公开(公告)号：US20070298599A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：US11804875

申请日：2007-05-21

申请人： Se-Myeong Jang ,  Makoto Yoshida ,  Jae-Rok Kahng ,  Chul Lee ,  Keun-Nam Kim ,  Hyun-Ju Sung ,  Hui-Jung Kim ,  Kyoung-Ho Jung

发明人： Se-Myeong Jang ,  Makoto Yoshida ,  Jae-Rok Kahng ,  Chul Lee ,  Keun-Nam Kim ,  Hyun-Ju Sung ,  Hui-Jung Kim ,  Kyoung-Ho Jung

IPC分类号： H01L21/8232

CPC分类号： H01L21/823412

摘要： For fabricating multiple field effect transistors (FETs), a first conductive layer is deposited over first and second active regions of a semiconductor substrate. The first conductive layer is patterned over the second active region to form mold structures. Mask structures are formed between the mold structures. The second active region is patterned using the mask structures or using spacers formed at sidewalls of the mold structures to form multiple fins of a field effect transistor of a fin type. The first conductive layer is patterned over the first active region to form a gate of another field effect transistor of a different type.

摘要翻译： 为了制造多个场效应晶体管（FET），第一导电层沉积在半导体衬底的第一和第二有源区上。 在第二有源区上形成第一导电层以形成模具结构。 在模具结构之间形成掩模结构。 使用掩模结构或使用形成在模具结构的侧壁处的间隔来形成第二有源区，以形成翅片型场效应晶体管的多个鳍。 在第一有源区上图案化第一导电层以形成不同类型的另一场效应晶体管的栅极。

公开(公告)号：US07700445B2

公开(公告)日：2010-04-20

申请号：US11804875

申请日：2007-05-21

申请人： Se-Myeong Jang ,  Makoto Yoshida ,  Jae-Rok Kahng ,  Chul Lee ,  Keun-Nam Kim ,  Hyun-Ju Sung ,  Hui-Jung Kim ,  Kyoung-Ho Jung

发明人： Se-Myeong Jang ,  Makoto Yoshida ,  Jae-Rok Kahng ,  Chul Lee ,  Keun-Nam Kim ,  Hyun-Ju Sung ,  Hui-Jung Kim ,  Kyoung-Ho Jung

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823412

摘要： For fabricating multiple field effect transistors (FETs), a first conductive layer is deposited over first and second active regions of a semiconductor substrate. The first conductive layer is patterned over the second active region to form mold structures. Mask structures are formed between the mold structures. The second active region is patterned using the mask structures or using spacers formed at sidewalls of the mold structures to form multiple fins of a field effect transistor of a fin type. The first conductive layer is patterned over the first active region to form a gate of another field effect transistor of a different type.

摘要翻译： 为了制造多个场效应晶体管（FET），第一导电层沉积在半导体衬底的第一和第二有源区上。 在第二有源区上形成第一导电层以形成模具结构。 在模具结构之间形成掩模结构。 使用掩模结构或使用形成在模具结构的侧壁处的间隔来形成第二有源区，以形成翅片型场效应晶体管的多个鳍。 在第一有源区上图案化第一导电层以形成不同类型的另一场效应晶体管的栅极。

公开(公告)号：US20070105334A1

公开(公告)日：2007-05-10

申请号：US11486343

申请日：2006-07-13

申请人： Se-Myeong Jang ,  Makoto Yoshida ,  Jae-Rok Kahng ,  Hyun-Ju Sung ,  Hui-Jung Kim ,  Chang-Hoon Jeon

发明人： Se-Myeong Jang ,  Makoto Yoshida ,  Jae-Rok Kahng ,  Hyun-Ju Sung ,  Hui-Jung Kim ,  Chang-Hoon Jeon

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/1052

摘要： In methods of fabricating a semiconductor device having multiple channel transistors and semiconductor devices fabricated thereby, the semiconductor device includes an isolation region disposed within a semiconductor substrate and defining a first region. A plurality of semiconductor pillars self-aligned with the first region and spaced apart from each other are disposed within the first region, and each of the semiconductor pillars has at least one recessed region therein. At least one gate structure may be disposed across the recessed regions, which crosses the semiconductor pillars and extends onto the isolation region.

摘要翻译： 在制造具有多个沟道晶体管和由此制造的半导体器件的半导体器件的方法中，半导体器件包括设置在半导体衬底内并限定第一区域的隔离区域。 与第一区域自对准并且彼此间隔开的多个半导体柱设置在第一区域内，并且每个半导体柱在其中具有至少一个凹陷区域。 至少一个栅极结构可以设置在穿过半导体柱并且延伸到隔离区上的凹陷区域之间。

公开(公告)号：US20100140692A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12705011

申请日：2010-02-12

申请人： Se-Myeong Jang ,  Makoto Yoshida ,  Jae-Rok Kahng ,  Hyun-Ju Sung ,  Hui-Jung Kim ,  Chang-Hoon Jeon

发明人： Se-Myeong Jang ,  Makoto Yoshida ,  Jae-Rok Kahng ,  Hyun-Ju Sung ,  Hui-Jung Kim ,  Chang-Hoon Jeon

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/1052

摘要： In methods of fabricating a semiconductor device having multiple channel transistors and semiconductor devices fabricated thereby, the semiconductor device includes an isolation region disposed within a semiconductor substrate and defining a first region. A plurality of semiconductor pillars self-aligned with the first region and spaced apart from each other are disposed within the first region, and each of the semiconductor pillars has at least one recessed region therein. At least one gate structure may be disposed across the recessed regions, which crosses the semiconductor pillars and extends onto the isolation region.

摘要翻译： 在制造具有多个沟道晶体管和由此制造的半导体器件的半导体器件的方法中，半导体器件包括布置在半导体衬底内并限定第一区域的隔离区域。 与第一区域自对准并且彼此间隔开的多个半导体柱设置在第一区域内，并且每个半导体柱在其中具有至少一个凹陷区域。 至少一个栅极结构可以设置在穿过半导体柱并且延伸到隔离区上的凹陷区域之间。

公开(公告)号：US07691689B2

公开(公告)日：2010-04-06

申请号：US11486343

申请日：2006-07-13

申请人： Se-Myeong Jang ,  Makoto Yoshida ,  Jae-Rok Kahng ,  Hyun-Ju Sung ,  Hui-Jung Kim ,  Chang-Hoon Jeon

发明人： Se-Myeong Jang ,  Makoto Yoshida ,  Jae-Rok Kahng ,  Hyun-Ju Sung ,  Hui-Jung Kim ,  Chang-Hoon Jeon

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/1052

摘要： In methods of fabricating a semiconductor device having multiple channel transistors and semiconductor devices fabricated thereby, the semiconductor device includes an isolation region disposed within a semiconductor substrate and defining a first region. A plurality of semiconductor pillars self-aligned with the first region and spaced apart from each other are disposed within the first region, and each of the semiconductor pillars has at least one recessed region therein. At least one gate structure may be disposed across the recessed regions, which crosses the semiconductor pillars and extends onto the isolation region.

摘要翻译： 在制造具有多个沟道晶体管和由此制造的半导体器件的半导体器件的方法中，半导体器件包括设置在半导体衬底内并限定第一区域的隔离区域。 与第一区域自对准并且彼此间隔开的多个半导体柱设置在第一区域内，并且每个半导体柱在其中具有至少一个凹陷区域。 至少一个栅极结构可以设置在穿过半导体柱并且延伸到隔离区上的凹陷区域之间。

公开(公告)号：US07952140B2

公开(公告)日：2011-05-31

申请号：US12705011

申请日：2010-02-12

申请人： Se-Myeong Jang ,  Makoto Yoshida ,  Jae-Rok Kahng ,  Hyun-Ju Sung ,  Hui-Jung Kim ,  Chang-Hoon Jeon

发明人： Se-Myeong Jang ,  Makoto Yoshida ,  Jae-Rok Kahng ,  Hyun-Ju Sung ,  Hui-Jung Kim ,  Chang-Hoon Jeon

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/1052

摘要： In methods of fabricating a semiconductor device having multiple channel transistors and semiconductor devices fabricated thereby, the semiconductor device includes an isolation region disposed within a semiconductor substrate and defining a first region. A plurality of semiconductor pillars self-aligned with the first region and spaced apart from each other are disposed within the first region, and each of the semiconductor pillars has at least one recessed region therein. At least one gate structure may be disposed across the recessed regions, which crosses the semiconductor pillars and extends onto the isolation region.

摘要翻译： 在制造具有多个沟道晶体管和由此制造的半导体器件的半导体器件的方法中，半导体器件包括设置在半导体衬底内并限定第一区域的隔离区域。 与第一区域自对准并且彼此间隔开的多个半导体柱设置在第一区域内，并且每个半导体柱在其中具有至少一个凹陷区域。 至少一个栅极结构可以设置在穿过半导体柱并且延伸到隔离区上的凹陷区域之间。

公开(公告)号：US09408910B2

公开(公告)日：2016-08-09

申请号：US14001745

申请日：2011-03-02

申请人： Ju-Hee Ryu ,  Kwang-Meyung Kim ,  Ick-Chan Kwon ,  Kui-Won Choi ,  Sang-Yoon Kim ,  Beom-Suk Lee ,  Dae-Yoon Chi ,  Hee-Seup Kil ,  Hyun-Ju Sung

发明人： Ju-Hee Ryu ,  Kwang-Meyung Kim ,  Ick-Chan Kwon ,  Kui-Won Choi ,  Sang-Yoon Kim ,  Beom-Suk Lee ,  Dae-Yoon Chi ,  Hee-Seup Kil ,  Hyun-Ju Sung

IPC分类号： A61K41/00 ,  A61N5/06 ,  A61N5/10 ,  A61K47/48 ,  A61K31/704 ,  A61K38/00

CPC分类号： A61K41/0042 ,  A61K31/704 ,  A61K38/00 ,  A61K47/64 ,  A61N5/062 ,  A61N5/1001

摘要： The present invention relates to an anticancer prodrug consisting of peptide of acetyl-SEQ ID NO: 1-linker-anticancer drug. The anticancer prodrug effectively provides an anticancer drug unstable in acid or base, such as doxorubicin, in a form of prodrug. Thus, the anticancer prodrug exists as a non-toxic inactive form when administered into the body, but effectively releases the anticancer drug as an active ingredient in the target area in the presence of caspase activated by radiation or UV treatment after administered into the body. Accordingly, the anticancer drug exhibits selective anticancer effects on cancer cells, thereby maximizing the therapeutic effect and minimizing the side-effects of chemotherapy.

摘要翻译： 本发明涉及一种由乙酰基-SEQ ID NO.1-接头 - 抗癌药物的肽组成的抗癌药物。 抗癌前药有效地提供了在酸或碱中不稳定的抗癌药物，例如以前药形式的多柔比星。 因此，当施用于体内时，抗癌前药以无毒无活性形式存在，但在施用于体内后，通过辐射或UV治疗活化的半胱天冬酶存在下，有效地将抗癌药物作为活性成分释放到目标区域。 因此，抗癌药物对癌细胞具有选择性的抗癌作用，从而最大化治疗效果并使化疗的副作用最小化。

公开(公告)号：US20130338422A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：US14001745

申请日：2011-03-02

申请人： Ju-Hee Ryu ,  Kwang-Meyung Kim ,  Ick-Chan Kwon ,  Kui-Won Choi ,  Sang-Yoon Kim ,  Beom-Suk Lee ,  Dae-Yoon Chi ,  Hee-Seup Kil ,  Hyun-Ju Sung

发明人： Ju-Hee Ryu ,  Kwang-Meyung Kim ,  Ick-Chan Kwon ,  Kui-Won Choi ,  Sang-Yoon Kim ,  Beom-Suk Lee ,  Dae-Yoon Chi ,  Hee-Seup Kil ,  Hyun-Ju Sung

IPC分类号： A61K41/00 ,  A61N5/06 ,  A61N5/10

CPC分类号： A61K41/0042 ,  A61K31/704 ,  A61K38/00 ,  A61K47/64 ,  A61N5/062 ,  A61N5/1001

摘要： The present invention relates to an anticancer prodrug consisting of peptide of acetyl-SEQ ID NO: 1-linker-anticancer drug. The anticancer prodrug effectively provides an anticancer drug unstable in acid or base, such as doxorubicin, in a form of prodrug. Thus, the anticancer prodrug exists as a non-toxic inactive form when administered into the body, but effectively releases the anticancer drug as an active ingredient in the target area in the presence of caspase activated by radiation or UV treatment after administered into the body. Accordingly, the anticancer drug exhibits selective anticancer effects on cancer cells, thereby maximizing the therapeutic effect and minimizing the side-effects of chemotherapy.

摘要翻译： 本发明涉及一种由乙酰基-SEQ ID NO.1-接头 - 抗癌药物的肽组成的抗癌药物。 抗癌前药有效地提供了在酸或碱中不稳定的抗癌药物，例如以前药形式的多柔比星。 因此，当施用于体内时，抗癌前药以无毒无活性形式存在，但在施用于体内后，通过辐射或UV治疗活化的半胱天冬酶存在下，有效地将抗癌药物作为活性成分释放到目标区域。 因此，抗癌药物对癌细胞具有选择性的抗癌作用，从而最大化治疗效果并使化疗的副作用最小化。