公开(公告)号：US20130291941A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：US13461674

申请日：2012-05-01

申请人： Sean Andrew Vail ,  Wei Pan ,  Gary D. Foley ,  Jong-Jan Lee

发明人： Sean Andrew Vail ,  Wei Pan ,  Gary D. Foley ,  Jong-Jan Lee

IPC分类号： H01L31/0256 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0376 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01G9/2009 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/002 ,  H01L51/4226 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/549

摘要： A solid-state hole transport composite material (ssHTM) is provided made from a p-type organic semiconductor and a dopant material serving as a source for either sodium (Na+) or potassium (K+) ions. The p-type organic semiconductor may be molecular (a collection of discrete molecules, that are either chemically identical or different), oligomeric, polymeric materials, or combinations thereof. In one aspect, the p-type organic semiconductor is 2,2′,7,7′-tetrakis(N,N-di-p-methoxyphenylamine)-9,9′-spirobifluorene (Spiro-OMeTAD). The dopant material is an inorganic or organic material salt. A solid-state dye-sensitized solar cell (ssDSC) with the above-described ssHTM, is also provided.

摘要翻译： 提供由p型有机半导体和用作钠（Na +）或钾（K +）离子的源的掺杂剂材料制成的固态空穴传输复合材料（ssHTM）。 p型有机半导体可以是分子（离散分子的集合，其化学上相同或不同），低聚物，聚合材料或其组合。 一方面，p型有机半导体是2,2'，7,7'-四（N，N-二 - 对甲氧基苯胺）-9,9'-螺二芴（Spiro-OMeTAD）。 掺杂剂材料是无机或有机材料盐。 还提供了具有上述ssHTM的固态染料敏化太阳能电池（ssDSC）。

公开(公告)号：US20140134792A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：US13719052

申请日：2012-12-18

申请人： Sean Andrew Vail ,  Alexey Koposov ,  Wei Pan ,  Gary D. Foley ,  Jong-Jan Lee

发明人： Sean Andrew Vail ,  Alexey Koposov ,  Wei Pan ,  Gary D. Foley ,  Jong-Jan Lee

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02628 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541

摘要： Methods are provided for fabricating a solution-processed metal and mixed-metal selenide semiconductor using a selenium (Se) film layer. One aspect provides a conductive substrate and deposits a first Se film layer over the conductive substrate. A first solution, including a first material set of metal salts, metal complexes, or combinations thereof, is dissolved in a solvent and deposited on the first Se film layer. A first intermediate film comprising metal precursors is formed from corresponding members of the first material set. In one aspect, a plurality of intermediate films is formed using metal precursors from the first material set or a different material set. In another aspect, a second Se film layer is formed overlying the intermediate film(s). Thermal annealing is performed in an environment including hydrogen (H2), hydrogen selenide (H2Se), or Se/H2. The metal precursors are transformed in the intermediate film(s), and a metal selenide-containing semiconductor is formed.

摘要翻译： 提供了使用硒（Se）膜层制造溶液处理金属和混合金属硒化物半导体的方法。 一个方面提供一种导电衬底并且在导电衬底上沉积第一Se膜层。 包括金属盐，金属络合物或其组合的第一材料组合的第一溶液溶解在溶剂中并沉积在第一Se膜层上。 包含金属前体的第一中间膜由第一材料组的相应构件形成。 在一个方面，使用来自第一材料组或不同材料组的金属前体形成多个中间膜。 在另一方面，形成覆盖中间膜的第二Se膜层。 在包括氢（H 2），硒化氢（H 2 Se）或Se / H 2的环境中进行热退火。 金属前体在中间膜中转变，形成含金属硒化物的半导体。

公开(公告)号：US20140116509A1

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：US13664256

申请日：2012-10-30

申请人： Sean Andrew Vail ,  Alexey Koposov ,  Wei Pan ,  Gary D. Foley ,  Jong-Jan Lee

发明人： Sean Andrew Vail ,  Alexey Koposov ,  Wei Pan ,  Gary D. Foley ,  Jong-Jan Lee

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01B1/12

CPC分类号： H01L51/4226 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0058 ,  Y02E10/549

摘要： A solid-state hole transport composite material (ssHTM) is provided. The ssHTM is made from a neutral charge first p-type organic semiconductor, and a chemically oxidized first p-type semiconductor, where the dopants are silver(I) containing materials. A reduced form of the silver(I) containing material is also retained as functional component in the ssHTM. In one aspect, the silver(I) containing material is silver bis(trifluoromethanesulfonyl)imide (TFSI). In another aspect, the first p-type organic semiconductor is 2,2′,7,7′-tetrakis(N,N-di-p-methoxyphenylamine)-9,9′-spirobifluorene (Spiro-OMeTAD). In one variation, the ssHTM additionally includes a first p-type organic semiconductor doped with an ionic dopant such as lithium (Li+), sodium (Na+), potassium (K+), or combinations of the above-mentioned materials. Also provided are a method for synthesizing the above-described ssHTM, and a solid-state dye solar cell (ssDSC) fabricated from the ssHTM.

摘要翻译： 提供固态空穴传输复合材料（ssHTM）。 ssHTM由中性电荷第一p型有机半导体和化学氧化的第一p型半导体制成，其中掺杂剂是含银（I）的材料。 含有银（I）的材料的还原形式也作为ssHTM中的功能组分保留。 一方面，含有银（I）的材料是双（三氟甲磺酰）酰亚胺（TFSI）。 另一方面，第一p型有机半导体是2,2'，7,7'-四（N，N-二 - 对甲氧基苯胺）-9,9'-螺二芴（Spiro-OMeTAD）。 在一个实施方案中，ssHTM还包括掺杂有离子掺杂剂如锂（Li +），钠（Na +），钾（K +）或上述材料的组合的第一p型有机半导体。 还提供了合成上述ssHTM的方法和由ssHTM制造的固态染料太阳能电池（ssDSC）。