公开(公告)号：US20160163905A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：US14900939

申请日：2014-06-27

Applicant: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE

Inventor： Jörg PALM ,  Stephan POHLNER ,  Thomas HAPP ,  Roland DIETMÜLLER ,  Thomas DALIBOR ,  Stefan JOST ,  Rajneesh VERMA

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0445

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: The invention concerns a layer system for thin-layer solar cells, said layer system comprising an absorber layer for absorbing light and a buffer layer on the absorber layer, said buffer layer containing NaxIny-x/3S, in which 0.063≦x≦0.625 and 0.681≦y≦1.50.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于薄层太阳能电池的层系统，所述层系统包括用于吸收光的吸收层和吸收层上的缓冲层，所述缓冲层含有NaxIny-x / 3S，其中0.063和nlE; x和nlE; 0.625 和0.681＆nlE; y＆nlE; 1.50。

公开(公告)号：US20150325722A1

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：US14409684

申请日：2013-06-19

Applicant: Saint-Gobain Glass France

Inventor： Jörg PALM ,  Stephan POHLNER ,  Thomas HAPP ,  Thomas DALIBOR ,  Stefan JOST ,  Roland DIETMÜLLER

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0324 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: The present invention relates to a layer system (1) for thin-film solar cells (100) and solar modules, comprising an absorber layer (4) that includes a chalcogenide compound semiconductor and a buffer layer (5) that is arranged on the absorber layer (4) and includes halogen-enriched InxSy with ⅔≦x/y≦1, wherein the buffer layer (5) consists of a first layer region (5.1) adjoining the absorber layer (4) with a halogen mole fraction A1 and a second layer region (5.2) adjoining the first layer region (5.1) with a halogen mole fraction A2 and the ratio A1/A2 is ≧2 and the layer thickness (d1) of the first layer region (5.1) is ≦50% of the layer thickness (d) of the buffer layer (5).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于薄膜太阳能电池（100）和太阳能模块的层系统（1），包括一个吸收层（4），该吸收层包括一个硫族化物化合物半导体和一个缓冲层（5） 层（4），并且包括具有⅔和nlE的卤素富集的In x S y; x / y＆n l E; 1，其中缓冲层（5）由邻近吸收层（4）的第一层区域（5.1）和卤素摩尔分数A1组成， 与第一层区域（5.1）邻接的第二层区域（5.2）与卤素摩尔分数A2，比率A1 / A2为≥2，第一层区域（5.1）的层厚度（d1）为 缓冲层（5）的层厚度（d）。