公开(公告)号：US20170005176A1

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：US15100262

申请日：2013-12-27

申请人： SEUNG HOON SUNG ,  ROBERT B. TURKOT, JR. ,  ANAND S. MURTHY ,  SEIYON KIM ,  KELIN J. KUHN

发明人： SEUNG HOON SUNG ,  ROBERT B. TURKOT, JR. ,  ANAND S. MURTHY ,  SEIYON KIM ,  KELIN J. KUHN

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/06 ,  H01L21/67 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/6681 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392

摘要： The present disclosure relates to a method of etching sacrificial material. The method includes supplying a semiconductor substrate in a reaction chamber, wherein the substrate includes a channel disposed on the substrate and a sacrificial layer disposed on at least a portion of the channel. The method further includes supplying an interhalogen vapor to the reaction chamber, etching at least a portion of the sacrificial layer with the interhalogen vapor and exposing at least a portion of said channel from under the sacrificial layer.

摘要翻译： 本公开涉及一种蚀刻牺牲材料的方法。 该方法包括在反应室中提供半导体衬底，其中衬底包括设置在衬底上的沟道和设置在沟道的至少一部分上的牺牲层。 所述方法还包括向所述反应室提供卤间蒸气，用所述卤素蒸气蚀刻所述牺牲层的至少一部分并且从所述牺牲层下面暴露所述通道的至少一部分。