公开(公告)号：US20150097250A1

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：US14327666

申请日：2014-07-10

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Keon-Yong CHEON ,  Jun-suk CHOI ,  Han-Su OH ,  Yoshinao HARADA

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: Provided is a semiconductor device, which includes a first fin on a substrate, a first gate insulating layer including a first trench disposed on the first fin, a first work function adjusting layer in the first trench, a first barrier layer covering a top surface of the first work function adjusting layer; and an interlayer insulating layer on the first barrier layer.

Abstract translation: 提供了一种半导体器件，其包括在衬底上的第一鳍状物，第一栅极绝缘层，包括设置在第一鳍片上的第一沟槽，第一沟槽中的第一功函数调节层，覆盖第一鳍状物的顶表面的第一势垒层 第一功能调整层; 和在第一阻挡层上的层间绝缘层。