公开(公告)号：US09129671B2

公开(公告)日：2015-09-08

申请号：US12296875

申请日：2007-04-04

申请人： Roelof H. W. Salters ,  Rutger S. Van Veen ,  Manuel P. C. Heiligers ,  Abraham C. Kruseman ,  Pim T. Tuyls ,  Geert J. Schrijen ,  Boris Skoric

发明人： Roelof H. W. Salters ,  Rutger S. Van Veen ,  Manuel P. C. Heiligers ,  Abraham C. Kruseman ,  Pim T. Tuyls ,  Geert J. Schrijen ,  Boris Skoric

IPC分类号： H04L9/06 ,  G11C7/24 ,  G06F21/73 ,  H04L9/08 ,  G06F21/30 ,  G11C7/20 ,  G11C16/20 ,  G11C16/22 ,  G11C29/04 ,  G11C29/44 ,  G11C29/50

CPC分类号： G11C7/24 ,  G06F21/30 ,  G06F21/73 ,  G11C7/20 ,  G11C16/20 ,  G11C16/22 ,  G11C2029/0407 ,  G11C2029/4402 ,  G11C2029/5002 ,  H04L9/0866

摘要： A method (100) is disclosed of generating an identifier from a semiconductor device (600) comprising a volatile memory (610) having a plurality of memory cells. The method comprises causing (110) the memory cells to assume a plurality of pseudo-random bit values inherent to variations in the microstructure of the memory cells; retrieving (120) the bit values from at least a subset of the plurality of memory cells; and generating the identifier from the retrieved bit values. The method (100) is based on the realization that a substantial amount of the cells of a volatile memory can assume a bit value that is governed by underlying variations in manufacturing process parameters; this for instance occurs at power-up for an SRAM or after a time period without refresh for a DRAM. This can be used for several identification purposes, such as identifying a semiconductor device (600) comprising the volatile memory (610), or for secure key generation by mapping error-correcting code words onto the identifier bit locations. The present invention further includes a semiconductor device (600, 1000) configured to be subjectable to the method (100) of the present invention.

摘要翻译： 公开了一种从包括具有多个存储单元的易失性存储器（610）的半导体器件（600）生成标识符的方法（100）。 该方法包括使（110）存储器单元呈现存储器单元的微结构变化所固有的多个伪随机位值; 从所述多个存储器单元的至少一个子集中检索（120）所述位值; 以及从所检索的位值生成所述标识符。 方法（100）基于以下认识：易失性存储器的大量单元可以采用受制造工艺参数的潜在变化控制的位值; 这例如在SRAM的上电时或者在不刷新DRAM的时间段之后发生。 这可以用于多个识别目的，例如识别包括易失性存储器（610）的半导体器件（600），或者通过将纠错码字映射到标识符位置上来进行安全密钥生成。 本发明还包括被配置为可受本发明的方法（100）的半导体器件（600,1000）。