公开(公告)号：US06869542B2

公开(公告)日：2005-03-22

申请号：US10249047

申请日：2003-03-12

申请人： Sadanand V. Desphande ,  David Dobuzinsky ,  Arpan P. Mahorowala ,  Tina Wagner ,  Richard Wise

发明人： Sadanand V. Desphande ,  David Dobuzinsky ,  Arpan P. Mahorowala ,  Tina Wagner ,  Richard Wise

IPC分类号： B44C1/22 ,  H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31116

摘要： Form an opening in a dielectric layer formed on a substrate comprises depositing a hard mask composed of an etch resistant material over a dielectric layer, e.g. a silicon oxide. Use a photoresist mask to expose the hard mask. Use a fluorocarbon plasma to etch through the window to form an opening through the hard mask. Then etch through the hard mask opening to pattern the dielectric layer. The hard mask comprises an RCH/RCHX material with the structural formula R:C:H or R:C:H:X, where R is selected from Si, Ge, B, Sn, Fe, Ti and X is selected from O, N, S and F. The plasma etching process employs a) a gas mixture comprising N2; fluorocarbon (CHF3, C4F8, C4F6, CF4, CH2F2, CH3F); an oxidizer (O2, CO2), and a noble diluent (Ar, He); b) a high DC bias (500-3000 Volts bias on the wafer); 3) medium pressure (20-100 mT.; and d) moderate temperatures (−20 to 60°).

摘要翻译： 在形成在基板上的电介质层中形成开口，包括在电介质层上沉积由耐蚀刻材料构成的硬掩模， 氧化硅。 使用光刻胶掩模露出硬掩模。 使用氟碳等离子体通过窗口蚀刻以形成通过硬掩模的开口。 然后蚀刻穿过硬掩模开口以对介电层进行图案化。 硬掩模包括具有结构式R：C：H或R：C：H：X的RCH / RCHX材料，其中R选自Si，Ge，B，Sn，Fe，Ti和X选自O， N，S和F.等离子体蚀刻工艺使用a）包含N 2的气体混合物; 碳氟化合物（CHF 3，C 4 F 8，C 4 F 6，CF 4，CH 2 F 2，CH 3 F）; 氧化剂（O 2，CO 2）和稀有稀释剂（Ar，He）; b）高直流偏置（晶片上的500-3000伏偏压）; 3）中压（20-100mT;和d）中等温度（-20至60°）。