公开(公告)号：US07553687B2

公开(公告)日：2009-06-30

申请号：US11477723

申请日：2006-06-28

申请人： Miriam Reshotko ,  Been-Yih Jin

发明人： Miriam Reshotko ,  Been-Yih Jin

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/09 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1808 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Dual seed semiconductor photodetectors and methods to fabricate thereof are described. A dual seed semiconductor photodetector is formed directly on an insulating layer on a substrate. The dual seed semiconductor photodetector includes an optical layer formed on a dual seed semiconductor layer. The dual seed semiconductor layer includes a seed layer and a buffer layer. The seed layer of a first material is formed on an insulating layer over a substrate. The buffer layer is formed on the seed layer. Next, an optical layer of a second material is formed on the buffer layer. The buffer layer includes the first material and the second material. In one embodiment, the first material is silicon. In one embodiment, the second material is germanium.

摘要翻译： 描述了双种子半导体光电探测器及其制造方法。 双种子半导体光电检测器直接形成在基板上的绝缘层上。 双种子半导体光电检测器包括形成在双种子半导体层上的光学层。 双种子半导体层包括种子层和缓冲层。 第一材料的种子层在衬底上的绝缘层上形成。 缓冲层形成在种子层上。 接着，在缓冲层上形成第二材料的光学层。 缓冲层包括第一材料和第二材料。 在一个实施例中，第一材料是硅。 在一个实施例中，第二材料是锗。

公开(公告)号：US20080014669A1

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：US11477723

申请日：2006-06-28

申请人： Miriam Reshotko ,  Been-Yih Jin

发明人： Miriam Reshotko ,  Been-Yih Jin

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L31/0232

CPC分类号： H01L31/09 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1808 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Dual seed semiconductor photodetectors and methods to fabricate thereof are described. A dual seed semiconductor photodetector is formed directly on an insulating layer on a substrate. The dual seed semiconductor photodetector includes an optical layer formed on a dual seed semiconductor layer. The dual seed semiconductor layer includes a seed layer and a buffer layer. The seed layer of a first material is formed on an insulating layer over a substrate. The buffer layer is formed on the seed layer. Next, an optical layer of a second material is formed on the buffer layer. The buffer layer includes the first material and the second material. In one embodiment, the first material is silicon. In one embodiment, the second material is germanium.

摘要翻译： 描述了双种子半导体光电探测器及其制造方法。 双种子半导体光电检测器直接形成在基板上的绝缘层上。 双种子半导体光电检测器包括形成在双种子半导体层上的光学层。 双种子半导体层包括种子层和缓冲层。 第一材料的种子层在衬底上的绝缘层上形成。 缓冲层形成在种子层上。 接着，在缓冲层上形成第二材料的光学层。 缓冲层包括第一材料和第二材料。 在一个实施例中，第一材料是硅。 在一个实施例中，第二材料是锗。

公开(公告)号：US07948010B2

公开(公告)日：2011-05-24

申请号：US12484936

申请日：2009-06-15

申请人： Miriam Reshotko ,  Been-Yih Jin

发明人： Miriam Reshotko ,  Been-Yih Jin

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L31/09 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1808 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Dual seed semiconductor photodetectors and methods to fabricate thereof are described. A dual seed semiconductor photodetector is formed directly on an insulating layer on a substrate. The dual seed semiconductor photodetector includes an optical layer formed on a dual seed semiconductor layer. The dual seed semiconductor layer includes a seed layer and a buffer layer. The seed layer of a first material is formed on an insulating layer over a substrate. The buffer layer is formed on the seed layer. Next, an optical layer of a second material is formed on the buffer layer. The buffer layer includes the first material and the second material. In one embodiment, the first material is silicon. In one embodiment, the second material is germanium.

摘要翻译： 描述了双种子半导体光电探测器及其制造方法。 双种子半导体光电检测器直接形成在基板上的绝缘层上。 双种子半导体光电检测器包括形成在双种子半导体层上的光学层。 双种子半导体层包括种子层和缓冲层。 第一材料的种子层在衬底上的绝缘层上形成。 缓冲层形成在种子层上。 接着，在缓冲层上形成第二材料的光学层。 缓冲层包括第一材料和第二材料。 在一个实施例中，第一材料是硅。 在一个实施例中，第二材料是锗。

公开(公告)号：US20090243023A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12484936

申请日：2009-06-15

申请人： Miriam Reshotko ,  Been-Yih Jin

发明人： Miriam Reshotko ,  Been-Yih Jin

IPC分类号： H01L31/105

CPC分类号： H01L31/09 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1808 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Dual seed semiconductor photodetectors and methods to fabricate thereof are described. A dual seed semiconductor photodetector is formed directly on an insulating layer on a substrate. The dual seed semiconductor photodetector includes an optical layer formed on a dual seed semiconductor layer. The dual seed semiconductor layer includes a seed layer and a buffer layer. The seed layer of a first material is formed on an insulating layer over a substrate. The buffer layer is formed on the seed layer. Next, an optical layer of a second material is formed on the buffer layer. The buffer layer includes the first material and the second material. In one embodiment, the first material is silicon. In one embodiment, the second material is germanium.

摘要翻译： 描述了双种子半导体光电探测器及其制造方法。 双种子半导体光电检测器直接形成在基板上的绝缘层上。 双种子半导体光电检测器包括形成在双种子半导体层上的光学层。 双种子半导体层包括种子层和缓冲层。 第一材料的种子层在衬底上的绝缘层上形成。 缓冲层形成在种子层上。 接着，在缓冲层上形成第二材料的光学层。 缓冲层包括第一材料和第二材料。 在一个实施例中，第一材料是硅。 在一个实施例中，第二材料是锗。

公开(公告)号：US20050202312A1

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：US11122685

申请日：2005-05-04

申请人： Miriam Reshotko ,  Shaofeng Yu ,  Bruce Block

发明人： Miriam Reshotko ,  Shaofeng Yu ,  Bruce Block

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L29/72 ,  H01L31/0224 ,  H01M4/36 ,  H01M4/48

CPC分类号： H01L31/03529 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/1085 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A photosensitive device for enabling high speed detection of electromagnetic radiation. The device includes recessed electrodes for providing a generally homogeneous electric field in an active region. Carriers generated in the active region are detected using the recessed electrodes.

公开(公告)号：US20070235877A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：US11394818

申请日：2006-03-31

申请人： Miriam Reshotko ,  Bruce Block ,  David Kencke

发明人： Miriam Reshotko ,  Bruce Block ,  David Kencke

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L27/14647 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14665 ,  H01L27/14683

摘要： A semiconductor device is described with a photodetector embedded within and a method of manufacturing the same. The photodetector may be formed above the conductive layers within the device and may detect transmitted light from the top side of the device. The process of manufacturing the device may include a damascene or a subtractive etch process.

摘要翻译： 利用嵌入其中的光电检测器描述半导体器件及其制造方法。 光电检测器可以形成在器件内的导电层之上，并且可以检测来自器件顶侧的透射光。 制造器件的过程可以包括镶嵌或减去蚀刻工艺。

公开(公告)号：US20070235824A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：US11394817

申请日：2006-03-31

申请人： Titash Rakshit ,  Miriam Reshotko

发明人： Titash Rakshit ,  Miriam Reshotko

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L27/14

CPC分类号： H01L31/1085 ,  H01L31/022408

摘要： Metal-Semiconductor-Metal (“MSM”) photodetectors and methods to fabricate thereof are described. The MSM photodetector includes a thin heavily doped (“delta doped”) layer deposited at an interface between metal contacts and a semiconductor layer to reduce a dark current of the MSM photodetector. In one embodiment, the semiconductor layer is an intrinsic semiconductor layer. In one embodiment, the thickness of the delta doped layer is less than 100 nanometers. In one embodiment, the delta doped layer has a dopant concentration of at least 1×1018 cm−3. A delta doped layer is formed on portions of a semiconductor layer over a substrate. Metal contacts are formed on the delta doped layer. A buffer layer may be formed between the substrate and the semiconductor layer. In one embodiment, the substrate includes silicon, and the semiconductor layer includes germanium.

摘要翻译： 描述了金属 - 半导体 - 金属（“MSM”）光电探测器及其制造方法。 MSM光电检测器包括沉积在金属触点和半导体层之间的界面处的薄重掺杂（“δ掺杂”）层，以减少MSM光电探测器的暗电流。 在一个实施例中，半导体层是本征半导体层。 在一个实施例中，Δ掺杂层的厚度小于100纳米。 在一个实施例中，δ掺杂层具有至少1×10 18 cm -3的掺杂剂浓度。 在衬底上的半导体层的部分上形成δ掺杂层。 在δ掺杂层上形成金属接触。 可以在衬底和半导体层之间形成缓冲层。 在一个实施例中，衬底包括硅，并且半导体层包括锗。

公开(公告)号：US20060263924A1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：US11497458

申请日：2006-07-31

申请人： Miriam Reshotko ,  Shaofeng Yu ,  Bruce Block

发明人： Miriam Reshotko ,  Shaofeng Yu ,  Bruce Block

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/03529 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/1085 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A photosensitive device for enabling high speed detection of electromagnetic radiation. The device includes recessed electrodes for providing a generally homogeneous electric field in an active region. Carriers generated in the active region are detected using the recessed electrodes.

公开(公告)号：US07700975B2

公开(公告)日：2010-04-20

申请号：US11394817

申请日：2006-03-31

申请人： Titash Rakshit ,  Miriam Reshotko

发明人： Titash Rakshit ,  Miriam Reshotko

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L29/80 ,  H01L31/112 ,  H01L31/00 ,  H01L27/095 ,  H01L29/47 ,  H01L29/812 ,  H01L31/07

CPC分类号： H01L31/1085 ,  H01L31/022408

摘要： Metal-Semiconductor-Metal (“MSM”) photodetectors and methods to fabricate thereof are described. The MSM photodetector includes a thin heavily doped (“delta doped”) layer deposited at an interface between metal contacts and a semiconductor layer to reduce a dark current of the MSM photodetector. In one embodiment, the semiconductor layer is an intrinsic semiconductor layer. In one embodiment, the thickness of the delta doped layer is less than 100 nanometers. In one embodiment, the delta doped layer has a dopant concentration of at least 1×1018 cm−3. A delta doped layer is formed on portions of a semiconductor layer over a substrate. Metal contacts are formed on the delta doped layer. A buffer layer may be formed between the substrate and the semiconductor layer. In one embodiment, the substrate includes silicon, and the semiconductor layer includes germanium.

摘要翻译： 描述了金属 - 半导体 - 金属（“MSM”）光电探测器及其制造方法。 MSM光电检测器包括沉积在金属触点和半导体层之间的界面处的薄重掺杂（“δ掺杂”）层，以减少MSM光电探测器的暗电流。 在一个实施例中，半导体层是本征半导体层。 在一个实施例中，Δ掺杂层的厚度小于100纳米。 在一个实施例中，δ掺杂层具有至少1×10 18 cm -3的掺杂剂浓度。 在衬底上的半导体层的部分上形成δ掺杂层。 在δ掺杂层上形成金属接触。 可以在衬底和半导体层之间形成缓冲层。 在一个实施例中，衬底包括硅，并且半导体层包括锗。

公开(公告)号：US20080001181A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：US11477722

申请日：2006-06-28

申请人： Titash Rakshit ,  Miriam Reshotko

发明人： Titash Rakshit ,  Miriam Reshotko

IPC分类号： H01L27/148

CPC分类号： H01L31/1085 ,  H01L31/18

摘要： Metal-Semiconductor-Metal (“MSM”) photodetectors and methods to fabricate thereof are described. The MSM photodetector includes a thin heavily doped (“delta doped”) regions deposited at an interface between metal contacts and a semiconductor layer to reduce a dark current of the MSM photodetector. Band engineering at the metal-semiconductor interfaces using complementarily delta doped semiconductor regions to fix two different interface workfunctions. Delta doping the grounded contact interface with p+ and the reverse biased interface with n+ enhances the Schottky barrier faced by both electrons and holes at the point of injection from source contact into the channel and at the point of collection from the channel into the drain contact.

摘要翻译： 描述了金属 - 半导体 - 金属（“MSM”）光电探测器及其制造方法。 MSM光电检测器包括沉积在金属触点和半导体层之间的界面处的薄重掺杂（“δ掺杂”）区域，以减少MSM光电探测器的暗电流。 使用互补的δ掺杂半导体区域在金属 - 半导体界面处的带工程化以固定两个不同的界面工作功能。 使用p +掺杂接地接触界面的增益和具有n +的反向偏置界面的增强了在源极接触到通道中以及从通道到漏极接触点的注入点处的电子和空穴所面临的肖特基势垒的肖特基势垒。