公开(公告)号：US5646924A

公开(公告)日：1997-07-08

申请号：US252732

申请日：1994-06-02

申请人： Osamu Nonoyama ,  Yukio Ide ,  Makoto Harigaya ,  Yoshiyuki Kageyama ,  Hiroshi Deguchi ,  Katsuyuki Yamada ,  Masaetsu Takahashi ,  Hiroko Iwasaki

发明人： Osamu Nonoyama ,  Yukio Ide ,  Makoto Harigaya ,  Yoshiyuki Kageyama ,  Hiroshi Deguchi ,  Katsuyuki Yamada ,  Masaetsu Takahashi ,  Hiroko Iwasaki

IPC分类号： B41M5/26 ,  G11B7/00 ,  G11B7/0045 ,  G11B7/005 ,  G11B7/006 ,  G11B7/243 ,  G11B7/30

CPC分类号： G11B7/00454 ,  G11B7/005 ,  G11B7/243 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B7/006

摘要： An intensity of light reflected on a phase-changing type of information recording medium is changed since unrecorded and recorded portions of the recording medium have different phase states so that reflectivities of the unrecorded and recorded portions are different from each other. Such an intensity change takes place in a very short time immediately after a recording pulse is irradiated onto the phase-changing type of information recording medium. In a recording and simultaneous verifying method of the phase-changing type of information recording medium, the change in intensity of light reflected on the phase-changing type of information recording medium is detected by using this light reflected simultaneously with a recording pulse irradiated onto the phase-changing type of information recording medium. It is confirmed if the information is correctly recorded by detecting the reflected light. Thus, this information can be recorded to the information recording medium and can be simultaneously verified.

摘要翻译： 由于记录介质的未记录和记录部分具有不同的相位状态，所以在相变型信息记录介质上反射的光的强度发生变化，使得未记录和记录的部分的反射率彼此不同。 在将记录脉冲照射到相变型信息记录介质上之后，立即在非常短的时间内进行这种强度变化。 在相变型信息记录介质的记录和同步验证方法中，通过使用与照射到信息记录介质上的记录脉冲同时反射的光来检测信息记录介质的相变型反射的光的强度变化 相变型信息记录介质。 通过检测反射光确认信息是否正确记录。 因此，可以将该信息记录到信息记录介质中，并且可以同时进行验证。

公开(公告)号：US06503592B1

公开(公告)日：2003-01-07

申请号：US09795637

申请日：2001-02-28

申请人： Katsuyuki Yamada ,  Hiroko Iwasaki ,  Yukio Ide ,  Makoto Harigaya ,  Yoshiyuki Kageyama ,  Hiroshi Deguchi ,  Masaetsu Takahashi ,  Yoshitaka Hayashi

发明人： Katsuyuki Yamada ,  Hiroko Iwasaki ,  Yukio Ide ,  Makoto Harigaya ,  Yoshiyuki Kageyama ,  Hiroshi Deguchi ,  Masaetsu Takahashi ,  Yoshitaka Hayashi

IPC分类号： B32B302

CPC分类号： C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/00557 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/2542 ,  G11B7/258 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/259 ,  G11B7/2595 ,  G11B7/26 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  Y10S428/913 ,  Y10S430/146 ,  Y10T428/21

摘要： A sputtering target for fabricating a recording layer of a phase-change type optical recording medium contains a compound or mixture including as constituent. elements Ag, In, Te and Ob with the respective atomic percent (atom. %) of &agr;, &bgr;, &ggr; and &dgr; thereof being in the relationship of 2≦&agr;≦30, 3≦&bgr;≦30, 10≦&ggr;≦50, 15≦&dgr;≦83 and &agr;+&bgr;+&ggr;+&dgr;=100, and a method of producing the above sputtering target is provided. A phase-change type optical recording medium includes a recording layer containing as constituent elements Ag, In, To and Sb with the respective atomic percent of &agr;, &bgr;, &ggr; and &dgr; thereof being in the relationship of 0

摘要翻译： 用于制造相变型光学记录介质的记录层的溅射靶包含作为组分的化合物或混合物。 元素Ag，In，Te和Ob与其α，β，γ和δ的相应原子百分比（原子％）处于2 <=α<= 30，3 <=β<= 30， =γ<= 50，15 <=δ<= 83，α+β+γ+δ= 100，提供上述溅射靶的制造方法。 相变型光学记录介质包括记录层，该记录层包含作为构成元素Ag，In，To和Sb的各自原子百分数为α，β，γ和δ的原子百分比为0 <α= 30,0 并且能够通过利用记录材料的相位变化来记录和擦除信息。<β= 30,10 <=γ<= 50，10 <=δ<= 80，α+β+γ+ 在录音层。 还提供了制造上述相变型光学记录介质的方法。

公开(公告)号：US6127016A

公开(公告)日：2000-10-03

申请号：US943601

申请日：1997-10-03

申请人： Katsuyuki Yamada ,  Hiroko Iwasaki ,  Yukio Ide ,  Makoto Harigaya ,  Yoshiyuki Kageyama ,  Hiroshi Deguchi ,  Masaetsu Takahashi ,  Yoshitaka Hayashi

发明人： Katsuyuki Yamada ,  Hiroko Iwasaki ,  Yukio Ide ,  Makoto Harigaya ,  Yoshiyuki Kageyama ,  Hiroshi Deguchi ,  Masaetsu Takahashi ,  Yoshitaka Hayashi

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F3/10 ,  B32B3/00 ,  B32B3/02 ,  C22C1/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  G11B7/243 ,  G11B7/253 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/254 ,  G11B7/2542 ,  G11B7/258 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/259 ,  G11B7/2595 ,  G11B7/26

CPC分类号： C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/243 ,  G11B7/26 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B7/00557 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/2542 ,  G11B7/258 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/259 ,  G11B7/2595 ,  G11B7/266 ,  Y10S428/913 ,  Y10S430/146 ,  Y10T428/21

摘要： A sputtering target for fabricating a recording layer of a phase-change type optical recording medium contains a compound or mixture including as constituent elemets Ag, In, Te and Sb with the respective atomic percent (atom. %) of .alpha., .beta., .gamma. and .delta. thereof being in the relationship of 2.ltoreq..alpha..ltoreq.30, 3.ltoreq..beta..ltoreq.30, 10.ltoreq..gamma..ltoreq.50, 15.ltoreq..delta..ltoreq.83 and .alpha.+.beta.+.gamma.+.delta.=100, and a method of producing the above sputtering target is provided. A phase-change type optical recording medium includes a recording layer containing as constituent elements Ag, In, Te and Sb with the respective atomic percent of .alpha., .beta., .gamma. and .delta. thereof being in the relationship of 0

摘要翻译： 用于制造相变型光学记录介质的记录层的溅射靶包含包含Ag，In，Te和Sb作为组成元素的化合物或混合物，其中α，β，γ的原子百分比（原子％）为 其Δδ为2

公开(公告)号：US5882493A

公开(公告)日：1999-03-16

申请号：US946880

申请日：1997-10-08

申请人： Hiroko Iwasaki ,  Yoshiyuki Kageyama ,  Makoto Harigaya ,  Masaetsu Takahashi ,  Hiroshi Deguchi ,  Katsuyuki Yamada ,  Yoshitaka Hayashi ,  Yukio Ide

发明人： Hiroko Iwasaki ,  Yoshiyuki Kageyama ,  Makoto Harigaya ,  Masaetsu Takahashi ,  Hiroshi Deguchi ,  Katsuyuki Yamada ,  Yoshitaka Hayashi ,  Yukio Ide

IPC分类号： C23C14/34 ,  G11B7/243 ,  C23C14/14 ,  B41M5/26

CPC分类号： C23C14/3414 ,  G11B7/243 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24316 ,  G11B7/2542 ,  G11B7/2585

摘要： A sputtering target, for forming a recording layer of an optical recording medium in which information is written and erased through a transition between two phases by utilizing electromagnetic wave energy, consists of a heat-treated and sintered composition represented by the formula:Ag.sub..alpha. In.sub..beta. Te.sub..gamma. Sb.sub..delta.wherein2.ltoreq..alpha..ltoreq.303.ltoreq..beta..ltoreq.3010.ltoreq..gamma..ltoreq.5015.ltoreq..delta..ltoreq.83.alpha.+.beta.+.gamma.+.delta.=100A method of producing the sputtering target, an optical recording medium having a recording layer formed through sputtering by use of the sputtering target, and a method of forming the recording layer are also disclosed.

摘要翻译： 用于形成通过利用电磁波能量通过两相之间的过渡来写入和擦除信息的光学记录介质的记录层的溅射靶由以下公式表示的热处理和烧结组合物组成：AgαIn βTeγSbδ，其中2

公开(公告)号：US06280684B1

公开(公告)日：2001-08-28

申请号：US09488063

申请日：2000-01-19

申请人： Katsuyuki Yamada ,  Hiroko Iwasaki ,  Yukio Ide ,  Makoto Harigaya ,  Yoshiyuki Kageyama ,  Hiroshi Deguchi ,  Masaetsu Takahashi ,  Yoshitaka Hayashi

发明人： Katsuyuki Yamada ,  Hiroko Iwasaki ,  Yukio Ide ,  Makoto Harigaya ,  Yoshiyuki Kageyama ,  Hiroshi Deguchi ,  Masaetsu Takahashi ,  Yoshitaka Hayashi

IPC分类号： B22F100

CPC分类号： C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/00557 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/2542 ,  G11B7/258 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/259 ,  G11B7/2595 ,  G11B7/26 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  Y10S428/913 ,  Y10S430/146 ,  Y10T428/21

摘要： A sputtering target for fabricating a recording layer of a phase-change type optical recording medium contains a compound or mixture including as constituent elements Ag, In, Te and Sb with the respective atomic percent (atom. %) of &agr;, &bgr;, &ggr; and &dgr; thereof being in the relationship of 2≦&agr;≦30, 3≦&bgr;≦30, 10≦&ggr;≦50, 15≦&dgr;≦83 and &agr;+&bgr;+&ggr;+&dgr;=100, and a method of producing the above sputtering target is provided. A phase-change type optical recording medium includes a recording layer containing as constituent elements Ag, In, Te and Sb with the respective atomic percent of &agr;, &bgr;, &ggr; and &dgr; thereof being in the relationship of 0

摘要翻译： 用于制造相变型光学记录介质的记录层的溅射靶包含含有α，β，γ的各原子百分比（原子％）作为构成元素Ag，In，Te和Sb的组成元素的化合物或混合物， δ= 30，10 <=γ<= 50，15 <=δ<= 83和α+β+γ+δ= 100的关系，以及 提供了制造上述溅射靶的方法。 相变型光学记录介质包括含有Ag，In，Te和Sb的组成元素的记录层，其中α，β，γ和δ的各自的原子百分数为0 <α= 30,0 并且能够通过利用记录材料的相位变化来记录和擦除信息。<β= 30,10 <=γ<= 50，10 <=δ<= 80，α+β+γ+ 在录音层。 还提供了制造上述相变型光学记录介质的方法。

公开(公告)号：US5785828A

公开(公告)日：1998-07-28

申请号：US571087

申请日：1995-12-12

申请人： Katsuyuki Yamada ,  Hiroko Iwasaki ,  Yukio Ide ,  Makoto Harigaya ,  Yoshiyuki Kageyama ,  Hiroshi Deguchi ,  Masaetsu Takahashi ,  Yoshitaka Hayashi

发明人： Katsuyuki Yamada ,  Hiroko Iwasaki ,  Yukio Ide ,  Makoto Harigaya ,  Yoshiyuki Kageyama ,  Hiroshi Deguchi ,  Masaetsu Takahashi ,  Yoshitaka Hayashi

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F3/10 ,  B32B3/00 ,  B32B3/02 ,  C22C1/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  G11B7/243 ,  G11B7/253 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/254 ,  G11B7/2542 ,  G11B7/258 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/259 ,  G11B7/2595 ,  G11B7/26

CPC分类号： C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/243 ,  G11B7/26 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B7/00557 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/2542 ,  G11B7/258 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/259 ,  G11B7/2595 ,  G11B7/266 ,  Y10S428/913 ,  Y10S430/146 ,  Y10T428/21

摘要： A sputtering target for fabricating a recording layer of a phase-change type optical recording medium contains a compound or mixture including as constituent elements Ag, In, Te and Sb with the respective atomic percent (atom.%) of .alpha., .beta., .gamma.and .delta.thereof being in the relationship of 2.ltoreq..alpha..ltoreq.30, 3.ltoreq..beta..ltoreq.30, 10.ltoreq..gamma..ltoreq.50, 15.ltoreq..delta..ltoreq.83 and .alpha.+.beta.+.gamma.+.delta.=100, and a method of producing the above sputtering target is provided. A phase-change type optical recording medium includes a recording layer containing as constituent elements Ag, In, Te and Sb with the respective atomic percent of .alpha., .beta., .gamma.and .delta.thereof being in the relationship of 0

摘要翻译： 用于制造相变型光学记录介质的记录层的溅射靶包含含有α，β，γ的各原子百分比（原子％）作为构成元素Ag，In，Te和Sb的组成元素的化合物或混合物， 其Δδ为2

公开(公告)号：US06319368B1

公开(公告)日：2001-11-20

申请号：US08979293

申请日：1997-11-26

申请人： Yukio Ide ,  Hiroko Iwasaki ,  Yoshiyuki Kageyama ,  Yujiro Kaneko ,  Katsuyuki Yamada ,  Michiaki Shinotsuka ,  Makoto Harigaya ,  Hiroshi Deguchi

发明人： Yukio Ide ,  Hiroko Iwasaki ,  Yoshiyuki Kageyama ,  Yujiro Kaneko ,  Katsuyuki Yamada ,  Michiaki Shinotsuka ,  Makoto Harigaya ,  Hiroshi Deguchi

IPC分类号： C23C1434

CPC分类号： C23C14/06 ,  B22F2998/10 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/00454 ,  G11B7/24 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2542 ,  G11B7/257 ,  G11B7/258 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/26 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  Y10T428/115 ,  B22F9/04 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/10

摘要： A sputtering target contains a target material including as constituent elements Ag, In, Te and Sb with the respective atomic percents (atom. %) of &agr;, &bgr;, &ggr; and &dgr; thereof being in the relationship of 0.5≦&agr;

摘要翻译： 溅射靶含有包含作为构成元素Ag，In，Te和Sb的目标材料，其中α，β，γ和δ的各原子百分比（原子％）为0.5≤α<8,5 提供了制造上述溅射靶的方法，其中，<=β<= 23,17 <=γ<= 38,32 <=δ<= 73，α<=β，α+β+γ+ 。 光记录介质包括含有相变记录材料的记录层，该相变记录材料包含作为构成元素Ag，In，Te和Sb的α，β，γ和δ的各原子百分比为1≤α <6,7 <= beta <= 20,20 <= gamma <= 35,35 <= delta = 70，alpha + beta + gamma + delta = 100，并且能够通过利用相位来记录和擦除信息 记录层中记录材料的变化。 还提供了形成用于光学记录介质的上述记录层的方法。 另外，提供了使用上述相变光记录介质的光记录方法。

公开(公告)号：US5736657A

公开(公告)日：1998-04-07

申请号：US622681

申请日：1996-03-26

申请人： Yukio Ide ,  Hiroko Iwasaki ,  Yoshiyuki Kageyama ,  Yujiro Kaneko ,  Katsuyuki Yamada ,  Michiaki Shinotsuka ,  Makoto Harigaya ,  Hiroshi Deguchi

发明人： Yukio Ide ,  Hiroko Iwasaki ,  Yoshiyuki Kageyama ,  Yujiro Kaneko ,  Katsuyuki Yamada ,  Michiaki Shinotsuka ,  Makoto Harigaya ,  Hiroshi Deguchi

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  G11B7/0045 ,  G11B7/24 ,  G11B7/243 ,  G11B7/253 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/254 ,  G11B7/2542 ,  G11B7/258 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/259 ,  G11B7/2595 ,  G11B7/26 ,  C22C29/00

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/00454 ,  G11B7/24 ,  G11B7/243 ,  G11B7/26 ,  B22F2998/10 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/2542 ,  G11B7/258 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/259 ,  G11B7/2595 ,  Y10S428/913

摘要： A sputtering target contains a target material including as constituent elements Ag, In, Te and Sb with the respective atomic percents (atom. %) of .alpha., .beta., .gamma. and .delta. thereof being in the relationship of 0.5.ltoreq..alpha.

摘要翻译： 溅射靶含有包含作为构成元素Ag，In，Te和Sb的目标材料，其中α，β，γ和δ的各自的原子百分数（原子％）为0.5≤α<8， 或者α+β+γ+δ= 100，和/或/ 提供了上述溅射靶的制造。 光记录介质包括含有相变记录材料的记录层，它包括作为构成元素Ag，In，Te和Sb的α，β，γ和δ的各原子百分比为1 / α<6,7

公开(公告)号：US07288224B2

公开(公告)日：2007-10-30

申请号：US10672353

申请日：2003-09-25

申请人： Yukio Ide ,  Hiroko Iwasaki ,  Yoshiyuki Kageyama ,  Yujiro Kaneko ,  Katsuyuki Yamada ,  Michiaki Shinotsuka ,  Makoto Harigaya ,  Hiroshi Deguchi

发明人： Yukio Ide ,  Hiroko Iwasaki ,  Yoshiyuki Kageyama ,  Yujiro Kaneko ,  Katsuyuki Yamada ,  Michiaki Shinotsuka ,  Makoto Harigaya ,  Hiroshi Deguchi

IPC分类号： B22F1/00

CPC分类号： C23C14/06 ,  B22F2998/10 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/00454 ,  G11B7/24 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2542 ,  G11B7/257 ,  G11B7/258 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/26 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  Y10T428/115 ,  B22F9/04 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/10

摘要： A sputtering target contains a target material including as constituent elements Ag, In, Te and Sb with the respective atomic percents (atom. %) of α, β, γ and δ thereof being in the relationship of 0.5≦α

摘要翻译： 溅射靶含有包含作为构成元素Ag，In，Te和Sb的目标材料，其中α，β，γ和δ的各原子百分比（原子％）为0.5≤α<8,5 提供了一种制造上述溅射靶的方法，其中，γ=γ= 23,17 <=γ<= 38，32 <=δ<= 73，α<=γ，α+β+ 。

公开(公告)号：US06652806B2

公开(公告)日：2003-11-25

申请号：US09956637

申请日：2001-09-19

申请人： Yukio Ide ,  Hiroko Iwasaki ,  Yoshiyuki Kageyama ,  Yujiro Kaneko ,  Katsuyuki Yamada ,  Michiaki Shinotsuka ,  Makoto Harigaya ,  Hiroshi Deguchi

发明人： Yukio Ide ,  Hiroko Iwasaki ,  Yoshiyuki Kageyama ,  Yujiro Kaneko ,  Katsuyuki Yamada ,  Michiaki Shinotsuka ,  Makoto Harigaya ,  Hiroshi Deguchi

IPC分类号： B22F100

CPC分类号： C23C14/06 ,  B22F2998/10 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/00454 ,  G11B7/24 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2542 ,  G11B7/257 ,  G11B7/258 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/26 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  Y10T428/115 ,  B22F9/04 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/10

摘要： A sputtering target contains a target material including as constituent elements Ag, In, Te and Sb with the respective atomic percents (atom. %) of &agr;, &bgr;, &ggr; and &dgr; thereof being in the relationship of 0.5≦&agr;