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    Integrated circuit with insulating spacers separating borderless contacts from the well
    1.
    发明授权
    Integrated circuit with insulating spacers separating borderless contacts from the well 有权
    集成电路与绝缘垫片分隔无缝触点与井

    公开(公告)号：US06294823B1

    公开(公告)日：2001-09-25

    申请号：US09310467

    申请日：1999-05-12

    申请人： Mohamed Arafa ,  Scott Thompson

    发明人： Mohamed Arafa ,  Scott Thompson

    IPC分类号： H01L2900

    CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475

    摘要： An improved integrated circuit and method for making it are described. The integrated circuit includes a shallow trench isolation structure formed adjacent to a well. A borderless contact makes electrical contact to a conductive region formed on the well and an insulating spacer is formed adjacent to a sidewall of the conductive region.

    摘要翻译： 描述了一种改进的集成电路及其制造方法。 集成电路包括与阱相邻形成的浅沟槽隔离结构。 无边界触点与形成在阱上的导电区域电接触，并且在导电区域的侧壁附近形成绝缘间隔物。

    Integrated circuit with borderless contacts
    2.
    发明授权
    Integrated circuit with borderless contacts 有权
    具有无边界触点的集成电路

    公开(公告)号：US06515351B2

    公开(公告)日：2003-02-04

    申请号：US09796925

    申请日：2001-02-28

    申请人： Mohamed Arafa ,  Scott Thompson

    发明人： Mohamed Arafa ,  Scott Thompson

    IPC分类号： H01L2358

    CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834

    摘要： An integrated circuit comprising a conductive region formed on a semiconductor substrate, a silicate glass layer formed on the conductive region, and an etch stop layer formed on the silicate glass layer. The integrated circuit also includes a borderless contact that is coupled to the conductive region.

    摘要翻译： 一种集成电路，包括形成在半导体衬底上的导电区域，形成在导电区域上的硅酸盐玻璃层和形成在硅酸盐玻璃层上的蚀刻停止层。 集成电路还包括耦合到导电区域的无边界接触。

    Integrated circuit with borderless contacts
    3.
    发明授权
    Integrated circuit with borderless contacts 有权
    具有无边界触点的集成电路

    公开(公告)号：US06228777B1

    公开(公告)日：2001-05-08

    申请号：US09328190

    申请日：1999-06-08

    申请人： Mohamed Arafa ,  Scott Thompson

    发明人： Mohamed Arafa ,  Scott Thompson

    IPC分类号： H01L21302

    CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834

    摘要： An integrated circuit comprising a conductive region formed on a semiconductor substrate, a silicate glass layer formed on the conductive region, and an etch stop layer formed on the silicate glass layer. The integrated circuit also includes a borderless contact that is coupled to the conductive region.

    摘要翻译： 一种集成电路，包括形成在半导体衬底上的导电区域，形成在导电区域上的硅酸盐玻璃层和形成在硅酸盐玻璃层上的蚀刻停止层。 集成电路还包括耦合到导电区域的无边界接触。

    RECONFIGURABLE LOAD-REDUCED MEMORY BUFFER
    4.
    发明申请
    RECONFIGURABLE LOAD-REDUCED MEMORY BUFFER 审中-公开
    可重新加载减少的内存缓冲区

    公开(公告)号：US20140313838A1

    公开(公告)日：2014-10-23

    申请号：US14173221

    申请日：2014-02-05

    申请人： Scott Chiu ,  Mohamed Arafa

    发明人： Scott Chiu ,  Mohamed Arafa

    IPC分类号： G11C7/10

    CPC分类号： G11C7/10 ,  G06F1/3275 ,  G06F1/3287 ,  G06F13/1673 ,  G11C5/04 ,  Y02D10/14

    摘要： A memory module can include a data buffer having a data bus interface and a dynamic random access memory (DRAM) coupled to the data buffer. The memory module may also include a switch connected in parallel with the data buffer, wherein the switch can selectively bypass the data buffer. In one example, the memory module also includes a registered buffer having an address bus interface, where the switch may selectively bypass the data buffer based on a program signal obtained from an address bus via the address bus interface.

    摘要翻译： 存储器模块可以包括具有数据总线接口的数据缓冲器和耦合到数据缓冲器的动态随机存取存储器（DRAM）。 存储器模块还可以包括与数据缓冲器并联连接的开关，其中开关可以有选择地绕过数据缓冲器。 在一个示例中，存储器模块还包括具有地址总线接口的注册缓冲器，其中交换机可以基于经由地址总线接口从地址总线获得的程序信号选择性地旁路数据缓冲器。

    Low dark current photodetector
    6.
    发明授权
    Low dark current photodetector 失效
    低暗电流检测器

    公开(公告)号：US5880482A

    公开(公告)日：1999-03-09

    申请号：US790653

    申请日：1997-01-29

    申请人： Ilesanmi Adesida ,  Walter Wohlmuth ,  Mohamed Arafa ,  Patrick Fay

    发明人： Ilesanmi Adesida ,  Walter Wohlmuth ,  Mohamed Arafa ,  Patrick Fay

    IPC分类号： H01L31/108 ,  H01L29/06 ,  H01L31/00 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336

    CPC分类号： H01L31/1085

    摘要： A low dark current metal-semiconductor-metal photodetector has an active region for receiving photons and generating charge carriers in the form of holes and electrons in response to the photons and an isolation region for allowing electrical coupling to occur without increasing the dark current. The photodetector is a III-V ternary semiconductor having its active region defined by a via through a dielectric layer. A pair of electrodes has contact portions extending into contact with the active region and terminating on the isolation region. One electrode of the pair provides a high Schottky barrier to holes. The other electrode provides a high Schottky barrier for electrons

    摘要翻译： 低暗电流金属 - 半导体 - 金属光电探测器具有用于接收光子并响应于光子产生空穴和电子形式的电荷载体的有源区和用于允许电耦合发生而不增加暗电流的隔离区。 光电探测器是具有由通过电介质层的通孔限定的有源区的III-V三元半导体。 一对电极具有延伸与有源区域接触并终止在隔离区域上的接触部分。 该对中的一个电极为孔提供高肖特基势垒。 另一个电极为电子提供高肖特基势垒

    Reconfigurable load-reduced memory buffer
    7.
    发明授权
    Reconfigurable load-reduced memory buffer 有权
    可重构减载内存缓冲区

    公开(公告)号：US08688901B2

    公开(公告)日：2014-04-01

    申请号：US12632919

    申请日：2009-12-08

    申请人： Scott Chiu ,  Mohamed Arafa

    发明人： Scott Chiu ,  Mohamed Arafa

    IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F13/00 ,  G06F13/28

    CPC分类号： G11C7/10 ,  G06F1/3275 ,  G06F1/3287 ,  G06F13/1673 ,  G11C5/04 ,  Y02D10/14

    摘要： A memory module can include a data buffer having a data bus interface and a dynamic random access memory (DRAM) coupled to the data buffer. The memory module may also include a switch connected in parallel with the data buffer, wherein the switch can selectively bypass the data buffer. In one example, the memory module also includes a registered buffer having an address bus interface, where the switch may selectively bypass the data buffer based on a program signal obtained from an address bus via the address bus interface.

    摘要翻译： 存储器模块可以包括具有数据总线接口的数据缓冲器和耦合到数据缓冲器的动态随机存取存储器（DRAM）。 存储器模块还可以包括与数据缓冲器并联连接的开关，其中开关可以有选择地绕过数据缓冲器。 在一个示例中，存储器模块还包括具有地址总线接口的注册缓冲器，其中交换机可以基于经由地址总线接口从地址总线获得的程序信号选择性地旁路数据缓冲器。

    RECONFIGURABLE LOAD-REDUCED MEMORY BUFFER
    8.
    发明申请
    RECONFIGURABLE LOAD-REDUCED MEMORY BUFFER 有权
    可重新加载减少的内存缓冲区

    公开(公告)号：US20110138162A1

    公开(公告)日：2011-06-09

    申请号：US12632919

    申请日：2009-12-08

    申请人： Scott Chiu ,  Mohamed Arafa

    发明人： Scott Chiu ,  Mohamed Arafa

    IPC分类号： G06F9/24 ,  G11C7/10 ,  G11C7/00 ,  G06F12/02 ,  G06F1/26

    CPC分类号： G11C7/10 ,  G06F1/3275 ,  G06F1/3287 ,  G06F13/1673 ,  G11C5/04 ,  Y02D10/14

    摘要： A memory module can include a data buffer having a data bus interface and a dynamic random access memory (DRAM) coupled to the data buffer. The memory module may also include a switch connected in parallel with the data buffer, wherein the switch can selectively bypass the data buffer. In one example, the memory module also includes a registered buffer having an address bus interface, where the switch may selectively bypass the data buffer based on a program signal obtained from an address bus via the address bus interface.

    摘要翻译： 存储器模块可以包括具有数据总线接口的数据缓冲器和耦合到数据缓冲器的动态随机存取存储器（DRAM）。 存储器模块还可以包括与数据缓冲器并联连接的开关，其中开关可以有选择地绕过数据缓冲器。 在一个示例中，存储器模块还包括具有地址总线接口的注册缓冲器，其中交换机可以基于经由地址总线接口从地址总线获得的程序信号选择性地旁路数据缓冲器。