，其中图案化方法包括以下步骤。 在材料层上依次形成有机层，含硅掩模层和图案化的光致抗蚀剂层。 使用图案化的光致抗蚀剂层作为掩模去除含硅掩模层。 使用反应性气体进行蚀刻步骤，以便以含硅掩模层作为掩模去除有机层，其中反应气体不含氧物质。 使用有机层作为掩模去除材料层，从而在材料层中形成开口。 然后除去有机层。

公开(公告)号：US20120122035A1

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：US12947139

申请日：2010-11-16

申请人： MING-DA HSIEH ,  Yu-Tsung Lai ,  Jiunn-Hsiung Liao

发明人： MING-DA HSIEH ,  Yu-Tsung Lai ,  Jiunn-Hsiung Liao

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： H01L21/76811 ,  G03F7/094 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802

摘要： A patterning method and a method for fabricating a dual damascene opening are described, wherein the patterning method includes following steps. An organic layer, a silicon-containing mask layer and a patterned photoresist layer are formed on a material layer in sequence. The silicon-containing mask layer is removed using the patterned photoresist layer as a mask. A reactive gas is used for conducting an etching step so as to remove the organic layer with the silicon-containing mask layer as a mask, wherein the reactive gas contains no oxygen species. The material layer is removed using the organic layer as a mask, so that an opening is formed in the material layer. The organic layer is then removed.

摘要翻译： 描述了用于制造双镶嵌开口的图案化方法和方法，其中图案化方法包括以下步骤。 在材料层上依次形成有机层，含硅掩模层和图案化的光致抗蚀剂层。 使用图案化的光致抗蚀剂层作为掩模去除含硅掩模层。 使用反应性气体进行蚀刻步骤，以便以含硅掩模层作为掩模去除有机层，其中反应气体不含氧物质。 使用有机层作为掩模去除材料层，从而在材料层中形成开口。 然后除去有机层。

公开(公告)号：US20100105205A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12259033

申请日：2008-10-27

申请人： Chang-Hsiao Lee ,  Shih-Fang Tzou ,  Ming-Da Hsieh ,  Yu-Tsung Lai ,  Jyh-Cherng Yau ,  Jiunn-Hsiung Liao

发明人： Chang-Hsiao Lee ,  Shih-Fang Tzou ,  Ming-Da Hsieh ,  Yu-Tsung Lai ,  Jyh-Cherng Yau ,  Jiunn-Hsiung Liao

IPC分类号： H01L21/44 ,  C11D3/28

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/08 ,  C11D7/3281 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76814

摘要： A semiconductor process is provided. First, a metal layer, a dielectric layer and a patterned hard mask layer are sequentially formed on a substrate. Thereafter, a portion of the dielectric layer is removed to form an opening exposing the metal layer. Afterwards, a cleaning solution is used to clean the opening. The cleaning solution includes a triazole compound with a content of 0.00275 to 3 wt %, sulfuric acid with a content of 1 to 10 wt %, hydrofluoric acid with a content of 1 to 200 ppm and water.

摘要翻译： 提供半导体工艺。 首先，在基板上依次形成金属层，电介质层和图案化的硬掩模层。 此后，去除介电层的一部分以形成露出金属层的开口。 之后，使用清洁溶液清洁开口。 清洗液含有含量为0.00275〜3重量％的三唑化合物，含量为1〜10重量％的硫酸，含量为1〜200ppm的氢氟酸和水。

公开(公告)号：US08137472B2

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：US13161659

申请日：2011-06-16

申请人： Chang-Hsiao Lee ,  Shih-Fang Tzou ,  Ming-Da Hsieh ,  Yu-Tsung Lai ,  Jyh-Cherng Yau ,  Jiunn-Hsiung Liao

发明人： Chang-Hsiao Lee ,  Shih-Fang Tzou ,  Ming-Da Hsieh ,  Yu-Tsung Lai ,  Jyh-Cherng Yau ,  Jiunn-Hsiung Liao

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/08 ,  C11D7/3281 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76814

摘要： A semiconductor process is provided. First, a metal layer, a dielectric layer and a patterned hard mask layer are sequentially formed on a substrate. Thereafter, a portion of the dielectric layer is removed to form an opening exposing the metal layer. Afterwards, a cleaning solution is used to clean the opening. The cleaning solution includes a triazole compound with a content of 0.00275 to 3 wt %, sulfuric acid with a content of 1 to 10 wt %, hydrofluoric acid with a content of 1 to 200 ppm and water. The semiconductor process can reduce the possibility of having an incomplete turning on, a leakage or a short, so that the yield of the product is increased.

摘要翻译： 提供半导体工艺。 首先，在基板上依次形成金属层，电介质层和图案化的硬掩模层。 此后，去除介电层的一部分以形成露出金属层的开口。 之后，使用清洁溶液清洁开口。 清洗液含有含量为0.00275〜3重量％的三唑化合物，含量为1〜10重量％的硫酸，含量为1〜200ppm的氢氟酸和水。 半导体工艺可以降低不完全打开，泄漏或短路的可能性，从而提高产品的产量。

公开(公告)号：US20110244678A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US13161659

申请日：2011-06-16

申请人： Chang-Hsiao LEE ,  Shih-Fang Tzou ,  Ming-Da Hsieh ,  Yu-Tsung Lai ,  Jyh-Cherng Yau ,  Jiunn-Hsiung Liao

发明人： Chang-Hsiao LEE ,  Shih-Fang Tzou ,  Ming-Da Hsieh ,  Yu-Tsung Lai ,  Jyh-Cherng Yau ,  Jiunn-Hsiung Liao

IPC分类号： H01L21/283

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/08 ,  C11D7/3281 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76814

摘要： A semiconductor process is provided. First, a metal layer, a dielectric layer and a patterned hard mask layer are sequentially formed on a substrate. Thereafter, a portion of the dielectric layer is removed to form an opening exposing the metal layer. Afterwards, a cleaning solution is used to clean the opening. The cleaning solution includes a triazole compound with a content of 0.00275 to 3 wt %, sulfuric acid with a content of 1 to 10 wt %, hydrofluoric acid with a content of 1 to 200 ppm and water. The semiconductor process can reduce the possibility of having an incomplete turning on, a leakage or a short, so that the yield of the product is increased.

摘要翻译： 提供半导体工艺。 首先，在基板上依次形成金属层，电介质层和图案化的硬掩模层。 此后，去除介电层的一部分以形成露出金属层的开口。 之后，使用清洁溶液清洁开口。 清洗液含有含量为0.00275〜3重量％的三唑化合物，含量为1〜10重量％的硫酸，含量为1〜200ppm的氢氟酸和水。 半导体工艺可以降低不完全打开，泄漏或短路的可能性，从而提高产品的产量。

公开(公告)号：US20110130008A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12629031

申请日：2009-12-01

申请人： Ming-Da Hsieh ,  Yu-Tsung Lai ,  Jyh-Cherng Yau ,  Jiunn-Hsiung Liao

发明人： Ming-Da Hsieh ,  Yu-Tsung Lai ,  Jyh-Cherng Yau ,  Jiunn-Hsiung Liao

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/0332 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0274

摘要： A method to control a critical dimension is disclosed. First, a material layer and a composite patterned layer covering the material layer are provided. The composite patterned layer has a pattern defining a first critical dimension. Later, an etching gas is used to perform an etching step to etch the composite patterned layer and a pattern-transferring step is carried out so that thereby the underlying material layer has a transferred pattern with a second critical dimension which is substantially smaller than the first critical dimension.

摘要翻译： 公开了一种控制临界尺寸的方法。 首先，提供覆盖材料层的材料层和复合图案层。 复合图案层具有限定第一临界尺寸的图案。 之后，使用蚀刻气体来进行蚀刻步骤以蚀刻复合图案化层，并执行图案转印步骤，使得下面的材料层具有转移图案，其具有基本上小于第一临界尺寸的第二临界尺寸 关键维度。

公开(公告)号：US20120289043A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13105987

申请日：2011-05-12

申请人： Ming-Da HSIEH ,  Yu-Tsung Lai ,  Jiunn-Hsiung Liao

发明人： Ming-Da HSIEH ,  Yu-Tsung Lai ,  Jiunn-Hsiung Liao

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76811

摘要： A method for fabricating a damascene trench structure, wherein the method comprises steps as follows: A semiconductor structure having an inner layer dielectric (ILD) and a patterned hard mask stacked in sequence is firstly provided, in which a trench extends from the patterned hard mask downwards into the ILD. Subsequently, the patterned hard mask is etched in an atmosphere essentially consisting of nitrogen (N2) and carbon-fluoride compositions (CxFy).

摘要翻译： 一种用于制造镶嵌沟槽结构的方法，其中该方法包括以下步骤：首先提供具有内层电介质（ILD）和依次层叠的图案化硬掩模的半导体结构，其中沟槽从图案化的硬掩模 向下进入ILD。 随后，将图案化的硬掩模在基本上由氮（N 2）和氟化碳组合物（C x F y）组成的气氛中进行蚀刻。

公开(公告)号：US08592304B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US12757017

申请日：2010-04-08

申请人： Chang-Hsiao Lee ,  Yu-Tsung Lai ,  Jiunn-Hsiung Liao

发明人： Chang-Hsiao Lee ,  Yu-Tsung Lai ,  Jiunn-Hsiung Liao

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/76804 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76814

摘要： A method for filling a metal is disclosed. First, a substrate is provided. The substrate includes a metal material layer, a dielectric layer covering the metal material layer and a hard mask layer covering the dielectric layer. The hard mask layer has at least one opening to expose the underlying dielectric layer. Second, a dry etching step is performed to etch the dielectric layer through the opening to remove part of the dielectric layer to expose the metal material layer and to form a recess and leave some residues in the recess. Then a cleaning step is performed to remove the residues and to selectively remove part of the hard mask to substantially enlarge the opening. Later, a metal fills the recess through the enlarged opening.

摘要翻译： 公开了一种填充金属的方法。 首先，提供基板。 基板包括金属材料层，覆盖金属材料层的电介质层和覆盖电介质层的硬掩模层。 硬掩模层具有至少一个开口以暴露下面的介电层。 第二，进行干蚀刻步骤以通过开口蚀刻介电层以去除介电层的一部分以暴露金属材料层并形成凹槽并在凹部中留下一些残留物。 然后执行清洁步骤以去除残留物并选择性地去除硬掩模的一部分以基本上扩大开口。 之后，金属通过扩大的开口填充凹槽。

公开(公告)号：US08298935B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US12952179

申请日：2010-11-22

申请人： Shin-Chi Chen ,  Yu-Tsung Lai ,  Jiunn-Hsiung Liao ,  Guang-Yaw Hwang

发明人： Shin-Chi Chen ,  Yu-Tsung Lai ,  Jiunn-Hsiung Liao ,  Guang-Yaw Hwang

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/7681 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811

摘要： A dual damascene process is disclosed. The process includes the steps of: forming a dielectric layer on a substrate; forming a first patterned mask on the dielectric layer, wherein the first patterned mask comprises an opening; forming a material layer on the dielectric layer and covering the first patterned mask; forming a second patterned mask on the dielectric layer, wherein the second patterned mask comprises a first aperture; forming a second aperture in the second patterned mask, wherein the second aperture and the first aperture comprise a gap therebetween; and utilizing the second patterned mask as etching mask for partially removing the material layer and the dielectric layer through the first aperture and the second aperture.

摘要翻译： 公开了一种双镶嵌工艺。 该方法包括以下步骤：在基底上形成电介质层; 在所述电介质层上形成第一图案化掩模，其中所述第一图案化掩模包括开口; 在所述电介质层上形成材料层并覆盖所述第一图案化掩模; 在所述电介质层上形成第二图案化掩模，其中所述第二图案化掩模包括第一孔; 在所述第二图案化掩模中形成第二孔，其中所述第二孔和所述第一孔包括它们之间的间隙; 并且利用第二图案化掩模作为蚀刻掩模，用于通过第一孔和第二孔部分去除材料层和介电层。

公开(公告)号：US20090142931A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US11946875

申请日：2007-11-29

申请人： Chieh-Ju Wang ,  Jyh-Cherng Yau ,  Yu-Tsung Lai ,  Jiunn-Hsiung Liao

发明人： Chieh-Ju Wang ,  Jyh-Cherng Yau ,  Yu-Tsung Lai ,  Jiunn-Hsiung Liao

IPC分类号： H01L21/461 ,  C23F1/12

CPC分类号： H01L21/02063 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76814

摘要： A cleaning method following an opening etching is provided. First, a semiconductor substrate having a dielectric layer is provided. The hard mask layer includes at least a metal layer. The opening etch is then carried out to form at least an opening in the dielectric layer. A nitrogen (N2) treatment process is performed to clean polymer residues having carbon-fluorine (C—F) bonds remained in the opening. Finally, a wet cleaning process is performed.

摘要翻译： 提供了开口蚀刻后的清洁方法。 首先，提供具有电介质层的半导体基板。 硬掩模层至少包括金属层。 然后进行开口蚀刻以形成电介质层中的至少一个开口。 进行氮（N2）处理工艺以清洁残留在开口中的具有碳 - 氟（C-F）键的聚合物残基。 最后，进行湿式清洗处理。