公开(公告)号：US20170010531A1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：US15183541

申请日：2016-06-15

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Cheol Hong PARK ,  Chawon KOH ,  Hyunwoo KIM ,  Sang-Yoon WOO ,  Hyejin JEON

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/039 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/2047 ,  G03F7/322 ,  H01L21/0274

Abstract: The disclosed embodiments provide a photoresist composition for extreme ultraviolet (EUV) and a method of forming a photoresist pattern using the same. The photoresist composition includes an out-of-band (OOB) absorbing material absorbing light of a wavelength of 100 nm to 300 nm.

Abstract translation: 所公开的实施方案提供了用于极紫外（EUV）的光致抗蚀剂组合物和使用其形成光致抗蚀剂图案的方法。 光致抗蚀剂组合物包括吸收波长为100nm至300nm的光的带外（OOB）吸收材料。