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    Dynamic read channel calibration for non-volatile memory devices
    1.
    发明授权
    Dynamic read channel calibration for non-volatile memory devices 有权
    用于非易失性存储器件的动态读通道校准

    公开(公告)号：US08510636B2

    公开(公告)日：2013-08-13

    申请号：US13078226

    申请日：2011-04-01

    申请人： Paul D. Ruby ,  Hanmant P. Belgal ,  Yogesh B. Wakchaure ,  Xin Guo ,  Scott E. Nelson ,  Svanhild M. Salmons

    发明人： Paul D. Ruby ,  Hanmant P. Belgal ,  Yogesh B. Wakchaure ,  Xin Guo ,  Scott E. Nelson ,  Svanhild M. Salmons

    IPC分类号： G11C29/00

    CPC分类号： H03M13/6325 ,  G06F11/1048 ,  G11C16/00 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3495 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/52 ,  G11C2029/0409 ,  G11C2029/0411 ,  H03M13/09 ,  H03M13/136 ,  H03M13/1505 ,  H03M13/1515 ,  H03M13/152 ,  H03M13/19

    摘要： Embodiments of the invention describe a dynamic read reference voltage for use in reading data from non-volatile memory cells. In embodiments of the invention, the read reference voltage is calibrated as the non-volatile memory device is used. Embodiments of the invention may comprise of logic and or modules to read data from a plurality of non-volatile memory cells using a first read reference voltage level (e.g., an initial read reference voltage level whose value is determined by the non-volatile device manufacturer). An Error Checking and Correction (ECC) algorithm is performed to identify whether errors exist in the data as read using the first read reference voltage level. If errors in the data as read are identified, a pre-determined value is retrieved to adjust the first read reference voltage level to a second read reference voltage level.

    摘要翻译： 本发明的实施例描述了用于从非易失性存储器单元读取数据的动态读取参考电压。 在本发明的实施例中，读取的参考电压被校准为使用非易失性存储器件。 本发明的实施例可以包括使用第一读取参考电压电平（例如，初始读取参考电压电平，其值由非易失性器件制造商确定的）从多个非易失性存储器单元读取数据的逻辑和/或模块 ）。 执行错误检查和校正（ECC）算法以识别使用第一读取参考电压电平读取的数据中是否存在错误。 如果识别出读取的数据中的错误，则检索预定值以将第一读取参考电压电平调整到第二读取参考电压电平。

    NON-VOLATILE MEMORY SECTOR ROTATION
    3.
    发明申请
    NON-VOLATILE MEMORY SECTOR ROTATION 有权
    非易失性存储器部门旋转

    公开(公告)号：US20150154107A1

    公开(公告)日：2015-06-04

    申请号：US14094743

    申请日：2013-12-02

    申请人： Scott E. Nelson ,  Zion S. Kwok

    发明人： Scott E. Nelson ,  Zion S. Kwok

    IPC分类号： G06F12/02

    CPC分类号： G06F12/0238 ,  G06F3/06 ,  G06F12/04 ,  Y02D10/13

    摘要： Methods and apparatus related to non-volatile memory page sector rotation are described. In one embodiment, logic rotates the order of one or more sectors by a rotation value prior to storage of the one or more sectors in a non-volatile memory device. Logic then rotates the one or more sectors back by the rotation value after reading the one or more sectors from the non-volatile memory device. Furthermore, at least one indirection block (corresponding to the one or more sectors) is stored in at least two different logical memory pages of the non-volatile memory. Other embodiments are also disclosed and claimed.

    摘要翻译： 描述与非易失性存储器页扇区旋转相关的方法和装置。 在一个实施例中，逻辑在将一个或多个扇区存储在非易失性存储器设备中之前将一个或多个扇区的顺序旋转一个旋转值。 逻辑然后在从非易失性存储器件读取一个或多个扇区之后使一个或多个扇区回转旋转值。 此外，至少一个间接块（对应于一个或多个扇区）被存储在非易失性存储器的至少两个不同的逻辑存储器页中。 还公开并要求保护其他实施例。