公开(公告)号：US20120273888A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13547717

申请日：2012-07-12

申请人： Serguei OKHONIN

发明人： Serguei OKHONIN

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1203 ,  G11C7/00 ,  G11C11/40 ,  G11C11/404 ,  G11C2211/4016 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/7841

摘要： A semiconductor device along with circuits including the same and methods of operating the same are described. The device includes an electrically floating body region, and a gate is disposed over a first portion of the body region. The device includes a source region adjoining a second portion of the body region, the second portion adjacent the first portion and separating the source region from the first portion. The device includes a drain region adjoining a third portion of the body region, the third portion adjacent the first portion and separating the drain region from the first portion.

摘要翻译： 描述了包括其的电路的半导体器件及其操作方法。 该装置包括电浮体区域，并且栅极设置在身体区域的第一部分之上。 该装置包括与该区域的第二部分邻接的源极区域，该第二部分与该第一部分相邻并且将该源区域与该第一部分分开。 该装置包括与该区域的第三部分邻接的漏极区域，该第三部分与该第一部分相邻并且将该漏极区域与该第一部分分开。

公开(公告)号：US20120236671A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：US13479065

申请日：2012-05-23

申请人： Eric CARMAN ,  Mikhail NAGOGA ,  Serguei OKHONIN

发明人： Eric CARMAN ,  Mikhail NAGOGA ,  Serguei OKHONIN

IPC分类号： G11C11/402

CPC分类号： G11C11/4096 ,  G11C11/406 ,  G11C2211/4016 ,  G11C2211/4065

摘要： A semiconductor device along with circuits including the same and methods of operating the same are described. The device comprises a memory cell including one transistor. The transistor comprises a gate, an electrically floating body region, and a source region and a drain region adjacent the body region. Data stored in memory cells of the device can be refreshed within a single clock cycle.

摘要翻译： 描述了包括其的电路的半导体器件及其操作方法。 该器件包括一个包括一个晶体管的存储单元。 晶体管包括栅极，电浮体区域，以及邻近身体区域的源极区域和漏极区域。 存储在设备的存储单元中的数据可以在单个时钟周期内刷新。

公开(公告)号：US20100277982A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12770249

申请日：2010-04-29

申请人： Serguei OKHONIN

发明人： Serguei OKHONIN

IPC分类号： G11C14/00 ,  H01L27/108 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/788 ,  G11C11/404 ,  G11C14/0018 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/12 ,  G11C16/26 ,  G11C2211/4016 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7841 ,  H01L29/7885 ,  H01L29/792

摘要： Techniques for providing floating body memory devices are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as a semiconductor device comprising a floating gate, a control gate disposed over the floating gate, a body region that is electrically floating, wherein the body region is configured so that material forming the body region is contained under at least one lateral boundary of the floating gate, and a source region and a drain region adjacent the body region.

摘要翻译： 公开了用于提供浮体存储器件的技术。 在一个特定的示例性实施例中，可以将技术实现为包括浮置栅极，设置在浮置栅极上的控制栅极，电浮置的主体区域的半导体器件，其中，主体区域被配置为使得形成主体区域 被包含在浮置栅极的至少一个横向边界下方，以及与该区域相邻的源极区域和漏极区域。