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    Non-destructive energy beam activated conductive links
    6.
    发明授权
    Non-destructive energy beam activated conductive links 失效
    非破坏性能量束激活导电连接

    公开(公告)号：US4835118A

    公开(公告)日：1989-05-30

    申请号：US29192

    申请日：1987-03-23

    申请人： Robert E. Jones, Jr. ,  Lee Kammerdiner ,  Michael R. Reeder

    发明人： Robert E. Jones, Jr. ,  Lee Kammerdiner ,  Michael R. Reeder

    IPC分类号： H01L21/263 ,  H01L21/268 ,  H01L21/768 ,  H01L23/525

    CPC分类号： H01L23/5254 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/268 ,  H01L21/76888 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/934

    摘要： A process of manufacturing selectively restructurable conductive links between circuit elements and corresponding spare elements on a semiconductor. A continuous green light laser directed at a non-conductive amorphous region in the links causes the region to recrystallize. This makes the link electrically conductive thereby joining the circuit elements to a corresponding spare element on the semiconductor. The method permits for high density packing of circuit elements and creates a link without producing bulk material movement.

    摘要翻译： 在半导体上在电路元件和对应的备用元件之间制造选择性可重构的导电链路的过程。 指向链节中的非导电非晶区域的连续绿光激光使得该区域再结晶。 这使得链路导电，从而将电路元件连接到半导体上的对应备用元件。 该方法允许电路元件的高密度包装并且产生连接而不产生散装材料移动。

    Process for preparing oxazole intermediates
    8.
    发明授权
    Process for preparing oxazole intermediates 失效
    制备恶唑中间体的方法

    公开(公告)号：US07115747B2

    公开(公告)日：2006-10-03

    申请号：US10600100

    申请日：2003-06-20

    申请人： Michael R. Reeder ,  Rick J. Imbordino

    发明人： Michael R. Reeder ,  Rick J. Imbordino

    IPC分类号： C07D263/30

    CPC分类号： C07D263/32

    摘要： Disclosed are compounds of formula III and a process to prepare a compound of formula III wherein R1, R2, R3 and R6 are defined herein, using a zinc chloride/optionally substituted oxazole adduct and an compound of formula I. Further disclosed are methods of using compounds of formula III to prepare compounds useful in the treatment of Alzheimer's disease and related conditions.

    摘要翻译： 公开了式III的化合物及其制备式III化合物的方法，其中R 1，R 2，R 3和R 3 在本文中定义，使用氯化锌/任选取代的恶唑加合物和式I化合物。进一步公开了使用式III化合物来制备可用于治疗阿尔茨海默病和相关病症的化合物的方法。

    Anisotropic silicide etching process
    10.
    发明授权
    Anisotropic silicide etching process 失效
    各向异性硅化物蚀刻工艺

    公开(公告)号：US4414057A

    公开(公告)日：1983-11-08

    申请号：US446597

    申请日：1982-12-03

    申请人： Ronald R. Bourassa ,  Michael R. Reeder

    发明人： Ronald R. Bourassa ,  Michael R. Reeder

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C23F1/02

    CPC分类号： H01L21/32137

    摘要： A process is described for anisotropically etching semiconductor products which include a lower dielectric layer, an intermediate polysilicon layer, and an upper silicide layer such as titanium silicide. A pattern-defining layer will normally overlie the silicide layer to define target areas to be etched. In a first step, the silicide is etched through using Freon 115 chloro, pentafluoroethane (C.sub.2 ClF.sub.5) in a plasma etching chamber conditioned to provide a reactive ion etch. The etch is completed in the same chamber using a second gas which includes an amount of Cl.sub.2 selected to etch anisotropically through the polysilicon layer without substantially etching the dielectric layer. Preferably, both etches occur after covering inner surfaces of the etching chamber with a material which releases molecules of the character included in the pattern-defining layer, such as Kapton, a polymide, in the disclosed example.

    摘要翻译： 描述了各向异性蚀刻半导体产品的方法，其包括下介电层，中间多晶硅层和诸如硅化钛的上硅化物层。 图案定义层通常覆盖硅化物层以限定待蚀刻的靶区域。 在第一步中，通过在调节为提供反应离子蚀刻的等离子体蚀刻室中使用氟利昂115氯，五氟乙烷（C2ClF5）来蚀刻硅化物。 使用第二气体在相同的室中完成蚀刻，所述第二气体包括选择的量的各向异性蚀刻通过多晶硅层的Cl2，而基本上不蚀刻介电层。 优选地，在所揭示的实施例中，蚀刻室的内表面覆盖蚀刻室的内表面之后，使用释放包括在图案限定层中的字符分子的材料，例如Kapton，Polymide，发生蚀刻。