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    Devices including a multilayer gas barrier layer
    4.
    发明授权
    Devices including a multilayer gas barrier layer 有权
    装置包括多层阻气层

    公开(公告)号：US09552833B2

    公开(公告)日：2017-01-24

    申请号：US14918694

    申请日：2015-10-21

    Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

    Inventor： Yuhang Cheng ,  Kurt W. Wierman ,  Michael Seigler ,  Scott Franzen

    IPC: G11B11/00 ,  G11B5/31 ,  G11B5/00

    CPC classification number: G11B5/314 ,  G11B5/255 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3136 ,  G11B5/40 ,  G11B2005/0021

    Abstract: Devices that include a near field transducer (NFT); a multilayer gas barrier layer positioned on at least a portion of the NFT, the multilayer gas barrier layer including at least a first and a second sublayer, where the second gas barrier sublayer is positioned on the first gas barrier sublayer, the first gas barrier sublayer is positioned adjacent the NFT and the second gas barrier sublayer is positioned adjacent the wear resistant layer, the first and second sublayers independently have thicknesses from 0.01 nm to 5 nm; and a wear resistance layer positioned on at least a portion of the gas barrier layer.

    Abstract translation: 包括近场传感器（NFT）的设备; 位于所述NFT的至少一部分上的多层阻气层，所述多层阻气层至少包括第一和第二子层，其中所述第二阻气层位于所述第一阻气层上，所述第一阻气层 位于NFT附近并且第二阻气层位于耐磨层附近，第一和第二子层独立地具有0.01nm至5nm的厚度; 以及位于所述阻气层的至少一部分上的耐磨层。

    Devices including at least one adhesion layer and methods of forming adhesion layers
    6.
    发明授权
    Devices including at least one adhesion layer and methods of forming adhesion layers 有权
    包括至少一个粘合层的装置和形成粘合层的方法

    公开(公告)号：US09129620B2

    公开(公告)日：2015-09-08

    申请号：US14632057

    申请日：2015-02-26

    Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

    Inventor： Yuhang Cheng ,  Tong Zhao ,  Michael C. Kautzky ,  Ed F. Rejda ,  Kurt W. Wierman ,  Scott Franzen ,  Andrew J. Boyne ,  Michael Allen Seigler ,  Sethuraman Jayashankar

    IPC: G11B11/00 ,  G11B5/31 ,  G11B5/60 ,  G11B5/00 ,  G11B7/1387

    CPC classification number: G11B5/314 ,  B05D1/36 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/4866 ,  G11B5/6088 ,  G11B5/84 ,  G11B5/85 ,  G11B5/851 ,  G11B5/858 ,  G11B7/1387 ,  G11B2005/0021

    Abstract: Devices that include a near field transducer (NFT), the NFT having a disc and a peg, and the peg having an air bearing surface; and at least one adhesion layer positioned on the air bearing surface of the peg, the adhesion layer including one or more of the following: tungsten (W), molybdenum (Mo), chromium (Cr), silicon (Si), nickel (Ni), tantalum (Ta), titanium (Ti), yttrium (Y), vanadium (V), magnesium (Mg), cobalt (Co), tin (Sn), niobium (Nb), hafnium (Hf), and combinations thereof; tantalum oxide, titanium oxide, tin oxide, indium oxide, and combinations thereof; vanadium carbide (VC), tungsten carbide (WC), titanium carbide (TiC), chromium carbide (CrC), cobalt carbide (CoC), nickel carbide (NiC), yttrium carbide (YC), molybdenum carbide (MoC), and combinations thereof and titanium nitride (TiN), zirconium nitride (ZrN), hafnium nitride (HfN), and combinations thereof.

    Abstract translation: 包括近场换能器（NFT），NFT具有盘和钉的装置以及具有空气轴承表面的钉; 以及至少一个粘合层，其位于所述钉的空气支承表面上，所述粘合层包括以下中的一种或多种：钨（W），钼（Mo），铬（Cr），硅（Si），镍 ），钽（Ta），钛（Ti），钇（Y），钒（V），镁（Mg），钴（Co），锡（Sn），铌（Nb），铪（Hf） ; 氧化钽，氧化钛，氧化锡，氧化铟及其组合; 碳化钒（VC），碳化钨（WC），碳化钛（TiC），碳化铬（CrC），碳化钴（CoC），碳化镍（NiC），碳化钇（YC），碳化钼（MoC） 和氮化钛（TiN），氮化锆（ZrN），氮化铪（HfN）及其组合。

    DEVICES INCLUDING A GAS BARRIER LAYER
    7.
    发明申请
    DEVICES INCLUDING A GAS BARRIER LAYER 审中-公开
    包括气体障碍层的装置

    公开(公告)号：US20150248905A1

    公开(公告)日：2015-09-03

    申请号：US14711992

    申请日：2015-05-14

    Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC

    Inventor： Yuhang Cheng ,  Scott Franzen ,  Ed F. Rejda ,  Kurt W. Wierman ,  Michael Allen Seigler

    IPC: G11B5/40 ,  G11B5/48

    CPC classification number: G11B5/40 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3136 ,  G11B5/314 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/486 ,  G11B5/4866 ,  G11B2005/0021

    Abstract: Devices that include a near field transducer (NFT); a gas barrier layer positioned on at least a portion of the NFT; and a wear resistance layer positioned on at least a portion of the gas barrier layer wherein the gas barrier layer includes tantalum oxide (TaO), titanium oxide (TiO), chromium oxide (CrO), silicon oxide (SiO), aluminum oxide (AlO), titanium oxide (TiO), zirconium oxide (ZrO), yttrium oxide (YO), magnesium oxide (MgO), beryllium oxide (BeO), niobium oxide (NbO), hafnium oxide (HfO), vanadium oxide (VO), strontium oxide (SrO), or combinations thereof; silicon nitride (SiN), aluminum nitride (Al), boron nitride (BN), titanium nitride (TiN), zirconium nitride (ZrN), niobioum nitride (NbN), hafnium nitride (HfN), chromium nitride (CrN), or combinations thereof silicon carbide (SiC), titanium carbide (TiC), zirconium carbide (ZrC), niobioum carbide (NbC), chromium carbide (CrC), vanadium carbide (VC), boron carbide (BC), or combinations thereof or combinations thereof.

    Abstract translation: 包括近场传感器（NFT）的设备; 位于所述NFT的至少一部分上的阻气层; 以及位于所述阻气层的至少一部分上的耐磨层，其中所述阻气层包括氧化钽（TaO），氧化钛（TiO），氧化铬（CrO），氧化硅（SiO），氧化铝（AlO ），氧化钛（TiO），氧化锆（ZrO），氧化钇（YO），氧化镁（MgO），氧化铍（BeO），氧化铌（NbO），氧化铪（HfO），氧化钒（VO） 氧化锶（SrO）或其组合; 氮化硅（SiN），氮化铝（Al），氮化硼（BN），氮化钛（TiN），氮化锆（ZrN），氮化硼（NbN），氮化铪（HfN），氮化铬（CrN） 碳化硅（SiC），碳化钛（TiC），碳化锆（ZrC），碳化铌（NbC），碳化铬（CrC），碳化钒（VC），碳化硼（BC）或其组合或其组合。

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