公开(公告)号：US20150085560A1

公开(公告)日：2015-03-26

申请号：US14494383

申请日：2014-09-23

Applicant: STMicroelectronics SA

Inventor： Philippe Candelier ,  Thérèse Andrée Diokh ,  Joel Damiens ,  Elise Le Roux

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/004 ,  G11C14/009 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/79

Abstract: A method of controlling an array of ReRAM cells including programmable-resistance storage elements, including: during a standby period, applying a non-zero standby voltage between electrodes of the storage elements of each cell of the array.

Abstract translation: 一种控制包括可编程电阻存储元件的ReRAM单元阵列的方法，包括：在待机期间，在阵列的每个单元的存储元件的电极之间施加非零备用电压。