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    Preparing pyrazolopyrimidinone derivatives for the treatment of impotence
    1.
    发明授权
    Preparing pyrazolopyrimidinone derivatives for the treatment of impotence 有权
    制备吡唑并嘧啶酮衍生物用于治疗阳。

    公开(公告)号：US06844436B2

    公开(公告)日：2005-01-18

    申请号：US10311397

    申请日：2001-05-18

    申请人： Moo-Hi Yoo ,  Won-Bae Kim ,  Min-Sun Chang ,  Soon-Hoe Kim ,  Dong-Sung Kim ,  Chul-Jun Bae ,  Yong-Duck Kim ,  Eun-Ha Kim

    发明人： Moo-Hi Yoo ,  Won-Bae Kim ,  Min-Sun Chang ,  Soon-Hoe Kim ,  Dong-Sung Kim ,  Chul-Jun Bae ,  Yong-Duck Kim ,  Eun-Ha Kim

    IPC分类号： C07D231/00 ,  C07D239/00 ,  C07D487/04

    CPC分类号： C07D487/04

    摘要： A method for preparing pyrazolopyrimidinone derivatives and their pharmaceutically acceptable salts having efficacy on the treatment of impotence, one of male sexual dysfunctions. The method comprises the steps of: a) chlorosulfonating a pyrazolamide compound to obtain a chlorosulfonated compound; b) reacting the chlorosulfonated compound of step (a) with a primary amine to obtain a sulfonamide compound and c) performing an intramolecular cyclization of the sulfonamide compound of step (b) to produce the compound of formula below 1, wherein the steps b) and c) are performed in situ in alcohol by adding a base to the reaction mixture without workup after the step b) is completed.

    摘要翻译： 制备吡唑并嘧啶酮衍生物及其药学上可接受的盐的方法，其具有治疗阳having，男性性功能障碍之一的功效。 该方法包括以下步骤：a）氯化磺酰化吡唑啉化合物以获得氯磺化合物; b）使步骤（a）的氯磺化化合物与伯胺反应以获得磺酰胺化合物，和c）进行步骤（b）的磺酰胺化合物的分子内环化以制备下式1的化合物，其中步骤b） 和c）通过在步骤b）完成后在反应混合物中加入碱而不用后处理在醇中原位进行。

    Methods for contact resistance reduction of advanced CMOS devices
    2.
    发明授权
    Methods for contact resistance reduction of advanced CMOS devices 有权
    高级CMOS器件接触电阻降低的方法

    公开(公告)号：US07795124B2

    公开(公告)日：2010-09-14

    申请号：US11426135

    申请日：2006-06-23

    申请人： Faran Nouri ,  Eun-Ha Kim ,  Sunderraj Thirupapuliyur ,  Vijay Parihar

    发明人： Faran Nouri ,  Eun-Ha Kim ,  Sunderraj Thirupapuliyur ,  Vijay Parihar

    IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

    CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

    摘要： Methods for reducing contact resistance in semiconductor devices are provided in the present invention. In one embodiment, the method includes providing a substrate having semiconductor device formed thereon, wherein the device has source and drain regions and a gate structure formed therein, performing a silicidation process on the substrate by a thermal annealing process, and performing a laser anneal process on the substrate. In another embodiment, the method includes providing a substrate having implanted dopants, performing a silicidation process on the substrate by a thermal annealing process, and activating the dopants by a laser anneal process.

    摘要翻译： 在本发明中提供了用于降低半导体器件中的接触电阻的方法。 在一个实施例中，该方法包括提供其上形成有半导体器件的衬底，其中器件具有形成于其中的源极和漏极区域以及栅极结构，通过热退火工艺在衬底上进行硅化处理，并且执行激光退火工艺 在基板上。 在另一个实施方案中，该方法包括提供具有注入的掺杂剂的衬底，通过热退火工艺在衬底上进行硅化处理，以及通过激光退火工艺激活掺杂剂。

    METHODS FOR CONTACT RESISTANCE REDUCTION OF ADVANCED CMOS DEVICES
    5.
    发明申请
    METHODS FOR CONTACT RESISTANCE REDUCTION OF ADVANCED CMOS DEVICES 有权
    接触电阻降低高级CMOS器件的方法

    公开(公告)号：US20070298575A1

    公开(公告)日：2007-12-27

    申请号：US11426135

    申请日：2006-06-23

    申请人： Faran Nouri ,  Eun-Ha Kim ,  Sunderraj Thirupapuliyur ,  Vijay Parihar

    发明人： Faran Nouri ,  Eun-Ha Kim ,  Sunderraj Thirupapuliyur ,  Vijay Parihar

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

    摘要： Methods for reducing contact resistance in semiconductor devices are provided in the present invention. In one embodiment, the method includes providing a substrate having semiconductor device formed thereon, wherein the device has source and drain regions and a gate structure formed therein, performing a silicidation process on the substrate by a thermal annealing process, and performing a laser anneal process on the substrate. In another embodiment, the method includes providing a substrate having implanted dopants, performing a silicidation process on the substrate by a thermal annealing process, and activating the dopants by a laser anneal process.

    摘要翻译： 在本发明中提供了用于降低半导体器件中的接触电阻的方法。 在一个实施例中，该方法包括提供其上形成有半导体器件的衬底，其中器件具有形成于其中的源极和漏极区域以及栅极结构，通过热退火工艺在衬底上进行硅化处理，并且执行激光退火工艺 在基板上。 在另一个实施方案中，该方法包括提供具有注入的掺杂剂的衬底，通过热退火工艺在衬底上进行硅化处理，以及通过激光退火工艺激活掺杂剂。