公开(公告)号：US20150064567A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：US14470827

申请日：2014-08-27

申请人： STMicroelectronics (Tours) SAS

发明人： Mohamed BOUFNICHEL ,  Jean-Christophe HOUDBERT

IPC分类号： H01M4/38 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/04

CPC分类号： H01M4/386 ,  C09K13/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01M4/049 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/027

摘要： A method for forming a rough silicon wafer including the successive steps of: performing a plasma etching of a surface of the wafer in conditions suitable to obtain a rough structure, and performing two successive ion milling steps, one at an incidence in the range of 0 to 10°, the other at an incidence in the range of 40 to 60° relative to the normal to the wafer.

摘要翻译： 一种用于形成粗硅晶片的方法，包括以下连续步骤：在适于获得粗糙结构的条件下进行晶片表面的等离子体蚀刻，并进行两个连续的离子研磨步骤，一个在0的范围内 至10°，另一个相对于晶片的法线入射在40至60°的范围内。