公开(公告)号：US09123837B2

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：US13906655

申请日：2013-05-31

申请人： Oxford Instruments Analytical Oy

发明人： Hans Andersson ,  Pasi Kostamo ,  Veikko Kämäräinen ,  Seppo Nenonen

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/08 ,  H01L23/552 ,  G01T1/24 ,  H01L31/115 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/0216 ,  G01T1/241 ,  H01L23/552 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/022416 ,  H01L31/085 ,  H01L31/115 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor radiation detector includes a bulk layer of semiconductor material. On a first side of said bulk layer is an arrangement of field electrodes and a collection electrode for collecting radiation-induced signal charges from said bulk layer. A radiation shield exists on a second side of said bulk layer, opposite to said first side, which radiation shield selectively overlaps the location of said collection electrode.

摘要翻译： 半导体辐射检测器包括半导体材料的体层。 在所述体层的第一侧上是场电极和收集电极的布置，用于收集来自所述体层的辐射信号电荷。 辐射屏蔽存在于所述主体层的与所述第一侧相对的第二侧上，该辐射屏蔽选择性地与所述收集电极的位置重叠。