公开(公告)号：US20130194872A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：US13753677

申请日：2013-01-30

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： Jaesung SIM ,  Bongyong LEE

IPC分类号： G11C16/26 ,  G11C16/06

CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C7/04 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/06 ,  G11C2216/14

摘要： Disclosed is a nonvolatile memory device which includes a memory cell connected to a bit line and a word line; a page buffer electrically connected to the bit line and sensing data stored in the memory cell; and a control logic controlling the page buffer to vary a develop time of the bit line or a sensing node connected to the bit line according to a current temperature during a read operation.

摘要翻译： 公开了一种非易失性存储器件，其包括连接到位线和字线的存储单元; 电位连接到位线并感测存储在存储单元中的数据的页缓冲器; 以及控制逻辑控制页缓冲器，以在读操作期间根据当前温度来改变位线或连接到位线的感测节点的显影时间。