公开(公告)号：US09564368B2

公开(公告)日：2017-02-07

申请号：US15077351

申请日：2016-03-22

申请人： Sanghoon Baek ,  Jae-Ho Park ,  Seolun Yang ,  Taejoong Song ,  Sang-Kyu Oh

发明人： Sanghoon Baek ,  Jae-Ho Park ,  Seolun Yang ,  Taejoong Song ,  Sang-Kyu Oh

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/70 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/308 ,  H01L21/027 ,  H01L21/762 ,  H01L27/11 ,  H01L27/108 ,  H01L27/02 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823431 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/7851

摘要： A method of fabricating a semiconductor device having a first region, a second region, and a third region between the first and second regions includes forming first and second preliminary active patterns protruding from a substrate in the first and second regions, respectively, forming mask patterns exposing the third region on the substrate, performing a first etching process using the mask patterns an etch mask to form first and second active patterns, respectively, and forming gate structures on the substrate.

摘要翻译： 制造在第一和第二区域之间具有第一区域，第二区域和第三区域的半导体器件的方法包括分别形成从第一和第二区域中的衬底突出的第一和第二预活性图案，形成掩模图案 将衬底上的第三区域曝光，使用掩模图案分别进行蚀刻掩模的第一蚀刻工艺，分别形成第一和第二有源图案，并在衬底上形成栅极结构。

公开(公告)号：US09324619B2

公开(公告)日：2016-04-26

申请号：US14814601

申请日：2015-07-31

申请人： Sanghoon Baek ,  Jae-Ho Park ,  Seolun Yang ,  Taejoong Song ,  Sang-Kyu Oh

发明人： Sanghoon Baek ,  Jae-Ho Park ,  Seolun Yang ,  Taejoong Song ,  Sang-Kyu Oh

IPC分类号： H01L21/33 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/308 ,  H01L21/027 ,  H01L21/762 ,  H01L27/11 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L21/823431 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/7851

摘要： A method of fabricating a semiconductor device having a first region, a second region, and a third region between the first and second regions includes forming first and second preliminary active patterns protruding from a substrate in the first and second regions, respectively, forming mask patterns exposing the third region on the substrate, performing a first etching process using the mask patterns an etch mask to form first and second active patterns, respectively, and forming gate structures on the substrate.

摘要翻译： 制造在第一和第二区域之间具有第一区域，第二区域和第三区域的半导体器件的方法包括分别形成从第一和第二区域中的衬底突出的第一和第二预活性图案，形成掩模图案 将衬底上的第三区域曝光，使用掩模图案分别进行蚀刻掩模的第一蚀刻工艺，分别形成第一和第二有源图案，并在衬底上形成栅极结构。