公开(公告)号：US20120319244A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13575916

申请日：2011-01-25

申请人： Seiji Oguri ,  Keizo Takeda ,  Koichiro Yamada ,  Kotaro Tanigawa ,  Isamu Tanaka ,  Riichi Sasamori ,  Hiromitsu Ogawa

发明人： Seiji Oguri ,  Keizo Takeda ,  Koichiro Yamada ,  Kotaro Tanigawa ,  Isamu Tanaka ,  Riichi Sasamori ,  Hiromitsu Ogawa

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/20 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A method for manufacturing a semiconductor layer according to an embodiment of the present invention comprises preparing a first compound, preparing a second compound, making a semiconductor layer forming solution, and forming a semiconductor layer including a group compound by using this semiconductor layer forming solution. The first compound contains a first chalcogen-element-containing organic compound, a first Lewis base, a I-B group element, and a first III-B group element. The second compound contains an organic ligand and a second III-B group element. The semiconductor layer forming solution contains the first compound, the second compound, and an organic solvent.

摘要翻译： 根据本发明的实施方案的半导体层的制造方法包括通过使用该半导体层形成溶液制备第一化合物，制备第二化合物，制备半导体层形成溶液，以及形成包含基团化合物的半导体层。 第一化合物含有第一含硫族元素的有机化合物，第一路易斯碱，I-B族元素和第一III-B族元素。 第二化合物含有有机配体和第二III-B族元素。 半导体层形成溶液含有第一化合物，第二化合物和有机溶剂。

公开(公告)号：US20140345693A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：US14345221

申请日：2012-08-17

申请人： Hideaki Asao ,  Shintaro Kubo ,  Shuji Nakazawa ,  Yusuke Miyamichi ,  Tatsuya Domoto ,  Keizo Takeda ,  Kazuki Yamada ,  Kotaro Tanigawa ,  Hiromitsu Ogawa

发明人： Hideaki Asao ,  Shintaro Kubo ,  Shuji Nakazawa ,  Yusuke Miyamichi ,  Tatsuya Domoto ,  Keizo Takeda ,  Kazuki Yamada ,  Kotaro Tanigawa ,  Hiromitsu Ogawa

IPC分类号： H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A photoelectric conversion device and a method for producing a photoelectric conversion device are disclosed. The photoelectric conversion device includes a light-absorbing layer. The light-absorbing layer contains a chalcopyrite-based compound, and has a peak intensity ratio IB/IA in a range of 3 to 9, where IA represents a peak intensity of the peak formed by combining a peak of a (220) plane and a peak of a (204) plane in X-ray diffraction, and IB represents a peak intensity of a (112) plane.

摘要翻译： 公开了光电转换装置和光电转换装置的制造方法。 光电转换装置包括光吸收层。 光吸收层含有基于黄铜矿的化合物，其峰强度比IB / IA在3至9的范围内，其中IA表示通过组合（220）面的峰和 X射线衍射中的（204）面的峰，IB表示（112）面的峰强度。