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    SUPER-HIGH DENSITY TRENCH MOSFET
    1.
    发明申请
    SUPER-HIGH DENSITY TRENCH MOSFET 有权
    超高密度TRENCH MOSFET

    公开(公告)号：US20110089486A1

    公开(公告)日：2011-04-21

    申请号：US12788158

    申请日：2010-05-26

    申请人： Robert Q. Xu ,  Kuo-In Chen ,  Karl Lichtenberger ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen ,  Kyle Terrill

    发明人： Robert Q. Xu ,  Kuo-In Chen ,  Karl Lichtenberger ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen ,  Kyle Terrill

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

    摘要： A method, in one embodiment, can include forming a plurality of trenches in a body region for a vertical metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET). In addition, the method can include angle implanting source regions into the body region. Furthermore, dielectric material can be grown within the plurality of trenches. Gate polysilicon can be deposited within the plurality of trenches. Moreover, the method can include chemical mechanical polishing the gate polysilicon. The method can also include etching back the gate polysilicon within the plurality of trenches.

    摘要翻译： 在一个实施例中，一种方法可以包括在垂直金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的主体区域中形成多个沟槽。 此外，该方法可以包括将角度注入源区域进入体区域。 此外，电介质材料可以在多个沟槽内生长。 栅极多晶硅可以沉积在多个沟槽内。 此外，该方法可以包括化学机械抛光栅极多晶硅。 该方法还可以包括蚀刻多个沟槽内的栅极多晶硅。

    Ultra-low drain-source resistance power MOSFET
    5.
    发明授权
    Ultra-low drain-source resistance power MOSFET 有权
    超低漏源电阻功率MOSFET

    公开(公告)号：US08409954B2

    公开(公告)日：2013-04-02

    申请号：US11386927

    申请日：2006-03-21

    申请人： The-Tu Chau ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen ,  Martin Hernandez ,  Deva Pattanayak ,  Kyle Terrill ,  Kuo-In Chen

    发明人： The-Tu Chau ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen ,  Martin Hernandez ,  Deva Pattanayak ,  Kyle Terrill ,  Kuo-In Chen

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/0878 ,  H01L29/167 ,  H01L29/7813

    摘要： Ultra-low drain-source resistance power MOSFET. In accordance with an embodiment of the preset invention, a semiconductor device comprises a plurality of trench power MOSFETs. The plurality of trench power MOSFETs is formed in a second epitaxial layer. The second epitaxial layer is formed adjacent and contiguous to a first epitaxial layer. The first epitaxial layer is formed adjacent and contiguous to a substrate highly doped with red Phosphorous. The novel red Phosphorous doped substrate enables a desirable low drain-source resistance.

    摘要翻译： 超低漏源电阻功率MOSFET。 根据本发明的实施例，半导体器件包括多个沟槽功率MOSFET。 多个沟槽功率MOSFET形成在第二外延层中。 第二外延层形成为与第一外延层相邻并邻接。 第一外延层与高度掺杂有红磷的衬底相邻并邻接地形成。 新型红磷掺杂衬底能够实现所需的低漏源电阻。

    Ultra-low drain-source resistance power MOSFET
    7.
    发明申请
    Ultra-low drain-source resistance power MOSFET 有权
    超低漏源电阻功率MOSFET

    公开(公告)号：US20080157281A1

    公开(公告)日：2008-07-03

    申请号：US12069712

    申请日：2008-02-11

    申请人： The-Tu Chau ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen ,  Martin Hernandez ,  Deva Pattanayak ,  Kyle Terrill ,  Kuo-In Chen

    发明人： The-Tu Chau ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen ,  Martin Hernandez ,  Deva Pattanayak ,  Kyle Terrill ,  Kuo-In Chen

    IPC分类号： H01L29/36

    CPC分类号： H01L29/0878 ,  H01L29/167 ,  H01L29/7813

    摘要： Ultra-low drain-source resistance power MOSFET. In accordance with an embodiment of the preset invention, a semiconductor device comprises a plurality of trench power MOSFETs. The plurality of trench power MOSFETs is formed in a second epitaxial layer. The second epitaxial layer is formed adjacent and contiguous to a first epitaxial layer. The first epitaxial layer is formed adjacent and contiguous to a substrate highly doped with red Phosphorus. The novel red Phosphorus doped substrate enables a desirable low drain-source resistance.

    摘要翻译： 超低漏源电阻功率MOSFET。 根据本发明的实施例，半导体器件包括多个沟槽功率MOSFET。 多个沟槽功率MOSFET形成在第二外延层中。 第二外延层形成为与第一外延层相邻并邻接。 第一外延层与高度掺杂有红磷的衬底相邻并邻接地形成。 新颖的红色磷掺杂衬底能够实现所需的低漏源电阻。