公开(公告)号：US08546270B2

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：US13780560

申请日：2013-02-28

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Ki-Hyun Kim ,  Ki-Vin Im ,  Hoon-Sang Choi ,  Moon-Hyeong Han

IPC分类号： H01L21/469 ,  B05D5/12 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/12 ,  C23C16/14

CPC分类号： H01L21/30 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578

摘要： An atomic layer deposition apparatus and an atomic layer deposition method increase productivity. The atomic layer deposition apparatus includes a reaction chamber, a heater for supporting a plurality of semiconductor substrates with a given interval within the reaction chamber and to heat the plurality of semiconductor substrates and a plurality of injectors respectively positioned within the reaction chamber and corresponding to the plurality of semiconductor substrates supported by the heater. The plurality of injectors are individually swept above the plurality of semiconductor substrates to spray reaction gas.

摘要翻译： 原子层沉积装置和原子层沉积方法提高了生产率。 原子层沉积装置包括反应室，用于在反应室内以给定间隔支撑多个半导体衬底并加热多个半导体衬底的加热器和分别位于反应室内并对应于多个半导体衬底的多个注射器 由加热器支撑的多个半导体基板。 多个喷射器分别扫过多个半导体基板上方喷射反应气体。