公开(公告)号：US20120319244A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13575916

申请日：2011-01-25

申请人： Seiji Oguri ,  Keizo Takeda ,  Koichiro Yamada ,  Kotaro Tanigawa ,  Isamu Tanaka ,  Riichi Sasamori ,  Hiromitsu Ogawa

发明人： Seiji Oguri ,  Keizo Takeda ,  Koichiro Yamada ,  Kotaro Tanigawa ,  Isamu Tanaka ,  Riichi Sasamori ,  Hiromitsu Ogawa

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/20 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A method for manufacturing a semiconductor layer according to an embodiment of the present invention comprises preparing a first compound, preparing a second compound, making a semiconductor layer forming solution, and forming a semiconductor layer including a group compound by using this semiconductor layer forming solution. The first compound contains a first chalcogen-element-containing organic compound, a first Lewis base, a I-B group element, and a first III-B group element. The second compound contains an organic ligand and a second III-B group element. The semiconductor layer forming solution contains the first compound, the second compound, and an organic solvent.

摘要翻译： 根据本发明的实施方案的半导体层的制造方法包括通过使用该半导体层形成溶液制备第一化合物，制备第二化合物，制备半导体层形成溶液，以及形成包含基团化合物的半导体层。 第一化合物含有第一含硫族元素的有机化合物，第一路易斯碱，I-B族元素和第一III-B族元素。 第二化合物含有有机配体和第二III-B族元素。 半导体层形成溶液含有第一化合物，第二化合物和有机溶剂。

公开(公告)号：US09287434B2

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：US14129684

申请日：2012-06-18

申请人： Akio Yamamoto ,  Seiji Oguri ,  Hiromitsu Ogawa ,  Aki Kitabayashi ,  Shinichi Abe ,  Kazumasa Umesato ,  Norihiko Matsushima ,  Keizo Takeda ,  Manabu Kyuzo ,  Ken Nishiura ,  Atsuo Hatate

发明人： Akio Yamamoto ,  Seiji Oguri ,  Hiromitsu Ogawa ,  Aki Kitabayashi ,  Shinichi Abe ,  Kazumasa Umesato ,  Norihiko Matsushima ,  Keizo Takeda ,  Manabu Kyuzo ,  Ken Nishiura ,  Atsuo Hatate

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/032

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02469 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0324 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： Methods for producing a semiconductor layer and for producing a photoelectric conversion device, semiconductor raw material are disclosed. An embodiment of the method for producing a semiconductor layer includes: forming a film containing a metal element and an oxygen element; generating oxygen gas by heating the film; and forming a semiconductor layer containing a metal chalcogenide from the film by allowing the metal element to react with a chalcogen element. Another embodiment of the method includes forming a lower film containing a metal element; forming an upper film, which contains the metal element and a substance that contains oxygen, on the lower film; generating oxygen gas by heating the substance; and forming a semiconductor layer containing a metal chalcogenide from the lower film and the upper film by allowing a chalcogen element to react with the metal element in the lower film and the upper film.

摘要翻译： 公开了半导体层的制造方法和光电转换装置的制造方法。 制造半导体层的方法的一个实施例包括：形成含有金属元素和氧元素的膜; 通过加热膜产生氧气; 以及通过使所述金属元素与硫属元素反应从所述膜形成含有金属硫族化物的半导体层。 该方法的另一实施例包括形成含有金属元素的下膜; 在下膜上形成含有金属元素和含有氧的物质的上膜; 通过加热物质产生氧气; 以及通过使硫属元素与下膜和上膜中的金属元素反应，从下膜和上膜形成含有金属硫族化物的半导体层。

公开(公告)号：US09184329B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：US14114895

申请日：2012-05-29

申请人： Shinichi Abe ,  Akio Yamamoto ,  Seiji Oguri ,  Kazumasa Umesato

发明人： Shinichi Abe ,  Akio Yamamoto ,  Seiji Oguri ,  Kazumasa Umesato

IPC分类号： H01L31/065 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465

CPC分类号： H01L31/065 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

摘要： A photoelectric conversion device is disclosed. The photoelectric conversion device includes an electrode layer and a semiconductor layer. The semiconductor layer is located on the electrode layer and contains a group I-III-VI compound. In the semiconductor layer, an atomic ratio of a group I-B element to a group III-B element decreases from one principal surface side of the semiconductor layer on the electrode layer side to a central portion in a thickness direction and increases from the central portion to another principal surface side on a side opposite to the electrode layer.

摘要翻译： 公开了一种光电转换装置。 光电转换装置包括电极层和半导体层。 半导体层位于电极层上并含有I-III-VI族化合物。 在半导体层中，IB族元素与III-B族元素的原子比从电极层侧的半导体层的一个主面侧向厚度方向的中央部分减少，从中央部向 在与电极层相对的一侧的另一主表面侧。

公开(公告)号：US20140069492A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：US14114895

申请日：2012-05-29

申请人： Shinichi Abe ,  Akio Yamamoto ,  Seiji Oguri ,  Kazumasa Umesato

发明人： Shinichi Abe ,  Akio Yamamoto ,  Seiji Oguri ,  Kazumasa Umesato

IPC分类号： H01L31/065

CPC分类号： H01L31/065 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

摘要： A photoelectric conversion device is disclosed. The photoelectric conversion device includes an electrode layer and a semiconductor layer. The semiconductor layer is located on the electrode layer and contains a group I-III-VI compound. In the semiconductor layer, an atomic ratio of a group I-B element to a group III-B element decreases from one principal surface side of the semiconductor layer on the electrode layer side to a central portion in a thickness direction and increases from the central portion to another principal surface side on a side opposite to the electrode layer.

摘要翻译： 公开了一种光电转换装置。 光电转换装置包括电极层和半导体层。 半导体层位于电极层上并含有I-III-VI族化合物。 在半导体层中，IB族元素与III-B族元素的原子比从电极层侧的半导体层的一个主面侧向厚度方向的中央部分减少，从中央部向 在与电极层相对的一侧的另一主表面侧。

公开(公告)号：US20130037901A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：US13643499

申请日：2011-04-22

申请人： Shintaro Kubo ,  Shuji Nakazawa ,  Rui Kamada ,  Seiji Oguri ,  Shinnosuke Ushio ,  Shuichi Kasai ,  Seiichiro Inai

发明人： Shintaro Kubo ,  Shuji Nakazawa ,  Rui Kamada ,  Seiji Oguri ,  Shinnosuke Ushio ,  Shuichi Kasai ,  Seiichiro Inai

IPC分类号： H01L31/0224

CPC分类号： H01L27/142 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

摘要： It is an object to provide a photoelectric conversion device with high photoelectric conversion efficiency that improves reliability by increasing contact force between a light absorbing layer and an electrode layer. The photoelectric conversion device includes an electrode layer, and a light absorbing layer located on the electrode layer. The light absorbing layer contains a compound semiconductor. The light absorbing layer comprises a first layer close to the electrode layer and a second layer located on the first layer. The first layer has a void ratio lower than that of the second layer.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种具有高光电转换效率的光电转换装置，其通过增加光吸收层和电极层之间的接触力来提高可靠性。 光电转换装置包括电极层和位于电极层上的光吸收层。 光吸收层含有化合物半导体。 光吸收层包括靠近电极层的第一层和位于第一层上的第二层。 第一层具有低于第二层的空隙率。

公开(公告)号：US20140127851A1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：US14129684

申请日：2012-06-18

申请人： Akio Yamamoto ,  Seiji Oguri ,  Hiromitsu Ogawa ,  Aki Kitabayashi ,  Shinichi Abe ,  Kazumasa Umesato ,  Norihiko Matsushima ,  Keizo Takeda ,  Manabu Kyuzo ,  Ken Nishiura ,  Atsuo Hatate

发明人： Akio Yamamoto ,  Seiji Oguri ,  Hiromitsu Ogawa ,  Aki Kitabayashi ,  Shinichi Abe ,  Kazumasa Umesato ,  Norihiko Matsushima ,  Keizo Takeda ,  Manabu Kyuzo ,  Ken Nishiura ,  Atsuo Hatate

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02469 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0324 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： Methods for producing a semiconductor layer and for producing a photoelectric conversion device, semiconductor raw material are disclosed. An embodiment of the method for producing a semiconductor layer includes: forming a film containing a metal element and an oxygen element; generating oxygen gas by heating the film; and forming a semiconductor layer containing a metal chalcogenide from the film by allowing the metal element to react with a chalcogen element. Another embodiment of the method includes forming a lower film containing a metal element; forming an upper film, which contains the metal element and a substance that contains oxygen, on the lower film; generating oxygen gas by heating the substance; and forming a semiconductor layer containing a metal chalcogenide from the lower film and the upper film by allowing a chalcogen element to react with the metal element in the lower film and the upper film.

摘要翻译： 公开了半导体层的制造方法和光电转换装置的制造方法。 制造半导体层的方法的一个实施例包括：形成含有金属元素和氧元素的膜; 通过加热膜产生氧气; 以及通过使所述金属元素与硫属元素反应从所述膜形成含有金属硫族化物的半导体层。 该方法的另一实施例包括形成含有金属元素的下膜; 在下膜上形成含有金属元素和含有氧的物质的上膜; 通过加热物质产生氧气; 以及通过使硫属元素与下膜和上膜中的金属元素反应，从下膜和上膜形成含有金属硫族化物的半导体层。

公开(公告)号：US20130125982A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13813011

申请日：2011-07-27

申请人： Seiji Oguri ,  Isamu Tanaka ,  Norihiko Matsushima ,  Akio Yamamoto

发明人： Seiji Oguri ,  Isamu Tanaka ,  Norihiko Matsushima ,  Akio Yamamoto

IPC分类号： H01L31/032

CPC分类号： H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

摘要： It is aimed to provide a photoelectric conversion device having high adhesion between a light-absorbing layer and an electrode layer as well as high photoelectric conversion efficiency. A photoelectric conversion device comprises a light-absorbing layer including a chalcopyrite-based compound semiconductor and oxygen. The light-absorbing layer includes voids therein. An atomic concentration of oxygen in the vicinity of the voids is higher than an average atomic concentration of oxygen in the light-absorbing layer.

摘要翻译： 旨在提供一种在光吸收层和电极层之间具有高粘附性的光电转换装置以及高的光电转换效率。 光电转换装置包括包含基于黄铜矿的化合物半导体和氧的光吸收层。 光吸收层包括其中的空隙。 空隙附近的氧原子浓度高于光吸收层中氧的平均原子浓度。

公开(公告)号：US08916905B2

公开(公告)日：2014-12-23

申请号：US13643499

申请日：2011-04-22

申请人： Shintaro Kubo ,  Shuji Nakazawa ,  Rui Kamada ,  Seiji Oguri ,  Shinnosuke Ushio ,  Shuichi Kasai ,  Seiichiro Inai

发明人： Shintaro Kubo ,  Shuji Nakazawa ,  Rui Kamada ,  Seiji Oguri ,  Shinnosuke Ushio ,  Shuichi Kasai ,  Seiichiro Inai

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/0384 ,  H01L21/02 ,  H01L27/142 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0749 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L27/142 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

摘要： It is an object to provide a photoelectric conversion device with high photoelectric conversion efficiency that improves reliability by increasing contact force between a light absorbing layer and an electrode layer. The photoelectric conversion device includes an electrode layer, and a light absorbing layer located on the electrode layer. The light absorbing layer contains a compound semiconductor. The light absorbing layer comprises a first layer close to the electrode layer and a second layer located on the first layer. The first layer has a void ratio lower than that of the second layer.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种具有高光电转换效率的光电转换装置，其通过增加光吸收层和电极层之间的接触力来提高可靠性。 光电转换装置包括电极层和位于电极层上的光吸收层。 光吸收层含有化合物半导体。 光吸收层包括靠近电极层的第一层和位于第一层上的第二层。 第一层具有低于第二层的空隙率。

公开(公告)号：US08772826B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US13701150

申请日：2011-05-30

申请人： Hideaki Asao ,  Rui Kamada ,  Shuichi Kasai ,  Seiji Oguri ,  Isamu Tanaka ,  Nobuyuki Horiuchi ,  Kazumasa Umesato

发明人： Hideaki Asao ,  Rui Kamada ,  Shuichi Kasai ,  Seiji Oguri ,  Isamu Tanaka ,  Nobuyuki Horiuchi ,  Kazumasa Umesato

IPC分类号： H01L29/88 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L31/0272 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/541

摘要： It is an object to provide a photoelectric conversion device with high photoelectric conversion efficiency. The photoelectric conversion device includes an electrode layer, and a light absorbing layer located on the electrode layer. The light absorbing layer is comprised of a plurality of stacked semiconductor layers containing a chalcopyrite-based compound semiconductor. The semiconductor layers contain oxygen. A molar concentration of the oxygen in surfaces and their vicinities of the semiconductor layers where the semiconductor layers are stacked on each other is higher than average molar concentrations of the oxygen in the semiconductor layers.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种具有高光电转换效率的光电转换装置。 光电转换装置包括电极层和位于电极层上的光吸收层。 光吸收层由含有黄铜矿类化合物半导体的多个层叠半导体层构成。 半导体层含有氧。 半导体层彼此层叠的半导体层的表面的摩尔浓度及其附近的摩尔浓度高于半导体层中的氧的平均摩尔浓度。

公开(公告)号：US20130069187A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13701150

申请日：2011-05-30

申请人： Hideaki Asao ,  Rui Kamada ,  Shuichi Kasai ,  Seiji Oguri ,  Isamu Tanaka ,  Nobuyuki Horiuchi ,  Kazumasa Umesato

发明人： Hideaki Asao ,  Rui Kamada ,  Shuichi Kasai ,  Seiji Oguri ,  Isamu Tanaka ,  Nobuyuki Horiuchi ,  Kazumasa Umesato

IPC分类号： H01L31/0272

CPC分类号： H01L31/0272 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/541

摘要： It is an object to provide a photoelectric conversion device with high photoelectric conversion efficiency. The photoelectric conversion device includes an electrode layer, and a light absorbing layer located on the electrode layer. The light absorbing layer is comprised of a plurality of stacked semiconductor layers containing a chalcopyrite-based compound semiconductor. The semiconductor layers contain oxygen. A molar concentration of the oxygen in surfaces and their vicinities of the semiconductor layers where the semiconductor layers are stacked on each other is higher than average molar concentrations of the oxygen in the semiconductor layers.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种具有高光电转换效率的光电转换装置。 光电转换装置包括电极层和位于电极层上的光吸收层。 光吸收层由含有黄铜矿类化合物半导体的多个层叠半导体层构成。 半导体层含有氧。 半导体层彼此层叠的半导体层的表面的摩尔浓度及其附近的摩尔浓度高于半导体层中的氧的平均摩尔浓度。