公开(公告)号：US20130336058A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：US13795750

申请日：2013-03-12

申请人： SANG-HYUN JOO ,  IL-HAN PARK ,  KI-WHAN SONG

发明人： SANG-HYUN JOO ,  IL-HAN PARK ,  KI-WHAN SONG

IPC分类号： G11C16/34

CPC分类号： G11C16/3418 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

摘要： A nonvolatile memory device comprises a nonvolatile memory chip comprising a static latch, first and second dynamic latches that receive the data stored in the static latch through a floating node, and a memory cell configured to store multi-bit data. The nonvolatile memory device performs a refresh operation on the first dynamic latch where externally supplied first single bit data is stored in the first dynamic latch, performs a refresh operation on the second dynamic latch where externally supplied second single bit data is stored in the second dynamic latch, and programs the memory cell using the data stored in the first and second dynamic latches after the first and second single bit data are stored in the respective first and second dynamic latches.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括非易失性存储器芯片，其包括静态锁存器，通过浮动节点接收存储在静态锁存器中的数据的第一和第二动态锁存器以及被配置为存储多位数据的存储器单元。 非易失性存储器件对第一动态锁存器执行刷新操作，其中外部提供的第一单位数据被存储在第一动态锁存器中，对外部提供的第二单位数据存储在第二动态锁存器中的第二动态锁存器执行刷新操作 在第一和第二单个位数据存储在相应的第一和第二动态锁存器中之后，使用存储在第一和第二动态锁存器中的数据对存储器单元进行锁存和编程。