公开(公告)号：US20100270652A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：US12762457

申请日：2010-04-19

申请人： Ryoung-Han Kim ,  Jong-wook Kye

发明人： Ryoung-Han Kim ,  Jong-wook Kye

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70466

摘要： Ultrafine patterns with dimensions smaller than the chemical and optical limits of lithography are formed by superimposing two photoresist patterns using a double exposure technique. Embodiments include forming a first resist pattern over a target layer to be patterned, forming a protective cover layer over the first resist pattern, forming a second resist pattern on the cover layer superimposed over the first resist pattern while the cover layer protects the first resist pattern, selectively etching the cover layer with high selectivity with respect to the first and second resist patterns leaving an ultrafine target pattern defined by the first and second resist patterns, and etching the underlying target layer using the superimposed first and second resist patterns as a mask.

摘要翻译： 尺寸小于光刻的化学和光学限制的超细图案通过使用双曝光技术叠加两个光致抗蚀剂图案来形成。 实施例包括在待图案化的目标层上形成第一抗蚀剂图案，在第一抗蚀剂图案上方形成保护覆盖层，在叠层在第一抗蚀剂图案上的覆盖层上形成第二抗蚀剂图案，同时覆盖层保护第一抗蚀剂图案 以相对于第一和第二抗蚀剂图案的高选择性选择性地蚀刻覆盖层，留下由第一和第二抗蚀剂图案限定的超细目标图案，并使用叠加的第一和第二抗蚀剂图案作为掩模蚀刻下面的目标层。

公开(公告)号：US20070287101A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11448786

申请日：2006-06-08

申请人： Ryoung-Han Kim ,  Jong-wook Kye

发明人： Ryoung-Han Kim ,  Jong-wook Kye

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70466

摘要： Ultrafine patterns with dimensions smaller than the chemical and optical limits of lithography are formed by superimposing two photoresist patterns using a double exposure technique. Embodiments include forming a first resist pattern over a target layer to be patterned, forming a protective cover layer over the first resist pattern, forming a second resist pattern on the cover layer superimposed over the first resist pattern while the cover layer protects the first resist pattern, selectively etching the cover layer with high selectivity with respect to the first and second resist patterns leaving an ultrafine target pattern defined by the first and second resist patterns, and etching the underlying target layer using the superimposed first and second resist patterns as a mask.

摘要翻译： 尺寸小于光刻的化学和光学限制的超细图案通过使用双曝光技术叠加两个光致抗蚀剂图案来形成。 实施例包括在待图案化的目标层上形成第一抗蚀剂图案，在第一抗蚀剂图案上方形成保护覆盖层，在叠层在第一抗蚀剂图案上的覆盖层上形成第二抗蚀剂图案，同时覆盖层保护第一抗蚀剂图案 以相对于第一和第二抗蚀剂图案的高选择性选择性地蚀刻覆盖层，留下由第一和第二抗蚀剂图案限定的超细目标图案，并使用叠加的第一和第二抗蚀剂图案作为掩模蚀刻下面的目标层。

公开(公告)号：US08445182B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US12762457

申请日：2010-04-19

申请人： Ryoung-Han Kim ,  Jong-wook Kye

发明人： Ryoung-Han Kim ,  Jong-wook Kye

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70466

摘要： Ultrafine patterns with dimensions smaller than the chemical and optical limits of lithography are formed by superimposing two photoresist patterns using a double exposure technique. Embodiments include forming a first resist pattern over a target layer to be patterned, forming a protective cover layer over the first resist pattern, forming a second resist pattern on the cover layer superimposed over the first resist pattern while the cover layer protects the first resist pattern, selectively etching the cover layer with high selectivity with respect to the first and second resist patterns leaving an ultrafine target pattern defined by the first and second resist patterns, and etching the underlying target layer using the superimposed first and second resist patterns as a mask.

摘要翻译： 尺寸小于光刻的化学和光学限制的超细图案通过使用双曝光技术叠加两个光致抗蚀剂图案来形成。 实施例包括在待图案化的目标层上形成第一抗蚀剂图案，在第一抗蚀剂图案上方形成保护覆盖层，在叠层在第一抗蚀剂图案上的覆盖层上形成第二抗蚀剂图案，同时覆盖层保护第一抗蚀剂图案 以相对于第一和第二抗蚀剂图案的高选择性选择性地蚀刻覆盖层，留下由第一和第二抗蚀剂图案限定的超细目标图案，并使用叠加的第一和第二抗蚀剂图案作为掩模蚀刻下面的目标层。

公开(公告)号：US07704680B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US11448786

申请日：2006-06-08

申请人： Ryoung-Han Kim ,  Jong-wook Kye

发明人： Ryoung-Han Kim ,  Jong-wook Kye

IPC分类号： G03F7/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70466

摘要： Ultrafine patterns with dimensions smaller than the chemical and optical limits of lithography are formed by superimposing two photoresist patterns using a double exposure technique. Embodiments include forming a first resist pattern over a target layer to be patterned, forming a protective cover layer over the first resist pattern, forming a second resist pattern on the cover layer superimposed over the first resist pattern while the cover layer protects the first resist pattern, selectively etching the cover layer with high selectivity with respect to the first and second resist patterns leaving an ultrafine target pattern defined by the first and second resist patterns, and etching the underlying target layer using the superimposed first and second resist patterns as a mask.

摘要翻译： 尺寸小于光刻的化学和光学限制的超细图案通过使用双曝光技术叠加两个光致抗蚀剂图案来形成。 实施例包括在待图案化的目标层上形成第一抗蚀剂图案，在第一抗蚀剂图案上方形成保护覆盖层，在叠层在第一抗蚀剂图案上的覆盖层上形成第二抗蚀剂图案，同时覆盖层保护第一抗蚀剂图案 以相对于第一和第二抗蚀剂图案的高选择性选择性地蚀刻覆盖层，留下由第一和第二抗蚀剂图案限定的超细目标图案，并使用叠加的第一和第二抗蚀剂图案作为掩模蚀刻下面的目标层。

公开(公告)号：US5726741A

公开(公告)日：1998-03-10

申请号：US668904

申请日：1996-06-24

申请人： Jong-wook Kye ,  Cheol-hong Kim ,  Tae-gyun Kim

发明人： Jong-wook Kye ,  Cheol-hong Kim ,  Tae-gyun Kim

IPC分类号： G02B27/44 ,  G03F1/00 ,  G03F1/68 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  G03B27/42

CPC分类号： G03F7/701 ,  G03F7/70108 ,  G03F7/70158

摘要： A photolithographic projection system for transferring a predetermined pattern from a photomask to a wafer includes a radiation source and a grating mask. The radiation source projects radiation along a path through the photomask toward the wafer. The grating mask is positioned along the radiation path and is separate from the photomask. In a method for transferring a predetermined pattern from a photomask to a wafer, radiation is projected along a path through a grating mask and a photomask toward the wafer, and the grating mask is separate from the photomask.

摘要翻译： 用于将预定图案从光掩模转印到晶片的光刻投影系统包括辐射源和光栅掩模。 辐射源沿着通过光掩模的路径向晶片投射辐射。 光栅掩模沿辐射路径定位并与光掩模分开。 在将预定图案从光掩模转印到晶片的方法中，沿着通过光栅掩模和光掩模的路径朝向晶片投射辐射，并且光栅掩模与光掩模分离。

公开(公告)号：US5741613A

公开(公告)日：1998-04-21

申请号：US713953

申请日：1996-09-13

申请人： Seong-yong Moon ,  Jong-wook Kye ,  Sung-gi Kim ,  Sung-chul Lim ,  In-kyun Shin

发明人： Seong-yong Moon ,  Jong-wook Kye ,  Sung-gi Kim ,  Sung-chul Lim ,  In-kyun Shin

IPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/68 ,  G03F1/80 ,  H01L21/027 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F1/32

摘要： Methods of forming half-tone phase-shift masks include the steps of forming a series of layers on a face of a transparent substrate such as quartz. These layers include a phase-shift layer of MoSiON, a layer of opaque material (e.g., chrome) for blocking light on the phase-shift layer and a photoresist layer on the layer of opaque material. The photoresist layer is then patterned to define a mask having openings therein which expose the layer of opaque material. The layer of opaque material is then patterned using a wet etchant, to expose portions of the phase-shift layer. The patterned photoresist layer is then stripped and a cleaning step is then performed to remove residual defects and marks from the patterned layer of opaque material. The patterned layer of opaque material is then used as a mask during the step of anisotropically dry etching the phase-shift layer using a gas containing CF.sub.4 and O.sub.2, but not CHF.sub.3. The use of a gas containing CF.sub.4 and O.sub.2 inhibits parasitic sputtering of chrome from the patterned layer of opaque material onto the exposed portions of the face of the transparent substrate, during the dry etching step. In contrast, the use of a gas containing CHF.sub.3 and O.sub.2 during dry etching of the phase-shift layer may cause the formation of parasitic defects containing chrome on the face of the transparent substrate. These parasitic defects typically cause a reduction in yield when the phase-shift mask is used in the formation of integrated circuits.

摘要翻译： 形成半色调相移掩模的方法包括在诸如石英的透明基板的表面上形成一系列层的步骤。 这些层包括MoSiON的相移层，用于阻挡相移层上的光的不透明材料层（例如，铬）和不透明材料层上的光致抗蚀剂层。 然后将光致抗蚀剂层图案化以限定其中具有开口的掩模，其暴露不透明材料层。 然后使用湿蚀刻剂将不透明材料层图案化，以暴露部分相移层。 然后剥离图案化的光致抗蚀剂层，然后执行清洁步骤以从不透明材料的图案化层去除残留的缺陷和痕迹。 然后在使用含有CF4和O2而不是CHF3的气体进行各向异性干蚀刻相移层的步骤期间，将不透明材料的图案化层用作掩模。 在干蚀刻步骤期间，使用含有CF 4和O 2的气体抑制铬从不透明材料的图案化层的阳极溅射到透明基板的表面的暴露部分上。 相反，在相移层的干蚀刻期间使用含有CHF 3和O 2的气体可能导致在透明基底的表面上形成含有铬的寄生缺陷。 当在形成集成电路中使用相移掩模时，这些寄生缺陷通常导致产量的降低。